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公开(公告)号：CN110371990A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910591145.6
申请日：2019-07-02
申请人： 新疆晶硕新材料有限公司
摘要： 本发明公开一种生产气相二氧化硅的水解炉，包括DCS控制系统，还包括温度控制单元、压力控制单元，温度控制单元用于检测水解炉中产生的火焰的温度，并根据检测到的温度调节四氯化硅、氢气、空气的进料量；压力控制单元与水解炉的炉筒连接，用于调节水解炉内的压力，以控制生成的气相二氧化硅的在火焰中的停留时间。本发明还公开一种含有以上所述水解炉的生产气相二氧化硅的系统。本发明可以对水解炉内的火焰温度、压力进行精准控制，获得粒径小、比表面积大的气相二氧化硅产品。
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公开(公告)号：CN112066410A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201910498281.0
申请日：2019-06-10
申请人： 新疆晶硕新材料有限公司
IPC分类号： F23N5/00 , C01G25/04 , C01B33/107
摘要： 本发明公开了一种用于锆基产品生产的氯化炉的燃烧控制方法，包括以下步骤：通过调节通入氯化炉内固体进料量和/或气体进料量来控制氯化炉内的温度从而对燃烧进行控制，其中，固体进料为锆英砂、碳质还原剂或锆英砂、碳质还原剂、补热剂的进料，气体进料为氯气的进料。本发明中的用于锆基产品生产的氯化炉的燃烧控制方法，可使氯化炉内温度控制稳定，保持最佳反应温度，使得通入到氯化炉内的物料充分反应。
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公开(公告)号：CN112066410B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201910498281.0
申请日：2019-06-10
申请人： 新疆晶硕新材料有限公司
IPC分类号： F23N5/00 , C01G25/04 , C01B33/107
摘要： 本发明公开了一种用于锆基产品生产的氯化炉的燃烧控制方法，包括以下步骤：通过调节通入氯化炉内固体进料量和/或气体进料量来控制氯化炉内的温度从而对燃烧进行控制，其中，固体进料为锆英砂、碳质还原剂或锆英砂、碳质还原剂、补热剂的进料，气体进料为氯气的进料。本发明中的用于锆基产品生产的氯化炉的燃烧控制方法，可使氯化炉内温度控制稳定，保持最佳反应温度，使得通入到氯化炉内的物料充分反应。
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公开(公告)号：CN218590475U
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202222979769.5
申请日：2022-11-09
申请人： 新疆晶硕新材料有限公司 , 新特能源股份有限公司
摘要： 本实用新型提供一种硅粉智能下料系统，所述硅粉智能下料系统包括由上至下依次连通的加料仓、锁气罐、喷吹罐和旋转给料部，所述硅粉智能下料系统还包括反应器、三通阀、第一喷吹泵和DCS控制器；加料仓和锁气罐之间设有第一计重器，锁气罐和喷吹罐之间设有第二计重器；DCS控制器通过第一计重器控制连接锁气罐的阀门，还通过第二计重器控制连接喷吹罐的阀门和第一喷吹泵；第一喷吹泵连通喷吹罐；旋转给料部用于旋转下料；三通阀的入口连通喷吹罐、其第一出口连通旋转给料部，三通阀的第二出口和旋转给料部连通反应器。本实用新型的一种硅粉智能下料系统实现的效果为：实现闭环精准自动控制，及时清理下料管道，设有备用的运行方案。
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公开(公告)号：CN116774615A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310747055.8
申请日：2023-06-21
申请人： 新特能源股份有限公司 , 新疆新特晶体硅高科技有限公司
IPC分类号： G05B19/04 , C01B33/035
摘要： 本申请实施例提供的一种还原炉控制方法、装置、电子设备及可读存储介质。通过根据还原炉当前时刻的雾化检测值和预设雾化阈值，确定还原炉当前时刻的雾化状态；根据还原炉当前时刻的雾化状态，确定还原炉的目标雾化控制程序，目标雾化控制程序用于调整输入还原炉的氯硅烷流量、氢气流量和电流值。这样，根据还原炉当前时刻的雾化状态来调整输入还原炉的氯硅烷流量、氢气流量和电流值，相比在不知道还原炉当前的雾化状态，为了降低缺相的概率而降低雾化程度，进而一味地降低输入还原炉的氯硅烷流量、氢气流量和电流值，有了更为准确的调整依据，可以在保证还原炉转化多晶硅效率的情况下，减少雾化程度，从而达到降低还原炉缺相的概率。
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公开(公告)号：CN116514126A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310543003.9
申请日：2023-05-12
