一种恒定滑切角的热磨机磨片及其设计方法

    公开(公告)号:CN119293985A

    公开(公告)日:2025-01-10

    申请号:CN202411289725.7

    申请日:2024-09-14

    Applicant: 无锡学院

    Abstract: 本发明公开了一种恒定滑切角的热磨机磨片及其设计方法,所述热磨机磨片的齿刃轮廓为齿刃曲线,定义齿刃曲线任意一点处极轴与x轴的夹角为极角θ,所述热磨机磨片的齿刃曲线方程为:ρ=a·eb·θ,θ∈[θ1,θ2],式中,a,b均为常数,用于控制齿刃曲线的形状;θ1为齿刃曲线起始点的极角,θ2为齿刃曲线终止点的极角。本发明将所述热磨机磨片的齿刃轮廓设计为齿刃曲线,所设计热磨机磨片的滑切角不随半径变化而变化,提高机械结构的稳定性,还有助于减少热磨机磨片的磨损,延长热磨机磨片的使用寿命。

    一种基于费马螺线的热磨机磨片及其设计方法

    公开(公告)号:CN119203409A

    公开(公告)日:2024-12-27

    申请号:CN202411289724.2

    申请日:2024-09-14

    Applicant: 无锡学院

    Abstract: 本发明公开了一种基于费马螺线的热磨机磨片及其设计方法,所述热磨机磨片的齿刃轮廓为费马螺线,定义费马螺线任意一点处极轴与x轴的夹角为极角t,所述热磨机磨片的费马螺线方程为:#imgabs0#其中,a表示调整费马螺线具体形状的参数,a∈[921,2262],t表示费马螺线的极角,用于调整费马螺线的长度t∈[t1,t2],t1为齿刃曲线起始点的极角,t2为齿刃曲线终止点的极角。本发明对热磨机磨片齿刃轮廓设计,使得逐渐增加的滑切角与逐渐减小的切削力相匹配,以达到以降低能耗,提高磨浆质量,增加原料和工艺的适应度的目的。

    一种电流异常检测系统、方法、电子设备及介质

    公开(公告)号:CN116956189A

    公开(公告)日:2023-10-27

    申请号:CN202310829113.1

    申请日:2023-07-07

    Applicant: 无锡学院

    Inventor: 周佳原 张见 曹燚

    Abstract: 本发明公开了一种电流异常检测系统、方法、电子设备及介质,所述系统包括电流信号获取模块、数据处理模块、数据聚类模块、阈值模型和ARMA模型,其中,电流信号获取模块:将采集到的电流信号实时传输至数据处理模块;数据处理模块:用于使用时间戳标记每一个采样时刻,并将电流值与时间戳存储在一起,形成电流时间序列数据;数据聚类模块:采用DTW‑kmedoids聚类算法对电流时间序列数据集进行分簇,将电流时间序列数据集分成不同的簇;阈值模型:用于判定此电流时间序列数据为异常;ARMA模型:用于预测未来电流时间序列数据的区间。通过本发明系统实现高准确性、高效率电流异常检测。

    一种SiC雪崩光电二极管的无损缺陷检测方法及装置

    公开(公告)号:CN114136994A

    公开(公告)日:2022-03-04

    申请号:CN202111443343.1

    申请日:2021-11-30

    Applicant: 无锡学院

    Abstract: 本发明公开了一种SiC雪崩光电二极管的无损缺陷检测方法及装置,利用位错的发光规律,通过SiC雪崩光电二极管在雪崩击穿下的发光图像,辨别SiC雪崩光电二极管有源区内是否存在位错缺陷,进行高质量SiC雪崩光电二极管筛选,是一种成本低、操作简单的无损检测方法。本发明与其他位错检测方法相比,所用设备(探针台、源表、COMS相机)均为微电子器件研究的常用设备,系统搭建简单、成本低、操作简单。

    一种两步法制备大面积二维有机半导体晶态薄膜的方法

    公开(公告)号:CN114256419B

    公开(公告)日:2025-02-18

    申请号:CN202111524546.3

    申请日:2021-12-14

    Applicant: 无锡学院

    Abstract: 本发明公开了一种两步法制备大面积二维有机半导体晶态薄膜的方法,包括均匀涂抹有机半导体材料于下基板上;在下基板上构建用于有机半导体材料结晶的矩形生长空腔;在第一温度下,矩形生长空腔内的有机半导体材料预结晶生成母版;在第二温度下,母版再结晶,即得。本发明通过升华法预生长有机晶态薄膜,并且可以通过温度和时间来精确控制晶态薄膜的层数,进一步加热再生长可以获得大面积的单层二维有机半导体晶态薄膜。相较于其他的二维有机半导体晶态薄膜生长方法,它的制备成本更低,要求的操作水平更低,更重要的是,制备的晶态薄膜面积大,该方法可能满足于不同功能应用中可调形态有机半导体生长。

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