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公开(公告)号：CN1236190A
公开(公告)日：1999-11-24
申请号：CN99105386.9
申请日：1999-04-28
申请人： 新日本无线株式会社
IPC分类号： H01L29/861 , H01L21/328 , H01L21/50 , H01P7/00
CPC分类号： H01L47/026 , H01L2224/48091 , H01L2224/73257 , H03B7/14 , H03B9/14 , H03B9/147 , H01L2924/00014
摘要： 在半导体基板上依次层叠有第1半导体层、活化层和第2半导体层的耿氏二极管,具有设于第2半导体层上的对活化层施加电压用的第1、第2电极、从该第1电极周围向着第2半导体层和活化层切入并将与第1电极连接的第2半导体层和活化层作为起耿氏二极管作用的区域划分出来的凹部。因为起耿氏二极管作用的区域划定是通过将形成于该区域上部的电极层作为掩模的自配合的干法刻蚀进行的,故能减少其特性差异。并公开了其制造方法和安装结构及NRD波导耿氏振荡器。
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公开(公告)号：CN100511750C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200610068178.5
申请日：1999-04-28
申请人： 新日本无线株式会社
摘要： 在半导体基板上依次层叠有第1半导体层、活化层和第2半导体层的耿氏二极管，具有设于第2半导体层上的对活化层施加电压用的第1、第2电极、从该第1电极周围向着第2半导体层和活化层切入并将与第1电极连接的第2半导体层和活化层作为起耿氏二极管作用的区域划分出来的凹部。因为起耿氏二极管作用的区域划定是通过将形成于该区域上部的电极层作为掩模的自配合的干法刻蚀进行的，故能减少其特性差异。并公开了其制造方法和安装结构及NRD波导耿氏振荡器。
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公开(公告)号：CN100364111C
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN99105386.9
申请日：1999-04-28
申请人： 新日本无线株式会社
IPC分类号： H01L29/861 , H01L21/328 , H01L21/50 , H01P7/00
CPC分类号： H01L47/026 , H01L2224/48091 , H01L2224/73257 , H03B7/14 , H03B9/14 , H03B9/147 , H01L2924/00014
摘要： 在半导体基板上依次层叠有第1半导体层、活化层和第2半导体层的耿氏二极管，具有设于第2半导体层上的对活化层施加电压用的第1、第2电极、从该第1电极周围向着第2半导体层和活化层切人并将与第1电极连接的第2半导体层和活化层作为起耿氏二极管作用的区域划分出来的凹部。因为起耿氏二极管作用的区域划定是通过将形成于该区域上部的电极层作为掩模的自配合的干法刻蚀进行的，故能减少其特性差异。并公开了其制造方法和安装结构及NRD波导耿氏振荡器。
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公开(公告)号：CN1855616A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610068178.5
申请日：1999-04-28
申请人： 新日本无线株式会社
摘要： 在半导体基板上依次层叠有第1半导体层、活化层和第2半导体层的耿氏二极管，具有设于第2半导体层上的对活化层施加电压用的第1、第2电极、从该第1电极周围向着第2半导体层和活化层切入并将与第1电极连接的第2半导体层和活化层作为起耿氏二极管作用的区域划分出来的凹部。因为起耿氏二极管作用的区域划定是通过将形成于该区域上部的电极层作为掩模的自配合的干法刻蚀进行的，故能减少其特性差异。并公开了其制造方法和安装结构及NRD波导耿氏振荡器。
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公开(公告)号：CN1278398C
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200410001622.2
申请日：1999-04-28
申请人： 新日本无线株式会社
IPC分类号： H01L21/328 , H01L29/861 , H01P7/00
CPC分类号： H01L47/026 , H01L2224/48091 , H01L2224/73257 , H03B7/14 , H03B9/14 , H03B9/147 , H01L2924/00014
摘要： 在半导体基板上依次层叠有第1半导体层、活化层和第2半导体层的耿氏二极管，具有设于第2半导体层上的对活化层施加电压用的第1、第2电极、从该第1电极周围向着第2半导体层和活化层切入并将与第1电极连接的第2半导体层和活化层作为起耿氏二极管作用的区域划分出来的凹部。因为起耿氏二极管作用的区域划定是通过将形成于该区域上部的电极层作为掩模的自配合的干法刻蚀进行的，故能减少其特性差异。并公开了其制造方法和安装结构及NRD波导耿氏振荡器。
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公开(公告)号：CN1529348A
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN200410001622.2
申请日：1999-04-28
申请人： 新日本无线株式会社
IPC分类号： H01L21/328 , H01L29/861 , H01P7/00
CPC分类号： H01L47/026 , H01L2224/48091 , H01L2224/73257 , H03B7/14 , H03B9/14 , H03B9/147 , H01L2924/00014
摘要： 在半导体基板上依次层叠有第1半导体层、活化层和第2半导体层的耿氏二极管，具有设于第2半导体层上的对活化层施加电压用的第1、第2电极、从该第1电极周围向着第2半导体层和活化层切入并将与第1电极连接的第2半导体层和活化层作为起耿氏二极管作用的区域划分出来的凹部。因为起耿氏二极管作用的区域划定是通过将形成于该区域上部的电极层作为掩模的自配合的干法刻蚀进行的，故能减少其特性差异。并公开了其制造方法和安装结构及NRD波导耿氏振荡器。
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