一种雾化监测方法、装置及相关设备

    公开(公告)号:CN115830345A

    公开(公告)日:2023-03-21

    申请号:CN202211419308.0

    申请日:2022-11-14

    Abstract: 本申请提供一种雾化监测方法、装置及相关设备,其中,所述方法包括:在目标反应炉的硅粉含量的增幅速率大于或等于增速阈值的情况下,生成雾化预警信息;根据雾化预警信息,获取目标反应炉当前的监测图像;在监测图像与基准图像之间的相似度小于第一相似阈值的情况下,输出雾化警示信息,基准图像为目标反应炉内无雾化的状态下采集的图像。在所述增幅速率大于或等于增速阈值的情况下,初步判定目标反应炉内存在雾化状况的概率较大,此时采集当前时刻的监测图像,通过比较监测图像和基准图像之间的图像相似度,以最终确定目标反应炉在当前时刻是否存在雾化状况,这能规避人为因素的干扰,提升目标反应炉在雾化监测方面所获得的监控效果。

    一种还原炉的生产信息管理系统及方法

    公开(公告)号:CN116797167A

    公开(公告)日:2023-09-22

    申请号:CN202310735021.7

    申请日:2023-06-16

    Abstract: 本发明提供一种还原炉的生产信息管理系统及方法,该系统包括以下至少一项:管理模块、还原炉管理模块、批次管理模块、基线管理模块、控制管理模块和账户管理模块;所述还原炉管理模块,用于查看和管理还原炉的信息;所述批次管理模块,用于管理批次信息;基线管理模块,用于管理料表基线和电压基线;控制管理模块,用于管理还原炉的控制参数;账户管理模块,用于管理操作人员信息。本发明中,通过还原炉的生产信息管理系统对信息数据进行管理,缓解产品质量难以统一化,生产过程难标准化,人员操作难简易化,应对事故难快速化等问题,实现控制过程全流程自动化,在保证产品质量的情况下大幅降低电耗与人工投入。

    一种还原炉生产过程的控制方法和控制装置

    公开(公告)号:CN116880377A

    公开(公告)日:2023-10-13

    申请号:CN202310742606.1

    申请日:2023-06-20

    Abstract: 本发明公开一种还原炉生产过程的控制方法和控制装置,该控制方法,包括:获取还原炉的雾化累计值和六相电流值。获取所述还原炉的TCS实时流量、氢气实时流量和实时电流。根据所述雾化累计值和所述六相电流值,判断所述还原炉是否存在异常状态。根据所述异常状态的判定结果和所述TCS实时流量、所述氢气实时流量和所述实时电流,对所述还原炉进行控制。本方法通过判断还原炉是否存在异常状态,并根据异常状态对TCS实时流量、氢气实时流量和实时电流的进行及时修正,能够实现对还原炉生产过程中TCS流量、氢气流量和电流的精确控制,进而能够统一产品标准,提高产品品质。

    导气环及反应炉视镜系统

    公开(公告)号:CN114560465B

    公开(公告)日:2023-10-10

    申请号:CN202210360856.4

    申请日:2022-04-07

    Abstract: 本发明公开了一种导气环及反应炉视镜系统,导气环包括:导气环本体、设置于导气环本体内的吹扫气通道,吹扫气通道入口端朝向视镜,吹扫气通道出口端朝向反应炉内,通过吹扫气通道入口端向吹扫气通道内通入吹扫气对视镜吹扫,吹扫气通道入口端垂直于其中心轴的截面积大于吹扫气通道出口端垂直于其中心轴的截面积。在反应炉的视镜装置处安装导气环,由于吹扫气通道入口端垂直于其中心轴的截面积大于吹扫气通道出口端垂直于其中心轴的截面积,所以吹扫气通道出口端的气体流速大于吹扫气通道入口端的气体流速,能提高对于视镜的吹扫效率,优化导气环的吹扫结构,优化吹扫过程,避免了反应炉连接的视镜表面硅粉沉积,清晰的观察视镜。

    多晶硅还原炉雾化的检测方法、调整方法、检测装置及调整装置

    公开(公告)号:CN116124655A

    公开(公告)日:2023-05-16

    申请号:CN202111346905.0

    申请日:2021-11-15

    Abstract: 本发明提供一种多晶硅还原炉雾化的检测方法、调整方法、检测装置及调整装置。检测方法包括:在多晶硅还原炉尾气出口管线上安装粉尘检测仪,每隔2‑5min测量其内粉尘浓度值,以当前时刻往前的15‑20个数值为一组数据,计算这组数据的极差和方差,当24<极差≤32且96<方差≤128时,判断当前轻度雾化,当32<极差≤40且128<方差≤160时,判断当前时刻中度雾化,当极差>40且方差>160时,判断当前时刻重度雾化。该方法能够准确判断还原炉的雾化程度,以便操作人员及时掌握还原炉内雾化程度及进行调整,实现一定程度的雾化边界卡边运行,以达到既降低电耗又保证还原炉产品质量的目的。

