公开(公告)号：CN105914577A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201610518876.4

申请日：2016-06-28

Applicant: 杭州华锦电子有限公司

Inventor： 林一东 ,  毛红卫

IPC: H01S5/02

CPC classification number: H01S5/0203

Abstract: 本发明公开了一种激光多极管封装底座的刻蚀方法，该激光多极管封装底座的刻蚀方法包括如下步骤：步骤1、分别取经预处理的待刻蚀组件，于其外表面上涂覆光刻胶，并将所述光刻胶图形化；步骤2、取经步骤1处理的待刻蚀组件，置于刻蚀液中进行湿法刻蚀处理；步骤3、取经步骤2处理的待刻蚀组件清洗处理；所述刻蚀液包括35～45wt%的HCl、2～5wt%的H3PO4和0.05～0.2wt%的CH3COONa，其提供了一种针对铁钴镍合金的刻蚀方法。

公开(公告)号：CN103199433A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201310111332.2

申请日：2008-12-12

Applicant: 未来之光有限责任公司

Inventor： 广山良治 ,  三宅泰人 ,  久纳康光 ,  别所靖之 ,  畑雅幸

IPC: H01S5/028 ,  H01S5/022 ,  H01S5/18 ,  H01S5/323 ,  H01L33/20 ,  B82Y20/00

CPC classification number: H01S5/32341 ,  H01L33/007 ,  H01L33/16 ,  H01L33/20 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0203 ,  H01S5/18 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3203 ,  H01S5/4031

Abstract: 本发明提供一种氮化物类半导体激光元件，其特征在于，包括：氮化物类半导体元件层，其形成于基板的主表面上，且具有发光层；第一共振器端面，其形成于所述氮化物类半导体元件层的包含所述发光层的端部；和反射面，其形成于与所述第一共振器端面相对的区域，至少由相对于所述主表面倾斜规定角度而延伸的（000－1）面、或{A+B、A、－2A－B、2A+B}面构成，在此，A≧0以及B≧0，且A和B中至少任一个是不为0的整数。

公开(公告)号：CN102136678A

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN201010502122.2

申请日：2010-09-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 广中美佐夫 ,  西口晴美 ,  藏本恭介 ,  楠政谕

IPC: H01S5/20

CPC classification number: H01S5/0202 ,  H01S5/0203 ,  H01S5/32341

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法。通过在n型GaN衬底(10)上形成半导体层叠结构(12)，从而形成具有多个半导体激光器(14)的晶片(16)。接着，在半导体激光器(14)间的分离区域(18)中，在晶片(16)的主面形成第1槽部(22)。接着，将晶片(16)分离为半导体激光器14排列为棒状的激光棒(26)。接着，在激光棒(26)的第1槽部(22)内，形成具有与第1槽部(22)相同或较窄的宽度的第2槽部(30)。接着，沿着第2槽部(30)将激光棒(26)分离为各个半导体激光器(14)。

公开(公告)号：CN101952982A

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN200880126957.3

申请日：2008-12-12

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 广山良治 ,  三宅泰人 ,  久纳康光 ,  别所靖之 ,  畑雅幸

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01S5/32341 ,  H01L33/007 ,  H01L33/16 ,  H01L33/20 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0203 ,  H01S5/18 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3203 ,  H01S5/4031

Abstract: 本发明提供一种氮化物类半导体发光二极管，其可抑制制造工艺复杂化，并且可提高来自发光层的光的输出效率，且可进一步提高半导体层的平坦性。该氮化物类半导体发光二极管(30)包括：基板(11)，其在主表面上形成有凹部(21)；氮化物类半导体层(12)，其在主表面上具有发光层(14)，并且包含以凹部的一内侧面(21a)为起点而形成的由(000-1)面构成的第一侧面(12a)、和夹着发光层而在第一侧面的相反侧的区域以凹部的另一内侧面(21b)为起点而形成的第二侧面(12b)。

公开(公告)号：CN105122472B

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201480022502.2

申请日：2014-03-19

Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司

Inventor： 安德烈亚什·普洛索

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/02 ,  B23K26/00 ,  B23K26/40 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/007 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2103/16 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/50 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/32 ,  H01L2933/0033 ,  H01S5/0203 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/343

Abstract: 在至少一个实施方式中，提出一种用于制造光电子半导体芯片(10)的方法，所述方法包括下述步骤：A)提供载体复合件(11)，所述载体复合件是蓝宝石晶片；B)将半导体层序列(2)施加到载体复合件(11)上；以及C)将载体复合件(11)和半导体层序列(2)分成各个半导体芯片(10)。在此，步骤C)包括：D)在载体复合件(11)中在分离区域(S)中通过聚焦的、脉冲的激光辐射(L)分别产生多个能选择性刻蚀的材料改变部，其中激光辐射(L)具有下述波长，在所述波长下，载体复合件(11)是透明的；以及E)将材料改变部湿化学地刻蚀，使得载体复合件(11)仅通过湿化学的刻蚀或以与其他的材料去除法组合的方式分割成用于半导体芯片(2)的各个载体(1)。

