公开(公告)号：CN1714407B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN03824885.9

申请日：2003-07-10

申请人： 斯班逊有限公司

发明人： M·A·范布斯格克 ,  T-N·方 ,  C·S·比尔 ,  Z·兰

IPC分类号： G11C16/02 ,  G11C13/02

CPC分类号： G11C13/0014 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/5664 ,  G11C13/0016 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/77

摘要： 本发明由于以半导体阵列(100、200、212、300、400)中的个别半导体装置改变状态的方式协助提高效率，而有助于该等半导体装置。可在无须晶体管型电压控制的情形下，将状态改变电压施加到该半导体装置的阵列(100、200、212、300、400)中的单一装置。本发明的二极管效应(114、508、510、900、1014、1114、1214、1502、1702、1812)由于使状态改变所必要的特定电压电平只发生在所需的装置，而有助于上述的活动。在此种方式下，可在无须使用晶体管技术的情形下而以不同的资料或状态程序化一阵列的装置。本发明也可提供一种制造这类型的装置的极有效率的方法，而无须制造高成本的外部电压控制半导体装置。