一种硅棒监控方法、装置及相关设备

    公开(公告)号:CN115761628A

    公开(公告)日:2023-03-07

    申请号:CN202211425939.3

    申请日:2022-11-14

    Abstract: 本申请提供一种硅棒监控方法、装置及相关设备,其中,所述方法包括:获取待检测硅棒的第一监控图像;对第一监控图像进行图像分析,确定第一监控图像中黑斑区域的数目参数和第一监控图像中黑斑区域的面积参数;在数目参数大于或等于第一阈值,和/或,面积参数大于或等于第二阈值的情况下,生成警告信息。通过获取待检测硅棒的第一监控图像,提取第一监控图像中所报考黑斑区域的数目参数和面积参数,并在所述数目参数和/或面积参数指示待检测硅棒中黑斑占比过大的情况下,生成警告信息的自动化监控方式,以替代人工巡检的监控方式,避免人为因素的干扰,减少错判异常硅棒或漏判异常硅棒等情况的出现概率,提升对硅棒生长状况的监控效果。

    还原车间内还原炉的检测方法及相关设备

    公开(公告)号:CN115901779A

    公开(公告)日:2023-04-04

    申请号:CN202211425940.6

    申请日:2022-11-14

    Abstract: 本申请实施例提供的一种还原车间内还原炉的检测方法及相关设备。通过获取还原炉内的第一图像信息,第一图像信息包括第一图像;对第一图像进行二值化和连通域处理得到第二图像;将第二图像与基准图像信息中的第一基准图像进行比对,确定还原炉内的硅棒是否出现目标异常信息;当硅棒出现目标异常信息时,向管理控制平台发送第一提示信息。这样,自动识别还原炉内硅棒的生长情况,从而不需要人工对多个还原炉内硅棒的生长情况逐一识别,提高了识别硅棒生长情况出现异常的及时性;自动识别还原炉内硅棒的生长情况,避免了主观因素影响,提高了识别硅棒生长情况出现异常的准确性。

    一种雾化监测方法、装置及相关设备

    公开(公告)号:CN115830345A

    公开(公告)日:2023-03-21

    申请号:CN202211419308.0

    申请日:2022-11-14

    Abstract: 本申请提供一种雾化监测方法、装置及相关设备,其中,所述方法包括:在目标反应炉的硅粉含量的增幅速率大于或等于增速阈值的情况下,生成雾化预警信息;根据雾化预警信息,获取目标反应炉当前的监测图像;在监测图像与基准图像之间的相似度小于第一相似阈值的情况下,输出雾化警示信息,基准图像为目标反应炉内无雾化的状态下采集的图像。在所述增幅速率大于或等于增速阈值的情况下,初步判定目标反应炉内存在雾化状况的概率较大,此时采集当前时刻的监测图像,通过比较监测图像和基准图像之间的图像相似度,以最终确定目标反应炉在当前时刻是否存在雾化状况,这能规避人为因素的干扰,提升目标反应炉在雾化监测方面所获得的监控效果。

    硅棒的外观检测方法及相关设备
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115690076A

    公开(公告)日:2023-02-03

    申请号:CN202211425155.0

    申请日:2022-11-14

    Abstract: 本申请提供一种硅棒的外观检测方法及相关设备,通过获取硅棒当前的第一图像信息,第一图像信息包括第一图像;通过最大类间方差法获取第一图像的最优二值化阈值;根据最优的二值化阈值,对第一图像进行二值化处理,得到二值图像,二值图像可表征硅棒当前的菜花比例;将二值图像与目标基准图像进行比对,确定硅棒当前的菜花比例是否达标,其中目标基准图像为二值图像中硅棒所处的生长阶段对应的基准图像。这样,实现自动化检测硅棒生长,替代人工检测硅棒的生长,自动化检测可以根据还原炉的数量设置相应数量的检测装置,从而达到在硅棒生长出现菜花时被及时检测到的有益效果。

    一种硅棒监测方法、装置及相关设备

    公开(公告)号:CN116109554A

    公开(公告)日:2023-05-12

    申请号:CN202211425951.4

    申请日:2022-11-14

    Abstract: 本申请提供一种硅棒监测方法、装置及相关设备,其中,所述方法包括:获取目标硅棒组在当前时段的第一监测图像,所述目标硅棒组包括相邻设置的第一硅棒和第二硅棒;对所述第一监测图像进行图像分析,获得第一间距,其中,所述第一间距用于表征当前时段内所述第一硅棒和所述第二硅棒之间的间距;根据所述第一间距和初始间距,确定目标参数,其中,所述初始间距用于表征初始时段内所述第一硅棒和所述第二硅棒之间的间距。通过对第一监测图像进行图像分析,获得当前时段第一硅棒和第二硅棒在第一监测图像内的第一间距,并比较初始间距和第一间距之间的差异,以确定目标参数的自动化监测方式,替代人工目视的监测方式,提升对硅棒直径的监测效果。

