还原炉控制方法、装置、电子设备及可读存储介质

    公开(公告)号:CN116774615A

    公开(公告)日:2023-09-19

    申请号:CN202310747055.8

    申请日:2023-06-21

    IPC分类号: G05B19/04 C01B33/035

    摘要: 本申请实施例提供的一种还原炉控制方法、装置、电子设备及可读存储介质。通过根据还原炉当前时刻的雾化检测值和预设雾化阈值,确定还原炉当前时刻的雾化状态;根据还原炉当前时刻的雾化状态,确定还原炉的目标雾化控制程序,目标雾化控制程序用于调整输入还原炉的氯硅烷流量、氢气流量和电流值。这样,根据还原炉当前时刻的雾化状态来调整输入还原炉的氯硅烷流量、氢气流量和电流值,相比在不知道还原炉当前的雾化状态,为了降低缺相的概率而降低雾化程度,进而一味地降低输入还原炉的氯硅烷流量、氢气流量和电流值,有了更为准确的调整依据,可以在保证还原炉转化多晶硅效率的情况下,减少雾化程度,从而达到降低还原炉缺相的概率。

    一种多晶硅生产模拟的控制系统及方法

    公开(公告)号:CN114660998A

    公开(公告)日:2022-06-24

    申请号:CN202011529976.X

    申请日:2020-12-22

    IPC分类号: G05B19/418 C01B33/035

    摘要: 本发明公开一种多晶硅生产模拟的控制系统,包括3D仿真系统、试炉设备、以及大数据智能控制系统。3D仿真系统用于根据设备参数进行仿真模拟,并将得到的热场、流场输出给大数据智能控制系统。试炉设备用于根据设备参数及生产过程参数,进行生产并实时采集生产状态数据,将之输出给大数据智能控制系统。大数据智能控制系统用于根据热场、流场和生产状态数据,得到优化后的设备参数输出给3D仿真系统进行下一次的三维仿真模拟,得到优化后的生产过程参数及设备参数输出给试炉设备进行下一次的多晶硅生产。相应的,还公开一种多晶硅生产模拟的控制方法。该控制系统可提高多晶硅生产的仿真模拟的可靠性。

    一种还原炉的生产信息管理系统及方法

    公开(公告)号:CN116797167A

    公开(公告)日:2023-09-22

    申请号:CN202310735021.7

    申请日:2023-06-16

    摘要: 本发明提供一种还原炉的生产信息管理系统及方法,该系统包括以下至少一项:管理模块、还原炉管理模块、批次管理模块、基线管理模块、控制管理模块和账户管理模块;所述还原炉管理模块,用于查看和管理还原炉的信息;所述批次管理模块,用于管理批次信息;基线管理模块,用于管理料表基线和电压基线;控制管理模块,用于管理还原炉的控制参数;账户管理模块,用于管理操作人员信息。本发明中,通过还原炉的生产信息管理系统对信息数据进行管理,缓解产品质量难以统一化,生产过程难标准化,人员操作难简易化,应对事故难快速化等问题,实现控制过程全流程自动化,在保证产品质量的情况下大幅降低电耗与人工投入。

    二氧化硅的制备方法及制备系统
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116553561A

    公开(公告)日:2023-08-08

    申请号:CN202310444460.2

    申请日:2023-04-23

    摘要: 本发明公开了一种二氧化硅的制备方法及制备系统,该方法包括以下步骤:1)将含有氯硅烷的气体与水溶液混合,氯硅烷发生水解反应,得到混合物;2)将混合物过滤,得到滤液,对滤液进行造粒,加热,得到二氧化硅。本发明中的二氧化硅的制备方法及其所使用的制备系统,有效降低高纯二氧化硅中氯含量,同时能够回收部分多晶硅生产过程中产生的氯硅烷,降低废气中氯硅烷含量,降低后续再处理的难度,同时该方案在工业化放大的方面具有便利性。

    还原炉的生产质量和产量的预测方法、装置及相关设备

    公开(公告)号:CN115826520A

    公开(公告)日:2023-03-21

    申请号:CN202211449804.0

    申请日:2022-11-18

    IPC分类号: G05B19/418

    摘要: 在本申请实施例中,通过获取第一还原炉的第一设备参数,第一设备参数包括:炉筒直径、炉顶形状和喷嘴分布情况中的至少一种;基于第一关系模型和第一设备参数,预测第一还原炉的第一目标信息,第一目标信息包括:第一还原炉生产的多晶硅的质量信息和产量信息。这样,在相同工作条件的情况下,根据不同还原炉的设备参数与不同还原炉生产出来的多晶硅的质量和产量信息之间的第一关系模型,去预测不同设备参数的还原炉生产出来的多晶硅的质量和产量,得到一个较为准确的预测结果,根据较为准确的预测结果,去安排多台不同设备参数的还原炉去生产,可以节约生产资源。

    一种反应炉控制方法、装置及相关设备

    公开(公告)号:CN115618744A

    公开(公告)日:2023-01-17

    申请号:CN202211405312.1

    申请日:2022-11-10

    IPC分类号: G06F30/27 G06F119/02

    摘要: 本申请提供一种反应炉控制方法、装置及相关设备,其中,所述方法包括:将预设的多个数据组逐一输入至预测模型中,获得所述多个数据组中每一数据组对应的收益参数,其中,所述数据组对应反应炉在一次反应过程中的输入参数的输入量变化曲线,所述收益参数用于表征所述预测模型根据对应数据组预测的多晶硅产出收益;将对应最高的收益参数的数据组确定为基准数据组;控制反应炉按照所述基准数据组对所述反应炉的输入参数进行调节。通过预测模型来确定基准数据组,并控制反应炉根据基准数据组对反应炉的输入参数进行调节,从而规避人为因素的干扰,使得反应炉的多晶硅产出效果得到提升。

    一种多晶硅生产方法及系统

    公开(公告)号:CN112110449B

    公开(公告)日:2022-06-28

    申请号:CN201910543890.3

    申请日:2019-06-21

    IPC分类号: C01B33/035

    摘要: 本发明提供一种多晶硅生产方法,包括以下步骤:在反应开始前,先利用微波将还原炉中的硅芯加热至第一设定温度,然后将硅芯击穿后再施加电流,以在硅芯的表面化学沉积多晶硅,得到硅棒;在反应过程中,如对硅棒断电,则在断电后重启前,先利用微波将硅棒加热至第二设定温度,然后将硅棒击穿后再施加电流,以在硅棒表面继续化学沉积多晶硅。本发明还提供一种多晶硅生产系统,包括馈能单元和防护单元,馈能单元包括馈能天线,馈能天线设于还原炉上的能够与还原炉内部连通的开口处,用于产生和发射微波;防护单元用于将馈能天线与还原炉内的氛围隔开,以保护馈能天线。本发明能够实现多晶硅的平稳生长,得到性能良好的多晶硅产品,以提高产品质量。