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公开(公告)号：CN101084555A
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200580043866.X
申请日：2005-12-20
申请人： 斯班逊有限公司
IPC分类号： G11C16/10
CPC分类号： G11C11/36
摘要： 一种存储阵列(140)包括第一和第二组导体(142)、(144)以及数个存储－二极管(130)，各个存储－二极管顺向连接该第一组导体(BL)(142)和该第二组导体(WL)(144)。在顺向从高电位至低电位施加电位通过选择的存储－二极管(130)，预定编程该选择的存储－二极管(130)。在该预定编程期间，提供该阵列(140)中之各其它存储－二极管(130)在其顺向之通过其中之较其临界电压低的电位。藉由在反向从高电位至低电位施加通过存储－二极管(130)的电位可建立各存储－二极管(130)的临界电压。藉由如此建立足够的临界电压，以及藉由选择施加至该阵列(140)之导体之适当电位，可避免漏电流和干扰等相关问题。
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公开(公告)号：CN101053039A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200580031602.2
申请日：2005-09-19
申请人： 斯班逊有限公司
发明人： T-N·方 , M·A·范布斯基尔科 , C·S·比尔
CPC分类号： G11C11/5664 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/0071 , G11C2013/0078 , G11C2213/15 , G11C2213/79
摘要： 利用至少一个恒定电流源(114、404)以促进有机存储单元(102、302、402、904、1102、1206)的编程(programming)与/或利用至少一个恒定电压源(112、304)以促进有机存储单元(200、300、400、900、1100)的擦除的系统与方法。本发明利用于单一存储单元装置与存储单元阵列(100)。利用恒定电流源(114、404)可防止在编程期间产生电流突波(spike)并使得存储单元(102、302、402、904、1102、1206)的状态在写入周期期间能够正确的控制，而与存储单元的电阻无关。利用恒定电压源(112、304)可在擦除周期期间对于存储单元(102、302、402、904、1102、1206)提供稳定的负载并使得在处理期间能够不管存储单元电阻的大量动态改变而于存储单元(102、302、402、904、1102、1206)精确地控制电压。
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公开(公告)号：CN102708912B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201210105258.9
申请日：2006-05-26
申请人： 斯班逊有限公司
CPC分类号： G11C7/1051 , G11C7/106 , G11C13/0004 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/0076 , G11C2013/0085 , G11C2207/2245
摘要： 本发明公开了一种用于编程擦除读取纳米级电阻性存储装置的页缓冲器架构，基于单一命令，提供高电流于编程和擦除功能，以仅编程和擦除其状态将从其先前状态改变的该存储装置(30)。
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公开(公告)号：CN101057330A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200580039025.1
申请日：2005-11-10
申请人： 斯班逊有限公司
IPC分类号： H01L27/10 , H01L27/102
CPC分类号： G11C13/003 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C2213/56 , G11C2213/72 , G11C2213/74 , G11C2213/76 , H01L27/101 , H01L27/1021
摘要： 本发明之存储结构包括：第一导体(BL)；第二导体(WL)；连接至该第二导体(WL)之电阻式存储单元(130)；连接至该电阻式存储单元(130)及该第一导体(BL)之第一二极管(134)，该第一二极管(134)定位在从电阻式存储单元(130)至该第一导体(BL)的正向方向；以及连接至该电阻式存储单元(130)及第一导体(BL)之第二二极管(132)，该第二二极管(132)与该第一二极管(134)并联，且定位在从该电阻式存储单元(130)至该第一导体(BL)的反方向。该第一及第二二极管(134、132)具有不同的临界电压。
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公开(公告)号：CN101053039B
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200580031602.2
申请日：2005-09-19
申请人： 斯班逊有限公司
发明人： T-N·方 , M·A·范布斯基尔科 , C·S·比尔
CPC分类号： G11C11/5664 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/0071 , G11C2013/0078 , G11C2213/15 , G11C2213/79
摘要： 利用至少一个恒定电流源(114、404)以促进有机存储单元(102、302、402、904、1102、1206)的编程(programming)与/或利用至少一个恒定电压源(112、304)以促进有机存储单元(200、300、400、900、1100)的擦除的系统与方法。本发明利用于单一存储单元装置与存储单元阵列(100)。利用恒定电流源(114、404)可防止在编程期间产生电流突波(spike)并使得存储单元(102、302、402、904、1102、1206)的状态在写入周期期间能够正确的控制，而与存储单元的电阻无关。利用恒定电压源(112、304)可在擦除周期期间对于存储单元(102、302、402、904、1102、1206)提供稳定的负载并使得在处理期间能够不管存储单元电阻的大量动态改变而于存储单元(102、302、402、904、1102、1206)精确地控制电压。
