多晶硅生产监测方法、装置、电子设备及可读存储介质

    公开(公告)号:CN116776733A

    公开(公告)日:2023-09-19

    申请号:CN202310754967.8

    申请日:2023-06-25

    IPC分类号: G06F30/27 G06F18/2135

    摘要: 本发明提供一种多晶硅生产监测方法、装置、电子设备及可读存储介质,涉及数据处理技术领域,该方法包括:获取目标参数的样本值和响应参数的样本值;将响应参数的样本值输入至的关联模型中,得到解析参数的样本值;基于相对误差模型,对多晶硅生产设备及其上下游工艺的解析参数的样本值和对应的目标参数的样本值进行处理,得到多晶硅生产设备及其上下游设备的设定误差阈值;基于稳健马氏距离模型,对多晶硅生产设备及其上下游工艺的目标参数的样本值和对应的响应参数的样本值进行处理,得到多晶硅生产设备及其上下游设备的设定马氏距离阈值;根据设定误差阈值和设定马氏距离阈值,对目标参数和响应参数进行实时监测。本发明能提高生产的稳定性。

    一种多晶硅生产控制方法、装置、服务器及存储介质

    公开(公告)号:CN116768215A

    公开(公告)日:2023-09-19

    申请号:CN202310741553.1

    申请日:2023-06-21

    IPC分类号: C01B33/021

    摘要: 本申请提供了一种多晶硅生产控制方法、装置、服务器及存储介质,应用于设备健康管理,其中,方法包括:对关于多晶硅设备及其上下游工艺的历史参数样本进行动态主成分分析,得到动态主成分分析模型,包括动态主成分分析方程以及各主成分参数的霍特林统计量检验值和SPE检验值;根据参数波动最小时的公共时间段内各主成分参数对应的平均值以及动态主成分分析方程,得到多晶硅设备与其上下游工艺耦合的历史耦合模型;且根据动态主成分分析模型,得到基于多元线性回归的第一耦合模型以及基于主成分分析和多元线性回归的第二耦合模型;根据通过有效性校验后的目标耦合模型,对多晶硅设备的设备参数和/或多晶硅设备的上下游工艺的工艺参数进行控制。

    多晶硅破碎筛分机
    3.
    实用新型

    公开(公告)号:CN220143631U

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202321562076.4

    申请日:2023-06-19

    摘要: 本实用新型公开一种多晶硅破碎筛分机,包括:机体,机体设有破碎腔与分离腔,破碎腔的底部与分离腔连通;破碎装置的至少部分设置于破碎腔中;筛分体设置于分离腔,筛分体与分离腔的侧壁间隔设置,筛分体具有两端贯穿的筛分腔,筛分腔的上开口设置于破碎腔的底部且与破碎腔的底部连通;搅拌板设于筛分腔,驱动结构用于驱动搅拌板转动;支撑座上设有沿支撑座的高度方向贯穿的粗料腔,且分离腔的底壁与粗料腔对应的区域设有粗料出口,粗料出口与粗料腔连通,筛分体设置于支撑座的顶部,粗料腔与筛分腔连通;分离腔的底壁上设有与分离腔连通的细料出口。避免原料在不同设备间转移过程中的暴露风险,避免污染,提高多晶硅的质量。