    一种还原炉调控方法、装置及相关设备

    公开(公告)号:CN115477304A

    公开(公告)日:2022-12-16

    申请号:CN202211185106.4

    申请日:2022-09-27

    Abstract: 本申请提供一种还原炉调控方法、装置及相关设备,其中,所述调控方法包括:获取第一目标参数,其中,所述第一目标参数用于表征还原炉当前的硅粉含量;根据基准硅粉含量和所述第一目标参数之间的差异,确定第一偏差信息;根据所述第一偏差信息,对所述还原炉的影响因子进行调控,所述影响因子包括所述还原炉的输入原料的输入量和所述还原炉的电流值中的至少一项。通过获取还原炉当前的硅粉含量,将该硅粉含量与基准硅粉含量进行差异比较,确定第一偏差信息,并基于该第一偏差信息对还原炉的影响因子进行调控的自动调控方式,以替换人工调控的方式,避免人为因素的干扰,使还原炉当前的硅粉沉积速率趋近预期,提高还原炉当前的硅粉沉积速率。

    还原炉控制方法、装置、电子设备及可读存储介质

    公开(公告)号:CN116774615A

    公开(公告)日:2023-09-19

    申请号:CN202310747055.8

    申请日:2023-06-21

    Abstract: 本申请实施例提供的一种还原炉控制方法、装置、电子设备及可读存储介质。通过根据还原炉当前时刻的雾化检测值和预设雾化阈值,确定还原炉当前时刻的雾化状态;根据还原炉当前时刻的雾化状态,确定还原炉的目标雾化控制程序,目标雾化控制程序用于调整输入还原炉的氯硅烷流量、氢气流量和电流值。这样,根据还原炉当前时刻的雾化状态来调整输入还原炉的氯硅烷流量、氢气流量和电流值,相比在不知道还原炉当前的雾化状态,为了降低缺相的概率而降低雾化程度,进而一味地降低输入还原炉的氯硅烷流量、氢气流量和电流值,有了更为准确的调整依据,可以在保证还原炉转化多晶硅效率的情况下,减少雾化程度,从而达到降低还原炉缺相的概率。

    多晶硅反应炉的温度控制方法、装置及相关设备

    公开(公告)号:CN116514126A

    公开(公告)日:2023-08-01

    申请号:CN202310543003.9

    申请日:2023-05-12

    Abstract: 本公开提供一种多晶硅反应炉的温度控制方法、装置及相关设备,涉及多晶硅生产的技术领域,其中,方法包括:在第一时段获取第一硅棒组的第一电压数据和第二硅棒组的第二电压数据,第二硅棒组环绕第一硅棒组设置;当第一电压数据和第二电压数据之间的电压差值大于第一预设阈值时,降低第一硅棒组在第一时段的第一电流增量,升高第二硅棒组在第一时段的第二电流增量;根据降低后的第一电流增量增加第一硅棒组的电流,根据升高后的第二电流增量增加第二硅棒组的电流。本公开以电压差值测定不同硅棒组之间的温差,并基于电流增量的调整实现对不同硅棒组的温度控制,使多晶硅反应炉不同位置的硅棒温度趋近预期温度,提升多晶硅反应炉获得的温控效果。

    一种还原炉调控方法、装置及相关设备

    公开(公告)号:CN115477304B

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN202211185106.4

    申请日:2022-09-27

    Abstract: 本申请提供一种还原炉调控方法、装置及相关设备,其中,所述调控方法包括:获取第一目标参数,其中,所述第一目标参数用于表征还原炉当前的硅粉含量;根据基准硅粉含量和所述第一目标参数之间的差异,确定第一偏差信息;根据所述第一偏差信息,对所述还原炉的影响因子进行调控,所述影响因子包括所述还原炉的输入原料的输入量和所述还原炉的电流值中的至少一项。通过获取还原炉当前的硅粉含量,将该硅粉含量与基准硅粉含量进行差异比较,确定第一偏差信息,并基于该第一偏差信息对还原炉的影响因子进行调控的自动调控方式,以替换人工调控的方式,避免人为因素的干扰,使还原炉当前的硅粉沉积速率趋近预期,提高还原炉当前的硅粉沉积速率。

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