公开(公告)号：CN105576499A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201510984297.4

申请日：2015-12-25

Applicant: 福建中科光芯光电科技有限公司

Inventor： 苏辉 ,  张鹏

IPC: H01S5/02 ,  H01S5/24

CPC classification number: H01S5/0203 ,  H01S5/0205 ,  H01S5/24

Abstract: 本发明涉及一种InP沟槽腐蚀方法，包括以下步骤：步骤S1：提供一InGaAs-InP-InGaAs器件结构，所述InGaAs-InP-InGaAs器件结构包括一设置于表层的第一InGaAs层、一设置于中间层的一InP层以及一设置于底层的第二InGaAs层；步骤S2：在InGaAs层的表面生长SiO2，形成一SiO2层后进行光胶涂覆，对涂覆上的光胶中部进行图形光刻；步骤S3：在光胶的图形光刻处对生成的SiO2层进行刻蚀，并将SiO2层未刻蚀部分上的光胶去除；步骤S4：对第一InGaAs层以及所述InP层的中部进行腐蚀，形成的沟槽呈碗口状；步骤S5：对InP层继续进行腐蚀，第二InGaAs层不受到腐蚀，InP层形成的沟槽剖面呈等腰梯形；步骤S6：腐蚀结束后将SiO2层去除。本发明通过湿法腐蚀来实现，通过改变工艺条件中化学试剂的不同配比来实现沟槽形貌的控制。

公开(公告)号：CN104283093A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410294473.7

申请日：2014-06-26

Applicant: IMEC公司 ,  根特大学

Inventor： D·范托尔豪特 ,  Z·王 ,  J·范卡姆潘豪特 ,  M·潘图瓦基

IPC: H01S3/063

CPC classification number: H01S5/2077 ,  G02B6/12004 ,  G02B6/1228 ,  G02B2006/12078 ,  G02B2006/12121 ,  H01S5/0203 ,  H01S5/021 ,  H01S5/02236 ,  H01S5/026 ,  H01S5/042 ,  H01S5/2027 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2218 ,  H01S5/2272 ,  H01S5/3013 ,  H01S2301/176

Abstract: 本申请涉及混合波导激光器和用于制造混合波导激光器的方法。提供了亚微米III-V波导激光器，该激光器包括：宽度范围在50nm和800nm之间且高度范围在500nm和1200nm之间的沟道波导；邻近该波导横向各侧的横向包层；以及用于把光限制在波导内的光限制元件。该波导可包括III-V叠层，其包括：下包层、有源区和上包层。激光器可光耦合至输出波导。它可被电泵浦。提供了用于把亚微米III-V波导激光器集成在硅光子平台上的方法，该方法包括：在硅衬底上提供电绝缘层，通过该电绝缘层来蚀刻宽度范围在50nm和800nm之间的沟槽，通过局部外延生长在沟槽内提供III-V叠层以形成沟道波导，并提供光限制元件以便把光限制在沟道波导内。

公开(公告)号：CN101507062B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200780031381.8

申请日：2007-07-18

Applicant: 宾奥普迪克斯股份有限公司

Inventor： A·A·贝法

IPC: H01S3/04

CPC classification number: H01S5/0201 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/0203 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/18 ,  H01S5/22 ,  H01S5/34333

Abstract: 一种加工能够发射蓝光的激光器的工艺过程，其中，在CAIBE中使用500℃以上的温度和高于500V的离子束来蚀刻GaN晶片，以形成激光器波导和镜面，其中，所述激光器波导具有向内倾斜的侧壁。

公开(公告)号：CN101189768B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200680019622.2

申请日：2006-06-01

Applicant: 宾奥普迪克斯股份有限公司

Inventor： A·A·彼法 ,  A·T·舒瑞莫

IPC: H01S5/00 ,  H01S3/04

CPC classification number: H01S5/028 ,  H01S5/0203 ,  H01S5/0286 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/1082 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/18 ,  H01S5/22 ,  H01S2301/166

Abstract: 一种经蚀刻的端面单横向模式半导体光子器件，它是通过在经蚀刻的端面上沉积防反射涂层并以空间上受控制的方式沉积反射率修改涂层以修改所发射的光束的空间性能而制造的。

公开(公告)号：CN101569067A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200680056793.2

申请日：2006-12-26

Applicant: 宾奥普迪克斯股份有限公司

Inventor： A·A·贝法 ,  C·B·斯塔盖瑞斯库 ,  A·T·施雷默尔

IPC: H01S5/00

CPC classification number: H01S5/0201 ,  H01S5/0203 ,  H01S5/028 ,  H01S5/209

Abstract: 一种光子器件包括外延结构，该外延结构具有有源区且包括在有源区之上但靠近有源区的湿法蚀刻停止层。通过先干法蚀刻再湿法蚀刻在该外延结构上制造端面蚀刻脊型激光器。干法蚀刻被设计成在到达形成脊所需的深度之前停止。湿法蚀刻完成脊条的形成并在湿法蚀刻停止层处停止。