公开(公告)号：CN103487472A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201310409019.7

申请日：2013-09-10

Applicant: 扬州大学 ,  淮阴工学院

Inventor： 王金权 ,  张明 ,  陈小兵 ,  王子谦 ,  张启涛 ,  吴媛媛 ,  李洁 ,  袁赛赛 ,  王树乔

IPC: G01N27/12

Abstract: 本发明公开了一种金属氧化物反蛋白石结构材料气敏元件。所述气敏材料是通过制备200-800nm单分散高分子微球，将高分子微球组装成蛋白石结构，再将一定浓度的金属氧化物前躯体溶液充填到蛋白石结构微球间空隙。将充填了金属氧化物前躯体的蛋白石在一定高温下烧结，形成金属氧化物反蛋白石结构材料。将金属氧化物反蛋白石结构材料调成糊状、均匀涂在带金电极和铂引线的氧化铝陶瓷管上，红外灯下烘干数分钟后于一定温度焙烧，冷却后将陶瓷管焊接在六腿管座上；将元件置于老化台上老化一段时间，即可制成金属氧化物反蛋白石结构气敏材料元件。利用金属氧化物反蛋白石结构气敏材料元件对一定浓度的气体如甲醇、乙醇、甲醛等测量发现，反蛋白石结构材料具有良好的气敏响应性。

公开(公告)号：CN115388044A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202210980145.7

申请日：2022-08-16

Applicant: 扬州大学

Inventor： 焦伟轩 ,  陈虹君 ,  成立 ,  汤雷 ,  崔阳 ,  陈小兵 ,  潘鑫

IPC: F04D29/70 ,  F04D29/52 ,  F04D15/00

Abstract: 本发明提供一种立式轴流泵站肘形进水流道冲淤装置，包括进水流道、出水流道，进水流道和出水流道之间从下至上依次设置有叶轮、导叶；还包括冲淤管路和冲淤装置；所述冲淤管路从上至下依次包括环形管路段、引水管路段；所述环形管路段安装在导叶出口处；泵站壁上开设有与引水管路尺寸相匹配的孔洞，所述引水管路段的一端穿过孔洞与环形管路段相连通，另一端与冲淤装置相连通；所述冲淤装置安装在泵站的弯肘处。

公开(公告)号：CN105274483A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510632802.9

申请日：2015-09-29

Applicant: 扬州大学

Inventor： 张志萍 ,  刘红飞 ,  杨露 ,  潘坤旻 ,  曾祥华 ,  陈小兵

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种负热膨胀材料Sc2W3O12薄膜的制备方法。属于无机功能薄膜材料制备技术领域，其特征在于：采用固相法制备了Sc2W3O12陶瓷靶材，利用制备的Sc2W3O12陶瓷靶材以射频磁控溅射法沉积制备薄膜，在900-1100℃温度下热处理后制备负热膨胀Sc2W3O12薄膜。本发明的优点在于利用射频磁控溅射法制备Sc2W3O12薄膜的负热膨胀响应温度范围宽，负热膨胀性能稳定，薄膜质量好，且制备温度低、无需淬火、热处理工艺简单，制备过程具有良好的可重复性，易于实现工业化。

公开(公告)号：CN101704669B

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN200910232041.2

申请日：2009-11-27

Applicant: 扬州大学

Inventor： 陈小兵 ,  毛翔宇 ,  王伟 ,  陆亚林

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/622

Abstract: 具有多铁性能的层状结构钛铁钴酸镧铋陶瓷及其制备方法，涉及氧化物陶瓷材料制备技术领域。先制备Bi3.25La0.75Ti3O12粉末，再将BiCoO3和BiFeO3植入Bi3.25La0.75Ti3O12中形成陶瓷Bi4.25La0.75Fe0.5Co0.5Ti3O15。在得到BLFCT样品中，Fe-O和Co-O八面体排列相对较为有序，从而局部获得Fe-O-Co与La-O-Co/Fe之间的耦合，从而改善样品的铁电和磁性能。该工艺简单合理，具有与现行的固相工艺良好的兼容性，样品制备温度远远低于现行工艺的制备温度可大大降低能耗，便于产业化生产。

