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公开(公告)号：CN117945406A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311715991.7
申请日：2023-12-14
申请人： 扬州晶樱光电科技有限公司 , 南开大学
IPC分类号： C01B33/037
摘要： 本发明属于硅废料回收技术领域，公开了一种去除硅粉中钙杂质的方法，包括：常温下将细硅粉分散到表面活性剂溶液中搅拌均匀；再将得到的细硅粉的悬浊液在搅拌状态下保持一定温度反应直至细硅粉中的钙物质完全溶解；然后通过离心处理得到固体部分；所得固体用去离子水洗涤，直至去除细硅粉表面吸附的表面活性剂以及其他杂质；最后进行烘干处理，粉碎过筛得到提纯硅粉。本发明所获得的硅粉杂质能够降低到ppm级，避免了传统方式中大量酸的使用，产生的废液通过简单的活性炭吸附即可去除水中的螯合物，从而降低了废液处理的成本问题；同时去除了钙杂质，是一种易于产业化的硅提纯的全新制作工艺。
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公开(公告)号：CN117945405A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311715990.2
申请日：2023-12-14
申请人： 扬州晶樱光电科技有限公司 , 南开大学
IPC分类号： C01B33/037
摘要： 本发明属于高纯硅冶炼技术领域，公开了一种纯切割硅泥用于制备高纯硅的方法，包括如下步骤：(1)向初始硅泥中加入配置好的混合溶液进行酸洗；混合溶液包括盐酸和氢氟酸溶液，在经负压抽滤得到二段酸处理样品；(2)将得到的二段酸处理样品固体转移到电弧炉中进行熔炼除杂提纯，得到高纯硅。本发明采用盐酸+氢氟酸混合溶液二段酸处理熔炼除杂提纯，得到纯度可达99.95％的高纯硅。因此，本发明能够回收硅泥，且回收得到的硅锭纯度较高，极大地促进利用回收硅泥生产高纯硅的发展。
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公开(公告)号：CN116902986B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202310893070.3
申请日：2023-07-19
申请人： 扬州晶樱光电科技有限公司
IPC分类号： C01B33/037 , B03C1/02 , C30B28/06 , C30B29/06
摘要： 本发明提供了一种利用磁致分离及旋式定向凝固双重作用提纯硅料的方法，通过将硅料熔融并利用炉体旋转电机有效提高熔融物料的流动性，之后利用带电荷的金属杂质在高强度外加纵向定向磁场下的磁致定向分离作用及精确热平衡控制的定向凝固作用，使金属杂质在旋转流动的液体硅料中定向迁移并富集于上下表面；再经热平衡管理系统的精确降温梯度控制、定向凝固、去除硅锭头尾完成提纯得到太阳能级高纯度的晶硅。本发明不仅可以有效分离分凝系数小的杂质，还可以分离分凝系数较大的杂质；并且本发明施加的磁场较之电场不受导电性能限制，穿透性好，分离效果更好，效率更高，且安全性好。本发明提纯获得的晶硅纯度可达6N级，显著优于传统提纯效果。
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公开(公告)号：CN118528088A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410724253.7
申请日：2024-06-05
申请人： 扬州晶樱光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种硅棒加工设备及硅棒加工方法，涉及半导体制造技术领域，包括底板，底板顶部一端设有用于对硅棒进行上料的上料机构，上料机构上方设有用于对硅棒进行外径打磨的滚磨机构，上料机构一侧设有用于改变硅棒移动方向的转向机构，转向机构一端设有用于对硅棒表面进行清洗和烘干的清洗烘干机构，上料机构包括两个固定架、固定设于底板顶部一端的竖板；本发明通过设置上料机构和滚磨机构，使得上料机构哦和滚磨机构工作，完成硅棒的自动上料和下料，降低工人工作量，提升硅棒的加工效率；通过设置清洗烘干机构，能够对打磨之后的硅棒进行清洗和烘干，使得硅棒打磨完成后，即刻进行清洗过程，进一步提升硅棒的加工效率。
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公开(公告)号：CN116902986A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310893070.3
申请日：2023-07-19
申请人： 扬州晶樱光电科技有限公司
IPC分类号： C01B33/037 , B03C1/02 , C30B28/06 , C30B29/06
摘要： 本发明提供了一种利用磁致分离及旋式定向凝固双重作用提纯硅料的方法，通过将硅料熔融并利用炉体旋转电机有效提高熔融物料的流动性，之后利用带电荷的金属杂质在高强度外加纵向定向磁场下的磁致定向分离作用及精确热平衡控制的定向凝固作用，使金属杂质在旋转流动的液体硅料中定向迁移并富集于上下表面；再经热平衡管理系统的精确降温梯度控制、定向凝固、去除硅锭头尾完成提纯得到太阳能级高纯度的晶硅。本发明不仅可以有效分离分凝系数小的杂质，还可以分离分凝系数较大的杂质；并且本发明施加的磁场较之电场不受导电性能限制，穿透性好，分离效果更好，效率更高，且安全性好。本发明提纯获得的晶硅纯度可达6N级，显著优于传统提纯效果。