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公开(公告)号：CN101317233A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200680027637.3
申请日：2006-07-17
申请人： 斯班逊有限公司
IPC分类号： G11C13/02
CPC分类号： G11C13/0014 , B82Y10/00 , G11C13/0007 , G11C13/0016 , G11C13/004 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2013/0092 , G11C2213/32 , G11C2213/71 , G11C2213/77
摘要： 本发明揭示增进并控制存储单元数据保持之系统及方法。产生并施加特定脉冲宽度及强度至存储单元，该存储单元由至少两个电极以及在该至少两个电极之间的可控制导电媒介所制成。侦测跨过该存储单元之电流并传送低输入脉冲(lower input pulse)给该存储单元。该低脉冲之应用控制该存储单元之数据保持而不会干扰该存储单元之最终编程状态。
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公开(公告)号：CN102708912A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210105258.9
申请日：2006-05-26
申请人： 斯班逊有限公司
CPC分类号： G11C7/1051 , G11C7/106 , G11C13/0004 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/0076 , G11C2013/0085 , G11C2207/2245
摘要： 本发明公开了一种用于编程擦除读取纳米级电阻性存储装置的页缓冲器架构，基于单一命令，提供高电流于编程和擦除功能，以仅编程和擦除其状态将从其先前状态改变的该存储装置(30)。
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公开(公告)号：CN101057330B
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200580039025.1
申请日：2005-11-10
申请人： 斯班逊有限公司
IPC分类号： H01L27/10 , H01L27/102
CPC分类号： G11C13/003 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C2213/56 , G11C2213/72 , G11C2213/74 , G11C2213/76 , H01L27/101 , H01L27/1021
摘要： 本发明之存储结构包括：第一导体；第二导体；连接至该第二导体之电阻式存储单元(130)；连接至该电阻式存储单元(130)及该第一导体之第一二极管(134)，该第一二极管(134)定位在从电阻式存储单元(130)至该第一导体的正向方向；以及连接至该电阻式存储单元(130)及第一导体之第二二极管(132)，该第二二极管(132)与该第一二极管(134)并联，且定位在从该电阻式存储单元(130)至该第一导体的反方向。该第一及第二二极管(134、132)具有不同的临界电压。
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公开(公告)号：CN1714407B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN03824885.9
申请日：2003-07-10
申请人： 斯班逊有限公司
CPC分类号： G11C13/0014 , B82Y10/00 , G11C11/5664 , G11C13/0016 , G11C13/003 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/77
摘要： 本发明由于以半导体阵列(100、200、212、300、400)中的个别半导体装置改变状态的方式协助提高效率，而有助于该等半导体装置。可在无须晶体管型电压控制的情形下，将状态改变电压施加到该半导体装置的阵列(100、200、212、300、400)中的单一装置。本发明的二极管效应(114、508、510、900、1014、1114、1214、1502、1702、1812)由于使状态改变所必要的特定电压电平只发生在所需的装置，而有助于上述的活动。在此种方式下，可在无须使用晶体管技术的情形下而以不同的资料或状态程序化一阵列的装置。本发明也可提供一种制造这类型的装置的极有效率的方法，而无须制造高成本的外部电压控制半导体装置。
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公开(公告)号：CN101171642A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200680015533.0
申请日：2006-05-26
申请人： 斯班逊有限公司
CPC分类号： G11C7/1051 , G11C7/106 , G11C13/0004 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/0076 , G11C2013/0085 , G11C2207/2245
摘要： 本发明公开了一终于编程和擦除电阻性存储装置阵列的电阻性存储装置(30)的本方法中，基于单一命令，提供高电流于编程和擦除功能，以仅编程和擦除其状态将从其先前状态改变的该存储装置(30)。
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