公开(公告)号：CN102167584A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201010623191.9

申请日：2010-12-31

Applicant: 扬州大学

Inventor： 陈小兵 ,  毛翔宇 ,  王伟 ,  陆亚林 ,  杨文露 ,  陈春燕

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 具有多铁性能的五层状结构钛铁钴酸铋陶瓷材料及其制备方法，属于氧化物陶瓷材料技术领域。其化学式为Bi6FeCoTi3O18；其制备方法：选取分析纯Bi2O3、分析纯Fe2O3、分析纯Co2O3和光谱纯TiO2为原料，其中Bi2O3∶Fe2O3∶Co2O3∶TiO2的摩尔配比为6～6.6∶1∶1∶6；采用传统的固相烧结工艺，进行球磨、烘干、预合成、再次球磨和烘干处理、成型、排塑、烧结，制得Bi6FeCoTi3O18。本发明采用常用原料与现行的固相工艺，在低压条件下进行，制得的产品在温室下具有良好铁电性和铁磁性。本发明工艺简单、稳定性好，烧结温度低、所有原料均无毒，环境协调性好。

公开(公告)号：CN101020582A

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200610039130.1

申请日：2006-03-28

Applicant: 扬州大学

Inventor： 陈小兵 ,  孙慧 ,  朱骏 ,  毛翔 ,  方洪

IPC: C01G23/00 ,  C04B35/462

Abstract: 本发明涉及一种高性能La、V共掺SrBi4Ti4O15铁电薄膜。本发明在SrBi3.9La0.1Ti3.97V0.03O15铁电薄膜中La、V掺杂量分别为0.1、0.03，在267kV/cm外电场下其剩余极化(2Pr)达到46.7μC/cm2。本发明解决了现有铁电薄膜存在的如Pb(Ti，Zr)O3的抗疲劳性能差、制备有污染，SrBi2Ta2O9的剩余极化较小，Bi4Ti3O12的抗疲劳性能不好，且剩余极化不大等缺陷。本发明La掺杂增大SrBi4Ti4O15的剩余极化(2Pr)，V掺杂提高其抗疲劳性能，La、V共同掺杂既增大剩余极化又提高抗疲劳性能，矫顽场低，其剩余极化(2Pr)达到46.7μC/cm2，矫顽场(Ec)仅为83kV/cm，SrBi3.9La0.1Ti3.97V0.03O15薄膜在高频和低频下极化Pnv经过2.2×109和1.3×1012次疲劳反转后几乎均无变化，表现出优良的抗疲劳性能。本发明制备工艺简单、组分控制精确，产品质量稳定可靠。

公开(公告)号：CN107151141A

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201710347474.7

申请日：2017-05-17

Applicant: 扬州大学

Inventor： 张志萍 ,  朱沁怡 ,  邢灵根 ,  刘红飞 ,  陈小兵

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/626 ,  C04B35/634 ,  C04B35/638

CPC classification number: C04B35/495 ,  C04B35/62605 ,  C04B35/63416 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/9607

Abstract: 本发明公开了一种负热膨胀陶瓷材料ScxIn2‑xMo3O12及其制备方法。其中1.4≤x≤1.6。属于无机非金属功能材料领域，该负热膨胀ScxIn2‑xMo3O12陶瓷材料以高纯度Sc2O3、In2O3和MoO3为原料，采用固相法制备，按照一定的摩尔比通过对原料氧化物称量、球磨、成型和在750‑1100℃烧结，制备得到的斜方向负热膨胀材料ScxIn2‑xMo3O12陶瓷，其结构致密，在室温到其熔点温度范围内具有稳定的负热膨胀性能。例如Sc1.5In0.5Mo3O12陶瓷在室温到700℃的温度范围内，其线热膨胀系数为‑3.99×10‑6/K，热膨胀曲线近乎线性，无相变发生，热膨胀性能稳定，具有较好的负热膨胀性能，同时本发明所提供的制备负热膨胀材料ScxIn2‑xMo3O12的制备方法较为简单，制备周期短、环保无污染，因而具有较好的应用前景。

