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公开(公告)号：CN117872578A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410054112.9
申请日：2024-01-12
申请人： 新启航半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种超景深显微镜，包括顶架、显微镜主体、载板和支撑组件，顶架处于固定状态，顶架上竖向分布有载台和顶板，显微镜主体位于载台上方，显微镜主体可连续调整变换观测倍率，且显微镜主体通过连杆组件与顶板活动连接，载板用于放置物体受显微镜主体观测，载板上设置有两组带体，两组带体形成一固定物体的开口，支撑组件与载板连接，用于承载载板并调整载板位置；本发明载板进行角度调整，对固定放置在载板上的物体进行倾角变换，再配合显微镜主体周向移动调整，对物体表面特征进行全面观测，根据观测需要调整载板时灯条同步移动，对载板上放置的物体进行照明，避免出现阴影影响观测效果。
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公开(公告)号：CN116207614A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211608043.9
申请日：2022-12-14
申请人： 中山大学 , 新启航半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种强耦合电注入GaN基半导体拓扑微腔polariton激光芯片，包括两个第一n型电极、第一n‑GaN二维拓扑光子晶体、n‑InGaN层、InGaN量子阱有源层、p‑InGaN层、p‑AlGaN阻拦层、p‑GaN注入层、n+‑GaN层、第二n型电极、两个绝缘有机物；两个所述的绝缘有机物呈水平设置，所述的n‑InGaN层、InGaN量子阱有源层、p‑InGaN层、p‑AlGaN阻拦层、p‑GaN注入层、n+‑GaN层由下到上依次叠加设置，均位于两个所述的绝缘有机物之间，且与绝缘有机物连接；两个绝缘有机物均设置在所述的第一n‑GaN二维拓扑光子晶体的顶部，且所述的第一n‑GaN二维拓扑光子晶体的顶部还与n‑InGaN层的底部连接；所述的第一n型电极设置在第一n‑GaN二维拓扑光子晶体的顶部，且位于绝缘有机物的正下方；所述的第二n型电极的底部同时与绝缘有机物的顶部、n+‑GaN层的顶部连接。
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公开(公告)号：CN116190466A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211595633.2
申请日：2022-12-13
申请人： 中山大学 , 新启航半导体有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/105 , H01L31/028
摘要： 本发明公开了一种高性能自供电金刚石基异质结日盲探测器，包括由下至上依次包括金刚石单晶衬底、p型金刚石薄膜、Ga极性调控层、本征i‑Ga2O3光吸收层、δ调制掺杂层、AlO介电层和顶部叉指状电极；所述的金刚石单晶衬底的横截面长度与p型金刚石薄膜的横截面长度一致；所述的Ga极性调控层、本征i‑Ga2O3光吸收层、δ调制掺杂层、AlO介电层的横截面长度均相同；且所述的Ga极性调控层的横截面长度小于p型金刚石薄膜的横截面长度；所述的Ga极性调控层、本征i‑Ga2O3光吸收层、δ调制掺杂层、AlO介电层设置在p型金刚石薄膜的中间位置；在p型金刚石薄膜上设有两个p型金刚石薄膜；所述的p型金刚石薄膜位于Ga极性调控层的两侧；所述的顶部叉指状电极镶嵌在AlO介电层的内部；所述的δ调制掺杂层采用周期性δ型调制掺杂技术进行n型Ga2O3掺杂，获得高浓度载流子。
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公开(公告)号：CN118033886A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202311873773.6
申请日：2023-12-29
申请人： 新启航半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种激光共聚焦显微镜，包括显微镜主体、载板、顶板、定样组件和动力组件，显微镜主体上设置有向下延伸的帘板，载板位于显微镜主体的下方，并与帘板固接，顶板配置在载板上，用于承载载玻片使样品受显微镜主体观测，定样组件包括设置在载板上的至少一组导杆，导杆上穿设有两组活动块，动力组件与顶板连接，用于驱动顶板向上运动至不同高度处，使显微镜主体可观测样品不同层面的图像，且在顶板运动至最高位置处后直接向下回落；本发明实现对载玻片和载玻片上样品双重固定，使样品不会与顶板发生移位，或从载玻片上支撑范围内移出，动力组件驱动顶板竖向运动时，带动定样组件同步移动，实现样品保持固定受显微镜主体观测。
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公开(公告)号：CN117761882A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311874045.7
申请日：2023-12-30
申请人： 新启航半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种三维立体成像显微镜，包括基台、镜头组件、料板、和调整组件，镜头组件包括固接在基台上的立架，立架上转动连接有活动杆，活动杆螺接有移块，移块连接有镜头环，镜头环上安装有三维镜头，料板用于放置物体受三维镜头观测，且料板上配置有限位组件，限位组件可接触物体表面将其固定在料板上，调整组件包括与料板连接的托柱，托柱可移动带动料板偏转至不同位置；本发明可实时观测物料的表面特征信息并进行反馈调整，提高了观测物料角度的调整效率，可对物料多个不同倾角的槽内特征起到有效的三维立体观测并记录。
