一种雾化检测方法、装置及相关设备

    公开(公告)号:CN115718003A

    公开(公告)日:2023-02-28

    申请号:CN202211425073.6

    申请日:2022-11-14

    Abstract: 本申请提供一种雾化检测方法、装置及相关设备,其中,所述方法包括:对目标反应炉内的参照设备在当前时刻发出的基准光信号进行检测,得到检测信号数据;根据所述检测信号数据与所述基准光信号对应的基准信号数据之间的差异,确定光衰参数,其中,所述光衰参数用于表征所述基准光信号的光能量衰减幅度;在所述光衰参数大于或等于光衰阈值的情况下,根据所述光衰参数和预设置的转换系数,确定调整参数;根据所述调整参数,对所述目标反应炉的输入原料的输入量进行调整。相较于人工巡检的方式来说,应用上述自动化检测雾化状况并处置的方式,可规避人为因素的干扰,提升目标反应炉在雾化监控方面所获得的检测效果。

    一种硅棒监控方法、装置及相关设备

    公开(公告)号:CN115761628A

    公开(公告)日:2023-03-07

    申请号:CN202211425939.3

    申请日:2022-11-14

    Abstract: 本申请提供一种硅棒监控方法、装置及相关设备,其中,所述方法包括:获取待检测硅棒的第一监控图像;对第一监控图像进行图像分析,确定第一监控图像中黑斑区域的数目参数和第一监控图像中黑斑区域的面积参数;在数目参数大于或等于第一阈值,和/或,面积参数大于或等于第二阈值的情况下,生成警告信息。通过获取待检测硅棒的第一监控图像,提取第一监控图像中所报考黑斑区域的数目参数和面积参数,并在所述数目参数和/或面积参数指示待检测硅棒中黑斑占比过大的情况下,生成警告信息的自动化监控方式,以替代人工巡检的监控方式,避免人为因素的干扰,减少错判异常硅棒或漏判异常硅棒等情况的出现概率,提升对硅棒生长状况的监控效果。

    一种还原炉生产过程的控制方法和控制装置

    公开(公告)号:CN116880377A

    公开(公告)日:2023-10-13

    申请号:CN202310742606.1

    申请日:2023-06-20

    Abstract: 本发明公开一种还原炉生产过程的控制方法和控制装置,该控制方法,包括:获取还原炉的雾化累计值和六相电流值。获取所述还原炉的TCS实时流量、氢气实时流量和实时电流。根据所述雾化累计值和所述六相电流值,判断所述还原炉是否存在异常状态。根据所述异常状态的判定结果和所述TCS实时流量、所述氢气实时流量和所述实时电流,对所述还原炉进行控制。本方法通过判断还原炉是否存在异常状态,并根据异常状态对TCS实时流量、氢气实时流量和实时电流的进行及时修正,能够实现对还原炉生产过程中TCS流量、氢气流量和电流的精确控制,进而能够统一产品标准,提高产品品质。

    一种多晶硅生产系统及方法

    公开(公告)号:CN105253889A

    公开(公告)日:2016-01-20

    申请号:CN201410342757.9

    申请日:2014-07-17

    CPC classification number: Y02P20/124

    Abstract: 本发明提供一种多晶硅生产系统及方法,该系统包括还原炉和尾气换热器,还原炉与尾气换热器通过第一尾气管线相连,尾气输出管线与尾气换热器相连,该系统还包括第二尾气管线,第二尾气管线分别与第一尾气管线和尾气输出管线相连;第二尾气管线能够分流第一尾气管线内的尾气,且能够使第二尾气管线内的尾气不与物料进行换热,可降低第一尾气管线内尾气的温度,也相应减少尾气换热器的热源,从而降低物料输送管线内混合气的进料温度,消除第一尾气管线和物料输送管线高温运行的安全隐患,抑制雾化效应,提高多晶硅产品质量,无需通过降料、降低电流来控制尾气温度,可以提高多晶硅沉积速度,从而提高生产效率、节能降耗、降低生产成本。

    一种多晶硅生长控制方法

    公开(公告)号:CN114545865B

    公开(公告)日:2024-01-30

    申请号:CN202011336534.3

    申请日:2020-11-25

    Abstract: 本发明公开一种多晶硅生长控制方法,包括:建立快速熔断控制曲线,并写入DCS系统;通过建立数学模型,获取U‑I标准曲线,并写入DCS系统;制定基准供料表并设定在DCS系统上,在生产过程中基于DCS系统采集还原炉运行电流和电压的实时数据,并得到U‑I实时曲线;将U‑I实时曲线和U‑I标准曲线进行对比,并根据U‑I实时曲线中的实际电压和U‑I标准曲线中的标准电压的对比结果对制定的所述基准供料表中的参数进行修正,以使在实际电流达到标准电流时的实际电压达到标准电压,得到最终控制曲线和按所述最终控制曲线生产得到的品质均匀的多晶硅产品。本发明可避免还原炉运行超负荷导致的电气故障,获得品质均匀的多晶硅产品。