公开(公告)号：CN107117966A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201710345755.9

申请日：2017-05-17

Applicant: 扬州大学

Inventor： 郑倩 ,  刘红飞 ,  陈小兵 ,  其他发明人请求不公开姓名

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/9607

Abstract: 本发明公开了一种负热膨胀陶瓷材料Cr2‑xScxMo3O12及其制备方法。其中1.3≤x≤1.5。属于无机非金属负热膨胀功能材料领域，该负热膨胀Cr2‑xScxMo3O12陶瓷材料以高纯度Sc2O3(≥99.5％)、Cr2O3(≥99.5％)和MoO3(≥99.5％)为原料，采用固相烧结法制备，按照一定的摩尔比通过对原料氧化物称量、混料、球磨和成型，最终在750‑1100℃烧结，制备得到的负热膨胀材料Cr2‑xScxMo3O12陶瓷，陶瓷结构致密，不含杂质相，在室温到其熔点温度范围内具有较大且稳定的负热膨胀性能。例如Cr0.6Sc1.4Mo3O12陶瓷在室温到600℃的温度范围内，其线热膨胀系数高达‑11.0×10‑6/K，热膨胀曲线呈线性，无相变发生，热膨胀性能稳定，具有较好的负热膨胀性能，同时本发明所提供的制备负热膨胀材料Cr2‑xScxMo3O12的制备方法较为简单，制备周期短、成本低、因而具有较好的应用前景。

公开(公告)号：CN105177511A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201510631552.7

申请日：2015-09-29

Applicant: 扬州大学

Inventor： 张志萍 ,  刘红飞 ,  杨露 ,  潘坤旻 ,  曾祥华 ,  陈小兵

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明公开了一种负热膨胀材料Sc2Mo3O12薄膜的制备方法。属于无机功能薄膜材料制备技术领域，具体方法是采用脉冲激光法制备负热膨胀Sc2Mo3O12薄膜。本发明的优点在于利用脉冲激光沉积法制备Sc2Mo3O12薄膜，该Sc2Mo3O12薄膜负热膨胀响应温度范围宽，性能稳定，且制备温度低、无需淬火、热处理工艺简单。脉冲激光沉积法沉积的Sc2Mo3O12薄膜和靶材的化学成分保持良好的一致性，同时逸出粒子具有较大的能量有利于薄膜生长，制备薄膜质量高，制备过程具有良好的可重复性。

公开(公告)号：CN102616782A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210108215.6

申请日：2012-04-13

Applicant: 扬州大学

Inventor： 朱骏 ,  陈小兵 ,  吴悦迪 ,  陈海涛

IPC: C01B31/36 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种可批量制备发光立方相碳化硅纳米线的制备方法。该技术先将一氧化硅粉末经球磨减小粒径，再与活性炭粉末置于一氧化铝舟的两端，在其上盖一同规格氧化铝舟后放入管式炉中反应。反应前向氧化铝管中以每分钟500立方厘米的流量通氩气20分钟，将流量降至每分钟40立方厘米后加热管式炉至1200-1300ºC，保温2-4小时后关闭管式炉电源，让其自然冷却。收集反应后的活性炭粉末堆，并在空气中以600-700ºC加热2-3小时，即可得到高纯立方相碳化硅纳米线。本发明工艺过程简单安全，可批量制备，产品纯度高，直径均一，长度长，有较强蓝发射，不仅可用于材料的增强增韧添加剂，而且可用于下一代的光电材料。