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公开(公告)号：CN117756651A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311682897.6
申请日：2023-12-07
申请人： 扬州晶樱光电科技有限公司
IPC分类号： C07C217/42 , C07C213/02 , C11D1/06 , C11D1/10 , C11D3/04 , C11D3/30 , C11D3/60 , H01L21/02 , B08B3/08 , B08B3/10
摘要： 本发明涉及一种表面活性剂及其制备方法、硅片清洗剂、硅片清洗方法，硅片清洗剂包括：水、碱、缓蚀剂和多功能表面活性剂，其中，多功能表面活性剂采用兼具酸性基团与碱性基团的双亲性阳离子化合物。本实施例的硅片清洗剂中，多功能表面活性剂采用兼具酸性基团与碱性基团的双亲性阳离子化合物，具有去油污、螯合金属离子、强化渗透性、表面活化等多重功效，能够有效去除硅片表面的有机物玷污和尘埃颗粒，并溶解氧化膜、去除金属离子杂质，有效提升清洗剂的清洗去污效果。该清洗剂组分简单，清洗效果明确，避免了当前主流清洗剂存在的组分复杂，易残留，且清洗性能的波动性等缺陷；此外，该清洗剂组分对环境无污染，绿色环保。
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公开(公告)号：CN117756651B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202311682897.6
申请日：2023-12-07
申请人： 扬州晶樱光电科技有限公司
IPC分类号： C07C217/42 , C07C213/02 , C11D1/06 , C11D1/10 , C11D3/04 , C11D3/30 , C11D3/60 , H01L21/02 , B08B3/08 , B08B3/10
摘要： 本发明涉及一种表面活性剂及其制备方法、硅片清洗剂、硅片清洗方法，硅片清洗剂包括：水、碱、缓蚀剂和多功能表面活性剂，其中，多功能表面活性剂采用兼具酸性基团与碱性基团的双亲性阳离子化合物。本实施例的硅片清洗剂中，多功能表面活性剂采用兼具酸性基团与碱性基团的双亲性阳离子化合物，具有去油污、螯合金属离子、强化渗透性、表面活化等多重功效，能够有效去除硅片表面的有机物玷污和尘埃颗粒，并溶解氧化膜、去除金属离子杂质，有效提升清洗剂的清洗去污效果。该清洗剂组分简单，清洗效果明确，避免了当前主流清洗剂存在的组分复杂，易残留，且清洗性能的波动性等缺陷；此外，该清洗剂组分对环境无污染，绿色环保。
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公开(公告)号：CN221352734U
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202322954225.8
申请日：2023-11-01
申请人： 扬州晶樱光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/683
摘要： 本实用新型涉及一种硅片脱胶支撑装置，包括两个端板、若干根横梁、底板、若干个支撑组件和若干个限位组件；两个端板沿第一方向相对设置，若干根横梁沿第一方向平行设置于两个端板之间，若干根横梁的两端部固定连接两个端板；每个端板上均开设有若干个迷宫滑道，迷宫滑道包括若干个凹槽和连接若干个凹槽的滑道；底板位于若干根横梁的下方,固定连接两个端板；若干个支撑组件沿第一方向设置于两个端板之间；支撑组件的端部位于迷宫滑道内；限位组件可拆卸连接支撑组件的两端部；限位组件包括：垫片和轴用挡圈；垫片和轴用挡圈均连接支撑组件的端部，垫片位于轴用挡圈和端板之间；待脱胶晶托装置放置于横梁上，待脱胶硅片位于若干个支撑组件之间。
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公开(公告)号：CN221344772U
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202322956265.6
申请日：2023-11-01
申请人： 扬州晶樱光电科技有限公司
摘要： 本实用新型涉及一种二次加料双蝶阀加料控制装置，包括加料罐、第一蝶阀、第二蝶阀和Y型加料管；加料罐的出料口连接有竖直加料管，第一蝶阀和第二蝶阀从上至下依次设置于竖直加料管上；第一蝶阀和第二蝶阀独立控制，且均与竖直加料管密封连接；加料管的末端连接Y型加料管，Y型加料管通过延伸管连接铸锭炉。本实用新型通过沿加料管路依次设置的两个真空蝶阀进行加料控制，真空蝶阀密封性良好且不易卡料，双阀门控制具有双重密封保护功能，能够有效控制加料量，当其中一个阀门发生故障时另一个阀门作为备用阀门独立控制，上方的阀门能够保护下方阀门的密封圈不被尖锐的硅料划伤。提高了装置的可靠性，降低晶锭的氧化率和含氧量，提高了铸锭质量。
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