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公开(公告)号：CN116190452A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211595631.3
申请日：2022-12-13
申请人： 中山大学 , 新启航半导体有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/10
摘要： 本发明公开了一种氧化镓基调制掺杂高迁移率顶栅晶体管，包括衬底、半导体InGaZnO合金能带、IGZO调制掺杂沟道、复合氧化物栅极、栅极、源极、漏极、绝缘层；所述的衬底、半导体InGaZnO合金能带、IGZO调制掺杂沟道由下到上依次设置；所述的复合氧化物栅极、栅极设置在IGZO调制掺杂沟道的顶部，且位于中间位置；所述的绝缘层设置IGZO调制掺杂沟道的顶部，且覆盖所述的复合氧化物栅极、栅极；所述的栅极的顶部设有延伸出复合氧化物栅极的栅极接触电极；所述的漏极、源极分别设置在复合氧化物栅极的两侧，且均镶嵌在绝缘层中；所述的漏极、源极的底部均与IGZO调制掺杂沟道的顶部连接；所述的漏极、源极的顶部延伸出绝缘层。本发明具有迁移率高、寄生电容小的优势，有效提升高清薄膜晶体管芯片的工作性能。
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公开(公告)号：CN118550112A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410996880.6
申请日：2024-07-24
申请人： 新启航半导体有限公司
IPC分类号： G02F1/13 , G03B13/36 , B23K26/352 , B23K26/04
摘要： 本发明公开了一种大规模GOA液晶线路修复方法，具体包括以下步骤：S1、提供液晶面板固定放置，通过工业相机捕获液晶面板的图像；S2、将工业相机移动到指定的起始加工点，记录加工点加工坐标为P1，再将工业相机移动到指定的终止加工点，并记录加工点加工坐标为P2；S3、根据液晶面板GOA线路数量设置加工点数，图像处理单元以捕获液晶面板的图像进行特征位置的识别和定位分析，以起始加工点P1、终止加工点P2计算出最佳加工线路；S4、运动控制模块带动工业相机和激光加工模块沿加工线路间歇移动，工业相机采集到的放大线路图像在显示器上显示，激光加工模块激发能量修复加工线路上的故障点；实现了高精度的定位与补偿。
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公开(公告)号：CN118315934A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410329663.1
申请日：2024-03-21
申请人： 新启航半导体有限公司
IPC分类号： H01S5/40 , H01S5/022 , H01S5/024 , H01S3/0941 , H01S5/02315
摘要： 本发明公开了一种激光泵浦源，包括围壳、激光模组、散热组件和隔离组件，围壳内具有工作区和维护区，激光模组通过托体组件安装在围壳内，托体组件用于将激光模组在工作区和维护区之间调整，散热组件包括分布在工作区内的架体，架体上设置有多根冷却管，多根冷却管与基板存在一竖向间隙，隔离组件与基板连接，在激光模组工作时通过基板传导热量后推动架体竖向移动，使竖向间隙消失后多根冷却管接触基板；进行维护操作时激光模组在维护区内远离工作区内的散热组件，不会受到冷却液体的影响和干涉，一方面便于进行维护操作，另一方面与散热组件相隔离后避免出现液体泄漏造成维护区内的电器元件损坏。
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公开(公告)号：CN117877999A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311799814.1
申请日：2023-12-25
申请人： 新启航半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/67 , G01R31/26
摘要： 本发明公开了一种晶圆测试三维台及晶圆测试方法，晶圆测试三维台包括台板、衬架、动力机构和活动机构，台板位于探针下方，台板上划分有探针运动可覆盖的检测区和非可覆盖的调整区，衬架位于调整区内，衬架上配置有滑板和吸附组件，滑板通过移位组件与衬架活动连接，并可与衬架相垂直，动力机构连接衬架，用于驱动衬架在竖直状态和水平状态之间转换，并在衬架处于水平状态时可进行横向摆动，活动机构包括设置在衬架上的第一伸缩源和压辊，第一伸缩源活动杆伸出，使滑板经过压辊压接后与水平状态的衬架相平齐，并推动滑板从调整区向检测区内运动；本发明通过划分的检测区和调整区将测试位置和取放位置分离开来，并实现对大尺寸晶圆的覆盖检测。
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公开(公告)号：CN118315934B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410329663.1
申请日：2024-03-21
申请人： 新启航半导体有限公司
IPC分类号： H01S5/40 , H01S5/022 , H01S5/024 , H01S3/0941 , H01S5/02315
摘要： 本发明公开了一种激光泵浦源，包括围壳、激光模组、散热组件和隔离组件，围壳内具有工作区和维护区，激光模组通过托体组件安装在围壳内，托体组件用于将激光模组在工作区和维护区之间调整，散热组件包括分布在工作区内的架体，架体上设置有多根冷却管，多根冷却管与基板存在一竖向间隙，隔离组件与基板连接，在激光模组工作时通过基板传导热量后推动架体竖向移动，使竖向间隙消失后多根冷却管接触基板；进行维护操作时激光模组在维护区内远离工作区内的散热组件，不会受到冷却液体的影响和干涉，一方面便于进行维护操作，另一方面与散热组件相隔离后避免出现液体泄漏造成维护区内的电器元件损坏。
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