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公开(公告)号：CN107394037A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710239774.3
申请日：2017-04-13
申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
发明人： 夏佳杰 , M·普拉布哈钱德兰·奈尔 , Z·斯比阿 , R·P·耶勒汉卡 , R·库马尔
IPC分类号： H01L41/083 , H01L41/27 , B81B7/02
摘要： 本发明涉及压电微机电系统，为一种在通过介电层分离的衬底上包括压电堆栈的微机电系统(MEMS)装置。压电堆栈包括第一压电层与第二压电层，其具有位在第一压电层与接触垫下面的第一电极、以及位在第一压电层与第二压电层间的第二电极。第一接触穿过压电层与接触垫延展至第一电极，而第二接触穿过第二压电层延展至第二电极。接触垫防止接触开口中的第一压电层与第二压电层间形成接口，从而防止压电层在接触形成过程中遭受侵蚀。
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公开(公告)号：CN107416757B
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201710295681.2
申请日：2017-04-28
申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
发明人： H·坎帕内拉-皮内达 , R·库马尔 , Z·斯比阿 , N·兰加纳坦 , R·P·耶勒汉卡
CPC分类号： B81B7/0064 , B81B7/0022 , H01L23/522
摘要： 提供具有屏蔽微机电系统(MEMS)装置的集成电路及用于制造屏蔽MEMS装置的方法。在一实施例中，具有屏蔽MEMS装置的集成电路包括：基板；在该基板上方包括导电材料的接地平面；以及在该接地平面上方的介电层。该集成电路更包括在该接地平面上方的MEMS装置。再者，该集成电路包括穿过该介电层且与该接地平面接触的导电柱。该集成电路包括在该MEMS装置上方且与该导电柱接触的金属薄膜，其中该金属薄膜、该导电柱及该接地平面形成包围该MEMS装置的电磁屏蔽结构。此外，该集成电路包括在该基板上方且毗邻该电磁屏蔽结构的声学屏蔽结构。
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公开(公告)号：CN107416757A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710295681.2
申请日：2017-04-28
申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
CPC分类号： B81B7/0064 , B81B7/0022 , H01L23/522 , B81B7/0077 , B81B7/02
摘要： 提供具有屏蔽微机电系统(MEMS)装置的集成电路及用于制造屏蔽MEMS装置的方法。在一实施例中，具有屏蔽MEMS装置的集成电路包括：基板；在该基板上方包括导电材料的接地平面；以及在该接地平面上方的介电层。该集成电路更包括在该接地平面上方的MEMS装置。再者，该集成电路包括穿过该介电层且与该接地平面接触的导电柱。该集成电路包括在该MEMS装置上方且与该导电柱接触的金属薄膜，其中该金属薄膜、该导电柱及该接地平面形成包围该MEMS装置的电磁屏蔽结构。此外，该集成电路包括在该基板上方且毗邻该电磁屏蔽结构的声学屏蔽结构。
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