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公开(公告)号：CN101138048B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200680007399.X
申请日：2006-03-07
申请人： 斯班逊有限公司
发明人： 赤荻隆男
摘要： 一种内存装置(memory device)用的译码器(106B)，其含有多个驱动装置(212)，当内存装置开启时，每一驱动装置对内存装置的各自线路(1ine)施加各自线电压(line voltage)。此译码器亦含有控制装置(220)，该控制装置连结至该多个驱动装置于公共节点(216)，用以产生电压来控制这些驱动装置的开启或关闭。而且，连结至该公共节点的电容器(222)增加于该公共节点的电压从初始升压电压(boost voltage)至最终升压电压。因此，内存装置的线路以最小的面积及最低的接线复杂度(wiringcomplexity)驱动至升压电压。
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公开(公告)号：CN104299638A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410409924.7
申请日：2006-10-06
申请人： 斯班逊有限公司
发明人： 赤荻隆男
IPC分类号： G11C8/12
CPC分类号： G11C8/12
摘要： 一种配置在存储库及扇区内且与解码器相关联的存储器阵列。存储器阵列(150)，包括多个记忆库(memory bank)(B)，各记忆库具有多个扇区(sector)(S)及多个扇区解码器，各扇区解码器操作地与扇区(S)相关联。第一多条线提供第一信号，而第二多条线提供第二信号。第一解码器器件操作地与该第一多条线相关联，用于接收该第一信号及用于通过第一单一线提供第一位址信号给记忆库(B)的扇区解码器。第二解码器器件操作地与该第二多条线相关联，用于接收该第二信号及用于通过第二单一线提供第二位址信号给记忆库(B)的扇区解码器。
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公开(公告)号：CN100552806C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN01810500.9
申请日：2001-05-21
申请人： 斯班逊有限公司
IPC分类号： G11C7/10
CPC分类号： G11C7/1018 , G11C7/1072
摘要： 本发明提供一种方法，该方法提供丛发模式存取于内存中的多个数据字符。该方法包括：在起始时间周期内，第一数据字符与第二数据字符是藉由起始地址做存取，接着产生第二信号，起始地址递增以产生第二地址，而第三数据字符与第四数据字符则藉由第二地址来做存取以响应第二信号。第一数据字符与第二数据字符是以响应第二信号来储存。在起始时间周期之后，第一数据字符产生于内存的输出端以响应时序信号的第一脉冲，而第二数据字符则产生于内存的输出端以响应时序信号的第二脉冲。
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公开(公告)号：CN101138048A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200680007399.X
申请日：2006-03-07
申请人： 斯班逊有限公司
发明人： 赤荻隆男
摘要： 一种内存装置(memory device)用的译码器(106B)，其含有多个驱动装置(212)，当内存装置开启时，每一驱动装置对内存装置的各自线路(line)施加各自线电压(line voltage)。此译码器亦含有控制装置(220)，该控制装置连结至该多个驱动装置于公共节点(216)，用以产生电压来控制这些驱动装置的开启或关闭。而且，连结至该公共节点的电容器(222)增加于该公共节点的电压从初始升压电压(boost voltage)至最终升压电压。因此，内存装置的线路以最小的面积及最低的接线复杂度(wiring complexity)驱动至升压电压。
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公开(公告)号：CN101027730A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200480044077.3
申请日：2004-07-30
IPC分类号： G11C16/28
CPC分类号： G11C7/062 , G11C7/067 , G11C11/5642 , G11C16/28 , G11C2211/5645
摘要： 一种半导体装置，包含有：第一串叠电路，包含有放大流经参考单元的数据线的参考电流的第一电流镜，以及通过该参考电流产生第一电位的第二电流镜；以及第二串叠电路，包含有放大流经核心单元的数据线的核心单元电流的第三电流镜，以及接收来自上述第二电流镜的参考电流以作为栅极电压，并根据该核心单元电流与该参考电流间的差值产生第二电位的晶体管。由于第二电位由核心单元电流与参考单元电流间的差值所产生，故可在电源电位与接地电位的全区域内产生第二电位。能有效地使用电源电压振幅的范围。亦可感测微弱的电流界限。
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公开(公告)号：CN101088126B