    一种多晶硅生长控制方法

    公开(公告)号:CN114545865A

    公开(公告)日:2022-05-27

    申请号:CN202011336534.3

    申请日:2020-11-25

    Abstract: 本发明公开一种多晶硅生长控制方法,包括:建立快速熔断控制曲线,并写入DCS系统;通过建立数学模型,获取U‑I标准曲线,并写入DCS系统;制定基准供料表并设定在DCS系统上,在生产过程中基于DCS系统采集还原炉运行电流和电压的实时数据,并得到U‑I实时曲线;将U‑I实时曲线和U‑I标准曲线进行对比,并根据U‑I实时曲线中的实际电压和U‑I标准曲线中的标准电压的对比结果对制定的所述基准供料表中的参数进行修正,以使在实际电流达到标准电流时的实际电压达到标准电压,得到最终控制曲线和按所述最终控制曲线生产得到的品质均匀的多晶硅产品。本发明可避免还原炉运行超负荷导致的电气故障,获得品质均匀的多晶硅产品。

    生产多晶硅的控制方法及控制系统

    公开(公告)号:CN115092931B

    公开(公告)日:2023-10-27

    申请号:CN202210759614.2

    申请日:2022-06-29

    Abstract: 本发明公开了一种新型的生产多晶硅的控制方法及控制系统,该方法包括以下步骤:将三氯氢硅原料、氢气通入还原炉内,进行氢还原反应,生成多晶硅,三氯氢硅原料为含有二氯二氢硅、四氯化硅的三氯氢硅原料,其中,在硅棒的不同预设的生长阶段,向还原炉内通入具有不同预设含量二氯二氢硅、四氯化硅的三氯氢硅原料,控制硅棒上的多晶硅沉积速度、雾化现象。本发明通过研究还原炉内的硅棒在不同生长阶段的运行特点,在不同的生长阶段通入含有不同预设含量二氯二氢硅和四氯化硅的三氯氢硅原料,与氢气发生氢还原反应,以达到还原炉全程高速生产的目的,既提高多晶硅的沉积速度,避免硅棒生长较脆,容易倒炉;又能保证多晶硅外观质量,减少雾化现象。

    一种多晶硅生产系统及方法

    公开(公告)号:CN105253889B

    公开(公告)日:2018-01-05

    申请号:CN201410342757.9

    申请日:2014-07-17

    CPC classification number: Y02P20/124

    Abstract: 本发明提供一种多晶硅生产系统及方法,该系统包括还原炉和尾气换热器,还原炉与尾气换热器通过第一尾气管线相连,尾气输出管线与尾气换热器相连,该系统还包括第二尾气管线,第二尾气管线分别与第一尾气管线和尾气输出管线相连;第二尾气管线能够分流第一尾气管线内的尾气,且能够使第二尾气管线内的尾气不与物料进行换热,可降低第一尾气管线内尾气的温度,也相应减少尾气换热器的热源,从而降低物料输送管线内混合气的进料温度,消除第一尾气管线和物料输送管线高温运行的安全隐患,抑制雾化效应,提高多晶硅产品质量,无需通过降料、降低电流来控制尾气温度,可以提高多晶硅沉积速度,从而提高生产效率、节能降耗、降低生产成本。

    多晶硅生产的行车控制方法和装置

    公开(公告)号:CN116768064A

    公开(公告)日:2023-09-19

    申请号:CN202310735178.X

    申请日:2023-06-19

    Abstract: 本申请提供一种多晶硅生产的行车控制方法和装置,涉及多晶硅生产控制技术领域。该方法包括:接收还原炉炉筒清洗指令,还原炉炉筒清洗指令中至少携带有第一还原炉位置信息、第一还原炉型号信息和炉筒清洗位置信息;根据第一还原炉位置信息和第一还原炉型号信息,确定目标行车吊具的最优起吊路径;根据最优起吊路径和第一预设算法,确定还原炉炉筒的锁紧程度;根据第一还原炉位置信息、还原炉炉筒的锁紧程度和炉筒清洗位置信息,确定目标行车吊具的输送路径;根据输送路径,将还原炉炉筒输送至目标清洗位置。本申请的方案,通过多维度考虑,自动控制还原炉吊装,降低人工控制吊装还原炉的风险。

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