公开(公告)号：CN113802111B

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202010538700.1

申请日：2020-06-13

申请人： 拓荆科技股份有限公司

发明人： 林轩宇 ,  柳雪 ,  王琳琳 ,  叶五毛

IPC分类号： C23C16/458 ,  C23C16/513 ,  H01J37/32

摘要： 本发明公开了一种使用等离子体处理衬底的设备及改善晶圆薄膜表面形貌的方法，其中，设备由一个衬底支撑件和多个陶瓷件构成，且各个陶瓷件具有不同高度的侧壁，每个陶瓷件均可活动套装在衬底支撑件的外周，通过上述的结构设计，可通过更换套装在衬底支撑件外周的陶瓷件，以实现衬底支撑件侧壁面积的调整，使用时，实现等离子体分布的改变，使得沉积速率和均匀性也随之改变，从而改变薄膜边缘的形貌，即通过设备硬件的结构调整可实现制备的晶圆薄膜形貌的改变；所述改善晶圆薄膜表面形貌的方法，是基于上述设备获得的；上述使用等离子体处理衬底的设备，具有结构简单、设计合理、简单易行等优点。

公开(公告)号：CN114783899A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202210386812.9

申请日：2022-04-13

申请人： 拓荆科技股份有限公司

发明人： 王卓 ,  王琳琳 ,  杨艳

IPC分类号： H01L21/66

摘要： 本发明公开了一种用于薄膜沉积设备中绝缘柱升降状态的检测方法及系统，检测方法包括检测绝缘柱上的晶圆的最高处至预设平面之间的竖直高度值，所述预设平面为所述绝缘柱处于正常状态时，绝缘柱的上端端面所在的平面；依据所检测的所述竖直高度值与所述晶圆的厚度阈值范围比较判断：若所述竖直高度值位于所述晶圆的厚度阈值范围内，则判断所述绝缘柱处于正常状态；否则，判断所述绝缘柱处于异常状态，一旦绝缘柱的升降状态存在异常，则可控制机械手臂停止进行取片动作，进而避免机械手臂与晶圆发生碰撞，从降低腔体碎片概率、机械手指撞片损伤的概率，减少设备故障时间以及晶圆异常沉积造成的电弧硬件损伤。

公开(公告)号：CN114351120A

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202111618045.1

申请日：2021-12-27

申请人： 拓荆科技股份有限公司

发明人： 王琳琳 ,  王卓 ,  杨艳

IPC分类号： C23C16/458 ,  C23C16/50 ,  C23C16/455 ,  C23C16/30 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32 ,  H01L21/683

摘要： 本发明揭露一种晶圆支撑装置，包含一支撑盘，其具有一承载面，所述承载面提供有用于接触一晶圆底面的多个支撑柱，且这些支撑柱自承载面延伸至不同的高度，藉此可改善晶圆沉积厚度的均匀性。此外，本发明还揭示了一种沉积薄膜厚度控制的方法，其根据所述晶圆支撑装置进行沉积工艺。

公开(公告)号：CN113257698A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202110394645.8

申请日：2021-04-13

申请人： 拓荆科技股份有限公司

发明人： 王琳琳 ,  王卓 ,  杨艳

IPC分类号： H01L21/66

摘要： 本发明公开了一种用于半导体薄膜沉积设备中绝缘柱升降状态的检测方法及检测系统，检测方法中基于对半导体薄膜沉积设备中薄膜沉积腔内晶圆的厚度检测，依据检测的晶圆厚度来间接反映出晶圆是否发生倾斜，进而判断绝缘柱的升降状态，一旦绝缘柱的升降状态存在异常，则可控制机械手臂停止进行取片动作，进而避免机械手臂与晶圆发生碰撞，从降低腔体碎片概率、机械手指撞片损伤的概率，减少设备故障时间以及晶圆异常沉积造成的电弧硬件损伤；该检测方法，简单易行，可为后续的机械手臂进行预警，可有效降低设备的故障率；所述检测系统，是基于上述检测方法而研发的一套检测系统，具有设计合理，结构简单等优点。

公开(公告)号：CN113802110A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202010538699.2

申请日：2020-06-13

申请人： 拓荆科技股份有限公司

发明人： 林轩宇 ,  柳雪 ,  柴智 ,  王琳琳

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/44 ,  C23C16/50

摘要： 本发明公开了一种提高清洗效率的等离子腔室，包括喷淋板、抽气环、加热盘以及陶瓷套；其中，所述喷淋板与抽气环的间隙尺寸小于1mm。该结构中喷淋板与抽气环采用新的配合方式，从而应用该结构达到了降低PECVD腔内的清洗时间、气体用量及颗粒度，提高产能，节约成本，降低硬件损伤的目的。

公开(公告)号：CN113802111A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202010538700.1

申请日：2020-06-13

申请人： 拓荆科技股份有限公司

发明人： 林轩宇 ,  柳雪 ,  王琳琳 ,  叶五毛

IPC分类号： C23C16/458 ,  C23C16/513 ,  H01J37/32

摘要： 本发明公开了一种使用等离子体处理衬底的设备及改善晶圆薄膜表面形貌的方法，其中，设备由一个衬底支撑件和多个陶瓷件构成，且各个陶瓷件具有不同高度的侧壁，每个陶瓷件均可活动套装在衬底支撑件的外周，通过上述的结构设计，可通过更换套装在衬底支撑件外周的陶瓷件，以实现衬底支撑件侧壁面积的调整，使用时，实现等离子体分布的改变，使得沉积速率和均匀性也随之改变，从而改变薄膜边缘的形貌，即通过设备硬件的结构调整可实现制备的晶圆薄膜形貌的改变；所述改善晶圆薄膜表面形貌的方法，是基于上述设备获得的；上述使用等离子体处理衬底的设备，具有结构简单、设计合理、简单易行等优点。