公开(公告)号：CN101803006B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN200880023742.9

申请日：2008-05-09

申请人： 斯班逊有限公司

发明人： S·A·帕里克

IPC分类号： H01L21/8242

CPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/28291 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792 ,  Y10S438/954

摘要： 本发明提供一种在半导体衬底上形成亚光刻(sub-lithographic)电荷储存组件之方法。此方法可包括：在半导体衬底上设置第一及第二层，而该第一层的厚度大于该第二层的厚度；形成邻接该第一层的侧面且位于该第二层的上表面的一部分上之间隔件；以及去除该第二层未被该间隔件覆盖的暴露部分。藉由去除该第二层的暴露部分同时留下该第二层由该间隔件保护的一部分，该方法可以从该半导体衬底上之该第二层的留存部分制造出亚光刻电荷储存组件。

公开(公告)号：CN101803006A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200880023742.9

申请日：2008-05-09

申请人： 斯班逊有限公司

发明人： S·A·帕里克

IPC分类号： H01L21/8242

CPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/28291 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792 ,  Y10S438/954

摘要： 本发明提供一种在半导体衬底上形成次微影(sub-lithographic)电荷储存组件之方法。此方法可包括：在半导体衬底上设置第一及第二层，而该第一层的厚度大于该第二层的厚度；形成邻接该第一层的侧面且位于该第二层的上表面的一部分上之间隔件；以及去除该第二层未被该间隔件覆盖的暴露部分。藉由去除该第二层的暴露部分同时留下该第二层由该间隔件保护的一部分，该方法可以从该半导体衬底上之该第二层的留存部分制造出次微影电荷储存组件。