公开(公告)号：CN1254893C

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN02810240.1

申请日：2002-06-12

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 古川佳彦 ,  岛田诚 ,  木内章喜 ,  落合真尚 ,  妹尾雅之

IPC: H01S5/02

CPC classification number: H01S5/028 ,  H01S5/0203 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/0286 ,  H01S5/1082 ,  H01S2301/18

Abstract: 本发明的半导体激光器元件，在基板上设置具有被n型层和p型夹着的活性层的半导体层，半导体层具有蚀刻形成的谐振器面和从谐振器面出射方向突出的突出部，其特征在于，从谐振器面到突出部的端面设置保护膜，从谐振器面出射的激光的垂直方向的光放射分布的放射半角比放射临界角大。

公开(公告)号：CN1509508A

公开(公告)日：2004-06-30

申请号：CN02810240.1

申请日：2002-06-12

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 古川佳彦 ,  岛田诚 ,  木内章喜 ,  落合真尚 ,  妹尾雅之

IPC: H01S5/02

CPC classification number: H01S5/028 ,  H01S5/0203 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/0286 ,  H01S5/1082 ,  H01S2301/18

Abstract: 本发明的半导体激光器元件，在基板上设置具有被n型层和p型夹着的活性层的半导体层，半导体层具有蚀刻形成的谐振器面和从谐振器面出射方向突出的突出部，其特征在于，从谐振器面到突出部的端面设置保护膜，从谐振器面出射的激光的垂直方向的光放射分布的放射半角比放射临界角大。