    一种多晶硅异常监测方法、装置及相关设备

    公开(公告)号:CN115619772A

    公开(公告)日:2023-01-17

    申请号:CN202211425075.5

    申请日:2022-11-14

    Abstract: 本申请提供一种多晶硅异常监测方法、装置及相关设备,其中,所述方法包括:获取第一监控图像,其中,所述第一监控图像包括第一位置的图像,所述第一位置为反应炉内用于放置硅棒的位置;对所述第一监控图像进行图像分析,获得多个候选点;将所述多个候选点中对应的像素坐标位于预设区间内的像素点确定为异常点,其中,所述预设区间用于指示第一位置,所述异常点用于指示硅棒亮点;在所述第一监控图像上标记所述异常点。先通过图像分析的方式,从第一监控图像中获取像素值异常的多个候选点;再通过坐标匹配的方式,将位于预设区间的候选点确定为异常点,以替代人工巡检的监控方式,提升对硅棒亮点的监测效果。

    修磨装置
    7.
    实用新型

    公开(公告)号:CN218169823U

    公开(公告)日:2022-12-30

    申请号:CN202222418811.6

    申请日:2022-09-13

    Abstract: 本实用新型公开了一种修磨装置,包括:机座;驱动机构可驱动刀具转动;夹持机构设置于机座,夹持机构包括具有第一螺孔的第一支撑板、具有第二螺孔的第二支撑板、第一螺杆、第二螺杆,第一支撑板与第二支撑板间隔设置,第一螺杆的一端穿设在第一螺孔中,第二螺杆的一端穿设在第二螺孔中;第一螺杆的一端的端部设有第一夹持部,第二螺杆的一端的端部设有第二夹持部,旋转第一螺杆与第二螺杆中的至少一个,第一夹持部与第二夹持部相互靠近或远离;吸尘装置包括吸尘筒,吸尘筒的吸入口邻近刀具设置。通过夹持部可以夹持修整的电极头,通过刀具修整电极头,吸尘筒吸收产生的碎屑,修整效率高,修整效果一致性好,不需要清扫碎屑。

    一种尾气排放结构和还原炉

    公开(公告)号:CN113375058B

    公开(公告)日:2023-12-01

    申请号:CN202110661123.X

    申请日:2021-06-15

    Abstract: 本申请公开了一种尾气排放结构和还原炉,尾气排放结构包括:多个尾气支管;每个尾气支管的第一端与汇合管连通,多个尾气支管的第一端沿汇合管的周向间隔设置;汇集管的第一端与汇合管连通;汇集管的第二端与尾气母管的一端连通。尾气排放结构可应用在还原炉中,尾气支管的第二端可以与还原炉的底部的排气孔连通,还原炉中的尾气通过排气孔进入尾气支管中,尾气支管中的气体进入汇合管中后在汇合管中可以进行平衡,使得汇合管中的气体的压力流量更均匀稳定,汇合管中均匀稳定的气体稳定地流入汇集管,经过汇集管后从尾气母管排出,使得尾气的排出更均匀稳定,使得还原炉内的压力、流场、温度场稳定,提高多晶硅的生产质量。

    多晶硅生产过程中废气的回收方法

    公开(公告)号:CN111036029A

    公开(公告)日:2020-04-21

    申请号:CN201811196199.4

    申请日:2018-10-15

    Abstract: 本发明公开了一种多晶硅生产过程中废气的回收方法,该方法使用吸附装置对废气进行回收,吸附装置包括吸附柱,包括以下步骤:1)将多晶硅生产过程中的废气通入吸附装置的吸附柱,吸附柱内装填有吸附剂,通过吸附剂吸附废气中的氯硅烷、硼、磷、金属氯化物;2)将吸附柱进行分段解析,先解析出吸附的氯硅烷,再解析出吸附的其余杂质。本发明中的回收方法通过分段解析将吸附柱吸附的杂质进行分离,将吸附柱吸附的氯硅烷与其余的杂质分离开,这样可以充分有效的回收利用氯硅烷,而且能够去除氯硅烷中的大量杂质,提高氯硅烷的纯度,且该回收方法回收效率高,能耗低,并且可以通过选择性回收,降低回收氯硅烷中的杂质含量,提高原料和产品的品质。

    一种氯硅烷在线检测装置及方法

    公开(公告)号:CN114184709B

    公开(公告)日:2024-01-26

    申请号:CN202111582920.5

    申请日:2021-12-22

    Abstract: 本发明公开一种氯硅烷在线检测装置以及使用该氯硅烷在线检测装置的检测氯硅烷中二氯二氢硅的方法,氯硅烷在线检测装置包括进料单元与检测单元,进料单元包括样品管道、第一管道、第一连通阀、第二连通阀,样品管道的输入端与氯硅烷的工艺管线连通,样品管道的输出端接入第一连通阀的第一接口,第一管道的两端分别接入第一连通阀的第二接口和第二连通阀的第二接口,检测单元包括第二管道、色谱检测阀、闪蒸箱,第二管道的输入端接入第二连通阀的第一接口,闪蒸箱设于第二管道上,色谱检测阀设于第二管道上并处于闪蒸箱的下游,用于对汽化后的氯硅烷样品进行检测。该氯硅烷在线检测装置能够实时在线检测氯硅烷样品。

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