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公开(公告)号：CN1899003A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200580001298.7
申请日：2005-03-01
Applicant: 揖斐电株式会社
CPC classification number: C23F1/18 , C09K13/00 , C23F1/02 , C23F1/34 , H01L21/32134 , H05K3/064 , H05K3/067 , H05K3/383 , H05K2203/0597 , H05K2203/124
Abstract: 本发明公开一种蚀刻液，该蚀刻液是在氯化铜溶液中添加能够形成具有蚀刻抑制效果的覆膜的高浓度的三唑类化合物而成的。在通过使用该蚀刻液的蚀刻处理来形成电路图案的工序中，在从蚀刻保护层的边缘部位到位于蚀刻保护层下方铜箔的一部分上选择性地形成蚀刻抑制覆膜，能够有效地抑制从蚀刻保护层的边缘部位向水平方向发生的铜箔的侧面蚀刻。另外，在利用蚀刻处理形成的电路图案的侧壁上形成不均匀的微细凹凸，从而提高电路图案与覆盖电路图案的树脂绝缘层之间的密合性。
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公开(公告)号：CN1899003B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200580001298.7
申请日：2005-03-01
Applicant: 揖斐电株式会社
CPC classification number: C23F1/18 , C09K13/00 , C23F1/02 , C23F1/34 , H01L21/32134 , H05K3/064 , H05K3/067 , H05K3/383 , H05K2203/0597 , H05K2203/124
Abstract: 本发明公开一种蚀刻液，该蚀刻液是在氯化铜溶液中添加能够形成具有蚀刻抑制效果的覆膜的高浓度的三唑类化合物而成的。在通过使用该蚀刻液的蚀刻处理来形成电路图案的工序中，在从蚀刻保护层的边缘部位到位于蚀刻保护层下方铜箔的一部分上选择性地形成蚀刻抑制覆膜，能够有效地抑制从蚀刻保护层的边缘部位向水平方向发生的铜箔的侧面蚀刻。另外，在利用蚀刻处理形成的电路图案的侧壁上形成不均匀的微细凹凸，从而提高电路图案与覆盖电路图案的树脂绝缘层之间的密合性。
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