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN200580044916.6
申请日：2005-12-20
申请人： 斯班逊有限公司
CPC分类号： G11C7/062 , G11C2207/063 , H03F3/345 , H03F3/45183 , H03F3/45475 , H03F2200/462 , H03F2200/78
摘要： 一种感测放大器，包含用于产生参考输出电压的参考电压产生器以及用于产生核心输出电压的核心输出电压产生器。该核心输出电压产生器包含核心前端阶段以及核心后端阶段或包含多个放大器晶体管，各个放大器晶体管是传导部分的通过例如核心单元(core cell)的电流传导装置的核心电流。此组件之晶体管的尺寸及/或连接结构导致高电压摆动(swing)以及因而导致该感测放大器的高灵敏度。
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公开(公告)号：CN101300639A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200680040776.X
申请日：2006-10-06
申请人： 斯班逊有限公司
发明人： 赤荻隆男
IPC分类号： G11C8/12
CPC分类号： G11C8/12
摘要： 一种存储器阵列(150)，包括多个记忆库(memory bank)(B)，各记忆库具有多个扇区(sector)(S)及多个扇区解码器，各扇区解码器操作地与扇区(S)相关联。第一多条线提供第一信号，而第二多条线提供第二信号。第一解码器器件操作地与该第一多条线相关联，用于接收该第一信号及用于通过第一单一线提供第一位址信号给记忆库(B)的扇区解码器。第二解码器器件操作地与该第二多条线相关联，用于接收该第二信号及用于通过第二单一线提供第二位址信号给记忆库(B)的扇区解码器。
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公开(公告)号：CN102394096A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110358517.4
申请日：2005-12-20
申请人： 斯班逊有限公司
IPC分类号： G11C7/06
CPC分类号： G11C7/062 , G11C2207/063 , H03F3/345 , H03F3/45183 , H03F3/45475 , H03F2200/462 , H03F2200/78
摘要： 一种具有高电压摆动的感测放大器，用于产生参考输出电压的参考电压产生器；以及用于产生核心输出电压的核心输出电压产生器，该核心输出电压产生器包含：多个放大器晶体管，各个放大器晶体管是传导部分通过电流传导装置的核心电流；其中，于该放大器晶体管中所选择的其中一个晶体管的栅极具有在其上产生的该核心输出电压。此组件的晶体管的尺寸及/或连接结构导致高电压摆动(swing)以及因而导致该感测放大器的高灵敏度。
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公开(公告)号：CN101345078A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200810135828.2
申请日：2001-05-21
申请人： 斯班逊有限公司
IPC分类号： G11C7/10
CPC分类号： G11C7/1018 , G11C7/1072
摘要： 本发明说明一种丛发模式装置用以提供丛发模式存取在闪存中的多个数据字符。该丛发模式装置包含第一电路(216，220)、连接至该第一电路(216，220)的控制电路(210)与藉由控制电路(210)而选择性连接至该第一电路(216，220)的数据缓冲器(236，238)。该第一电路(216，220)存取多个数据字符，而开始于第一数据字符与第二数据字符的起始存取。该控制电路(210)产生含有脉冲及第二信号的时序信号。当完成该第一数据字符与该第二数据字符的起始存取时，则产生第二信号。该第一电路(216，220)随着该初始存取而进行该多个数据字符的后继存取以响应该第二信号与该时序信号。数据缓冲器具有输出端并于输出端产生该第一数据字符且于输出端以每一个依随起始时间周期的时序信号的连续脉冲来连续产生该第二数据字符与后继的数据字符。
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公开(公告)号：CN102394096B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201110358517.4
申请日：2005-12-20
申请人： 斯班逊有限公司
IPC分类号： G11C7/06
CPC分类号： G11C7/062 , G11C2207/063 , H03F3/345 , H03F3/45183 , H03F3/45475 , H03F2200/462 , H03F2200/78
摘要： 一种具有高电压摆动的感测放大器，用于产生参考输出电压的参考电压产生器；以及用于产生核心输出电压的核心输出电压产生器，该核心输出电压产生器包含：多个放大器晶体管，各个放大器晶体管是传导部分通过电流传导装置的核心电流；其中，于该放大器晶体管中所选择的其中一个晶体管的栅极具有在其上产生的该核心输出电压。此组件的晶体管的尺寸及/或连接结构导致高电压摆动(swing)以及因而导致该感测放大器的高灵敏度。
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