申请人： 新特能源股份有限公司 , 新特硅基新材料有限公司
IPC分类号： C01B33/035
摘要： 本公开提供一种多晶硅反应炉的温度控制方法、装置及相关设备，涉及多晶硅生产的技术领域，其中，方法包括：在第一时段获取第一硅棒组的第一电压数据和第二硅棒组的第二电压数据，第二硅棒组环绕第一硅棒组设置；当第一电压数据和第二电压数据之间的电压差值大于第一预设阈值时，降低第一硅棒组在第一时段的第一电流增量，升高第二硅棒组在第一时段的第二电流增量；根据降低后的第一电流增量增加第一硅棒组的电流，根据升高后的第二电流增量增加第二硅棒组的电流。本公开以电压差值测定不同硅棒组之间的温差，并基于电流增量的调整实现对不同硅棒组的温度控制，使多晶硅反应炉不同位置的硅棒温度趋近预期温度，提升多晶硅反应炉获得的温控效果。
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公开(公告)号：CN116880377A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310742606.1
申请日：2023-06-20
申请人： 新特能源股份有限公司 , 新特硅基新材料有限公司
IPC分类号： G05B19/418
摘要： 本发明公开一种还原炉生产过程的控制方法和控制装置，该控制方法，包括：获取还原炉的雾化累计值和六相电流值。获取所述还原炉的TCS实时流量、氢气实时流量和实时电流。根据所述雾化累计值和所述六相电流值，判断所述还原炉是否存在异常状态。根据所述异常状态的判定结果和所述TCS实时流量、所述氢气实时流量和所述实时电流，对所述还原炉进行控制。本方法通过判断还原炉是否存在异常状态，并根据异常状态对TCS实时流量、氢气实时流量和实时电流的进行及时修正，能够实现对还原炉生产过程中TCS流量、氢气流量和电流的精确控制，进而能够统一产品标准，提高产品品质。
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公开(公告)号：CN114560465B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202210360856.4
申请日：2022-04-07
申请人： 新特能源股份有限公司
IPC分类号： C01B33/021
摘要： 本发明公开了一种导气环及反应炉视镜系统，导气环包括：导气环本体、设置于导气环本体内的吹扫气通道，吹扫气通道入口端朝向视镜，吹扫气通道出口端朝向反应炉内，通过吹扫气通道入口端向吹扫气通道内通入吹扫气对视镜吹扫，吹扫气通道入口端垂直于其中心轴的截面积大于吹扫气通道出口端垂直于其中心轴的截面积。在反应炉的视镜装置处安装导气环，由于吹扫气通道入口端垂直于其中心轴的截面积大于吹扫气通道出口端垂直于其中心轴的截面积，所以吹扫气通道出口端的气体流速大于吹扫气通道入口端的气体流速，能提高对于视镜的吹扫效率，优化导气环的吹扫结构，优化吹扫过程，避免了反应炉连接的视镜表面硅粉沉积，清晰的观察视镜。
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公开(公告)号：CN116124655A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202111346905.0
申请日：2021-11-15
申请人： 新特能源股份有限公司
IPC分类号： G01N15/06
摘要： 本发明提供一种多晶硅还原炉雾化的检测方法、调整方法、检测装置及调整装置。检测方法包括：在多晶硅还原炉尾气出口管线上安装粉尘检测仪，每隔2‑5min测量其内粉尘浓度值，以当前时刻往前的15‑20个数值为一组数据，计算这组数据的极差和方差，当24＜极差≤32且96＜方差≤128时，判断当前轻度雾化，当32＜极差≤40且128＜方差≤160时，判断当前时刻中度雾化，当极差>40且方差>160时，判断当前时刻重度雾化。该方法能够准确判断还原炉的雾化程度，以便操作人员及时掌握还原炉内雾化程度及进行调整，实现一定程度的雾化边界卡边运行，以达到既降低电耗又保证还原炉产品质量的目的。
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公开(公告)号：CN115477304A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202211185106.4
申请日：2022-09-27
申请人： 新特能源股份有限公司 , 新特硅基新材料有限公司
IPC分类号： C01B33/021
摘要： 本申请提供一种还原炉调控方法、装置及相关设备，其中，所述调控方法包括：获取第一目标参数，其中，所述第一目标参数用于表征还原炉当前的硅粉含量；根据基准硅粉含量和所述第一目标参数之间的差异，确定第一偏差信息；根据所述第一偏差信息，对所述还原炉的影响因子进行调控，所述影响因子包括所述还原炉的输入原料的输入量和所述还原炉的电流值中的至少一项。通过获取还原炉当前的硅粉含量，将该硅粉含量与基准硅粉含量进行差异比较，确定第一偏差信息，并基于该第一偏差信息对还原炉的影响因子进行调控的自动调控方式，以替换人工调控的方式，避免人为因素的干扰，使还原炉当前的硅粉沉积速率趋近预期，提高还原炉当前的硅粉沉积速率。
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