公开(公告)号：CN108476607B

公开(公告)日：2020-09-25

申请号：CN201680076117.5

申请日：2016-12-26

Applicant: 拓自达电线株式会社 ,  东丽KP薄膜股份有限公司

Inventor： 岩井靖 ,  柳善治 ,  都地辉明 ,  西山刚司 ,  藤信男

IPC: H05K9/00 ,  B32B15/08

Abstract: 电磁波屏蔽膜（1）包括：由以镍为主要成分的第1金属层（5）和以铜为主要成分的第2金属层（6）构成的屏蔽层（2），设置于屏蔽层（2）的第2金属层（6）一侧的面上的接合剂层（3），设置于屏蔽层（2）的第1金属层一侧的面上的保护层（4）。第2金属层（6）的平均晶粒尺寸为50nm以上200nm以下。

公开(公告)号：CN108476607A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680076117.5

申请日：2016-12-26

Applicant: 拓自达电线株式会社 ,  东丽KP薄膜股份有限公司

Inventor： 岩井靖 ,  柳善治 ,  都地辉明 ,  西山刚司 ,  藤信男

IPC: H05K9/00 ,  B32B15/08

Abstract: 电磁波屏蔽膜（1）包括：由以镍为主要成分的第1金属层（5）和以铜为主要成分的第2金属层（6）构成的屏蔽层（2），设置于屏蔽层2的第2金属层（6）一侧的面上的接合剂层3，设置于屏蔽层2的第1金属层一侧的面上的保护层（4）。第2金属层（6）的平均晶粒尺寸为50nm以上200nm以下。

公开(公告)号：CN107079611A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580063071.9

申请日：2015-12-03

Applicant: 拓自达电线株式会社

Inventor： 岩井靖 ,  柳善治 ,  竹下茂树

IPC: H05K9/00 ,  C09J7/02 ,  C09J201/00 ,  H05K1/02

CPC classification number: H05K9/00 ,  C09J7/20 ,  C09J201/00 ,  H05K1/02

Abstract: 电磁波屏蔽膜含有：有凹凸的导电性屏蔽层110、覆盖凹凸的接合剂层120。凹凸的最大峰高的值大于接合剂层120的厚度。

公开(公告)号：CN115397945A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202280003650.4

申请日：2022-03-11

Applicant: 拓自达电线株式会社

Inventor： 春名裕介 ,  田岛宏 ,  梅村滋和 ,  小松花乃绘 ,  饭原友 ,  木下淳一 ,  岩井靖

IPC: C09K5/14 ,  H01L23/36 ,  C08L101/00 ,  C08K3/22 ,  C08K3/28

Abstract: 本发明的目的在于提供一种导热性优越、具有绝缘性、介电常数低、且设计性优越的导热片。导热片1包括粘结剂成分11、氧化钛、氮化钛、以及上述成分以外的导热性填料12，氧化钛相对于氧化钛及氮化钛的合计值的比例为20～90质量％。优选导热片1表面的L*a*b*表色系统中的L*值为41以下。优选相对于导热性填料12的总量100质量份来说，氧化钛及氮化钛的合计含有量为0.3～10.0质量份。