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    层叠片处理方法及层叠片处理装置
    1.
    发明公开
    层叠片处理方法及层叠片处理装置 审中-实审

    公开(公告)号：CN117098658A

    公开(公告)日：2023-11-21

    申请号：CN202280026174.8

    申请日：2022-03-23

    申请人： 日东电工株式会社

    发明人： 山本晃好 ,  山田洋佑 ,  野村隆之 ,  小坂博通

    IPC分类号： B32B27/00

    摘要： 提供能够以低成本将构成多种粘合带、脱模薄膜、抗静电薄膜等层叠片的基材与层叠于其上的粘合剂层、脱模层、抗静电层等功能层容易地分离的层叠片处理方法。另外，提供这样的层叠片处理方法中使用的层叠片处理装置。本发明的实施方式的层叠片处理方法为包含基材层和功能层的层叠片的处理方法，其包括在该功能层的表面涂布分离液的工序(I)。

    粘合剂处理液、及粘合剂处理方法
    2.
    发明公开
    粘合剂处理液、及粘合剂处理方法 审中-公开

    公开(公告)号：CN115996976A

    公开(公告)日：2023-04-21

    申请号：CN202180045876.6

    申请日：2021-06-25

    申请人： 日东电工株式会社

    发明人： 山本晃好 ,  野村隆之 ,  西部刚史 ,  山田洋佑

    IPC分类号： C08J11/08

    摘要： 提供能够容易地去除各种粘合剂的粘合剂处理液、及容易地去除各种粘合剂的粘合剂处理方法。例如，提供将包含基材和粘合剂的粘合带作为处理对象的情况下能够容易地将基材和各种粘合剂分离的粘合剂处理液、及容易地将基材和各种粘合剂分离的粘合剂处理方法。本发明的实施方式的粘合剂处理液为粘合剂的处理液，其包含汉森溶解度参数值为31以下的液体和碱化合物，碱化合物的浓度为0.001重量％～20重量％。

    电子部件的制造方法
    3.
    发明授权
    电子部件的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN102741983B

    公开(公告)日：2015-06-17

    申请号：CN201180004835.9

    申请日：2011-08-04

    申请人： 日东电工株式会社

    发明人： 东别府优树 ,  山本晃好

    IPC分类号： H01L21/301 ,  C09J7/02 ,  C09J133/04 ,  H01L21/683

    CPC分类号： H01L21/6836 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38 ,  C09J2203/326 ,  C09J2433/00 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381 ,  Y10T428/1462

    摘要： 本发明提供一种电子部件的制造方法，其在使用粘合片制造电子部件时，通过将该粘合片中带电的电荷在短时间内有效地除电，可防止对形成于电子部件的电路等的静电破坏。本发明为使用在基材上至少依次层叠有粘合剂层和隔离膜的粘合片的电子部件的制造方法，作为前述粘合片，使用前述粘合剂层的表面的带电电荷的半衰期为900秒以下的粘合片，所述半衰期利用基于JIS L1094的电荷衰减测定法测定，该制造方法至少具有以下工序：将前述隔离膜从前述粘合剂层剥离的工序；和除去前述粘合剂层的表面的带电电荷的工序；和在除电后的前述粘合剂层上贴合电子部件的工序。

    半导体晶片保护用粘合片
    5.
    发明公开
    半导体晶片保护用粘合片 失效

    公开(公告)号：CN102382583A

    公开(公告)日：2012-03-21

    申请号：CN201110264268.2

    申请日：2011-09-01

    申请人： 日东电工株式会社

    发明人： 山本晃好 ,  土生刚志 ,  浅井文辉 ,  高桥智一 ,  井本荣一 ,  岛崎雄太

    IPC分类号： C09J7/00 ,  H01L21/683

    CPC分类号： H01L21/67132 ,  C09J7/10 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/28

    摘要： 提供一种半导体晶片保护用粘合片，其即使在将半导体晶片研磨至极薄时、研磨大口径晶片时也不使半导体晶片弯曲(翘曲)，且对图案的追随性优异，不因经时而从图案上浮起，研磨时应力分散性好，可抑制晶片破裂、晶片边缘缺损，剥离时不发生层间剥离，不在晶片表面残留粘合剂残渣。一种半导体晶片保护用粘合片，其特征在于，其为在保护半导体晶片时贴合于半导体晶片表面的半导体晶片保护用片材，由不存在基材与粘合剂的界面的1层构成，该保护片在伸长10％时的应力松弛率为40％以上，贴附于30μm的有高低差部分时24小时后的带浮起幅度比初始大40％以下，粘合片的厚度为5μm～1000μm，进而使两面的粘合力互不相同。

    水溶性聚合物的制造方法、吸水性聚合物的制造方法、水溶性聚合物、以及吸水性聚合物
    7.
    发明公开
    水溶性聚合物的制造方法、吸水性聚合物的制造方法、水溶性聚合物、以及吸水性聚合物 审中-实审

    公开(公告)号：CN117580895A

    公开(公告)日：2024-02-20

    申请号：CN202280046685.6

    申请日：2022-06-28

    申请人： 日东电工株式会社

    发明人： 山田洋佑 ,  山本晃好 ,  野村隆之

    IPC分类号： C08J3/00

    摘要： 本发明提供能够由作为废弃物的粘合剂在温和的条件下制造水溶性聚合物的水溶性聚合物的制造方法、能够由粘合剂在温和的条件下制造吸水性聚合物的吸水性聚合物的制造方法、能够由粘合剂制造的水溶性聚合物以及能够由粘合剂制造的吸水性聚合物。本发明的实施方式的水溶性聚合物的制造方法使粘合剂处理液与粘合剂接触，所述粘合剂处理液包含汉森溶解度参数值为31以下的液体和碱性化合物，该粘合剂处理液中的碱性化合物的浓度为0.001重量％～20重量％。