公开(公告)号：CN103427408A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310186668.5

申请日：2013-05-20

申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司

发明人： 单毅 ,  赖大伟 ,  M·G·普拉布

IPC分类号： H02H9/04

CPC分类号： H01L23/60 ,  H01L27/0262 ,  H01L2924/0002 ,  H02H9/046 ,  Y10T29/49155 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及用于高电压应用的静电放电保护，所述静电放电模块包含耦合于第一源极以及第二源极间的静电释放电路。触发电路也包含于该静电释放模块中，其可激活该静电释放电路以提供于该第一及第二源极间的低电阻电流路径。该触发电路包含位于该第一源极以及该静电释放电路间或该第二源极以及主要静电释放电路间的反向二极管。该触发电路可提供用于激活该静电释放电路的低触发电压。

公开(公告)号：CN103427408B

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201310186668.5

申请日：2013-05-20

申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司

发明人： 单毅 ,  赖大伟 ,  M·G·普拉布

IPC分类号： H02H9/04

CPC分类号： H01L23/60 ,  H01L27/0262 ,  H01L2924/0002 ,  H02H9/046 ,  Y10T29/49155 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及用于高电压应用的静电放电保护，所述静电放电模块包含耦合于第一源极以及第二源极间的静电释放电路。触发电路也包含于该静电释放模块中，其可激活该静电释放电路以提供于该第一及第二源极间的低电阻电流路径。该触发电路包含位于该第一源极以及该静电释放电路间或该第二源极以及主要静电释放电路间的反向二极管。该触发电路可提供用于激活该静电释放电路的低触发电压。

公开(公告)号：CN104183595B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201310189992.2

申请日：2013-05-21

申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司

发明人： M·G·普拉布 ,  M·I·纳塔拉延 ,  赖大伟 ,  单毅

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L29/78 ,  H01L21/77

摘要： 本发明揭露一种栅极介电层保护，其利用耦接栅极介电层保护电路至风险晶体管而实现栅极介电层的保护。启动该保护电路以将该栅极介电层两端的电压VDIFF降至低于其击穿电压VBD。当侦测到静电放电事件时启动该保护电路。该保护电路提供保护或静电放电偏置以将VDIFF降至低于VBD。

公开(公告)号：CN104183595A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201310189992.2

申请日：2013-05-21

申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司

发明人： M·G·普拉布 ,  M·I·纳塔拉延 ,  赖大伟 ,  单毅

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L29/78 ,  H01L21/77

摘要： 本发明揭露一种栅极介电层保护，其利用耦接栅极介电层保护电路至风险晶体管而实现栅极介电层的保护。启动该保护电路以将该栅极介电层两端的电压VDIFF降至低于其击穿电压VBD。当侦测到静电放电事件时启动该保护电路。该保护电路提供保护或静电放电偏置以将VDIFF降至低于VBD。