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公开(公告)号：CN104124319B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201410171732.7
申请日：2014-04-25
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/62 , H01L21/6835 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/24 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/82 , H01L24/85 , H01L24/96 , H01L33/24 , H01L33/38 , H01L33/387 , H01L33/40 , H01L33/486 , H01L33/502 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L2021/60 , H01L2221/6835 , H01L2221/68368 , H01L2221/68372 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L2224/04105 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/2101 , H01L2224/2105 , H01L2224/211 , H01L2224/215 , H01L2224/2401 , H01L2224/24011 , H01L2224/2405 , H01L2224/2413 , H01L2224/245 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48095 , H01L2224/48101 , H01L2224/4813 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/821 , H01L2224/82106 , H01L2224/85947 , H01L2224/96 , H01L2924/0002 , H01L2924/12035 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H01L2933/0016 , H01L2933/005 , H01L2933/0066 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/01079 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/00014 , H01L2224/82
Abstract: 本发明的课题在于，提供一种小型且具有充分的强度并且具备高量产性的发光装置。为此，本发明的发光装置具有：半导体芯片，其包含p型半导体层和n型半导体层，在该p型半导体层与该n型半导体层之间发光；p侧衬垫电极，其位于所述半导体芯片的上表面侧且配置在所述p型半导体层上；n侧衬垫电极，其位于所述半导体芯片的上表面侧且配置在所述n型半导体层上；树脂层，其配置为覆盖所述半导体芯片的上表面；和p侧连接电极以及n侧连接电极，其配置在所述树脂层的外表面，且位于所述半导体芯片的上表面侧，所述p侧衬垫电极与所述p侧连接电极之间以及所述n侧衬垫电极与所述n侧连接电极之间的至少一方通过配置在所述树脂内的金属丝而连接。
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公开(公告)号：CN104124319A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201410171732.7
申请日：2014-04-25
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/62 , H01L21/6835 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/24 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/82 , H01L24/85 , H01L24/96 , H01L33/24 , H01L33/38 , H01L33/387 , H01L33/40 , H01L33/486 , H01L33/502 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L2021/60 , H01L2221/6835 , H01L2221/68368 , H01L2221/68372 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L2224/04105 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/2101 , H01L2224/2105 , H01L2224/211 , H01L2224/215 , H01L2224/2401 , H01L2224/24011 , H01L2224/2405 , H01L2224/2413 , H01L2224/245 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48095 , H01L2224/48101 , H01L2224/4813 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/821 , H01L2224/82106 , H01L2224/85947 , H01L2224/96 , H01L2924/0002 , H01L2924/12035 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H01L2933/0016 , H01L2933/005 , H01L2933/0066 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/01079 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/00014 , H01L2224/82
Abstract: 本发明的课题在于，提供一种小型且具有充分的强度并且具备高量产性的发光装置。为此，本发明的发光装置具有：半导体芯片，其包含p型半导体层和n型半导体层，在该p型半导体层与该n型半导体层之间发光；p侧衬垫电极，其位于所述半导体芯片的上表面侧且配置在所述p型半导体层上；n侧衬垫电极，其位于所述半导体芯片的上表面侧且配置在所述n型半导体层上；树脂层，其配置为覆盖所述半导体芯片的上表面；和p侧连接电极以及n侧连接电极，其配置在所述树脂层的外表面，且位于所述半导体芯片的上表面侧，所述p侧衬垫电极与所述p侧连接电极之间以及所述n侧衬垫电极与所述n侧连接电极之间的至少一方通过配置在所述树脂内的金属丝而连接。
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公开(公告)号：CN101290928A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200810091998.5
申请日：2008-04-15
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L25/00 , H01L25/075 , H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种发光装置，包括：半导体发光元件，其在透光性基板上依次设置第一导电型的第一半导体层和第二导电型的第二半导体层，在第一半导体层的露出部设置有第一电极，在第二半导体层设置有第二电极；和支撑基板，其载置半导体发光元件；半导体发光元件俯视下为矩形，至少具有第一边和与第一边不同的第二边，从第一边侧的元件端面射出的光比从第二边侧的元件端面射出的光更强，两个以上的半导体发光元件按照第一边相互大致平行且相对的方式以列状被倒装片安装在支撑基板上。由此，能有效地对从半导体发光元件的端面射出的光进行反射，提高发光装置的光取出效率。
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公开(公告)号：CN110444643A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910787409.5
申请日：2016-02-17
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供一种发光元件，该发光元件具有能够进一步减少位错密度并且晶体取向好的半导体层。发光元件具备：蓝宝石基板，其在主面上具有c面；以及半导体层，其设于所述蓝宝石基板的主面侧，所述蓝宝石基板包括第一单元和多个第二单元，该第一单元包括具有与第一m轴以及第二m轴平行的边的第一区域、具有与第二m轴以及第三m轴平行的边的第二区域、以及具有与第一m轴以及第三m轴平行的边的第三区域，上述第一区域、第二区域以及第三区域在从主面侧观察时将假想的正六边形三等分成菱形，该多个第二单元与所述第一单元的各边对应地配置，并且与所述第一单元镜面对称，所述发光元件以隔开单元中央的区域地的方式配置。
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公开(公告)号：CN105895767B
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201610089939.9
申请日：2016-02-17
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/22
Abstract: 本发明的课题在于提供一种发光元件，该发光元件具有能够进一步减少位错密度并且晶体取向好的半导体层。发光元件具备：蓝宝石基板，其在主面上具有c面；以及半导体层，其设于所述蓝宝石基板的主面侧，所述蓝宝石基板包括第一单元和多个第二单元，该第一单元包括具有与第一m轴以及第二m轴平行的边的第一区域、具有与第二m轴以及第三m轴平行的边的第二区域、以及具有与第一m轴以及第三m轴平行的边的第三区域，上述第一区域、第二区域以及第三区域在从主面侧观察时将假想的正六边形三等分成菱形，该多个第二单元与所述第一单元的各边对应地配置，并且与所述第一单元镜面对称，所述发光元件以隔开单元中央的区域地的方式配置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110444643B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN201910787409.5
申请日：2016-02-17
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供一种发光元件，该发光元件具有能够进一步减少位错密度并且晶体取向好的半导体层。发光元件具备：蓝宝石基板，其在主面上具有c面；以及半导体层，其设于所述蓝宝石基板的主面侧，所述蓝宝石基板包括第一单元和多个第二单元，该第一单元包括具有与第一m轴以及第二m轴平行的边的第一区域、具有与第二m轴以及第三m轴平行的边的第二区域、以及具有与第一m轴以及第三m轴平行的边的第三区域，上述第一区域、第二区域以及第三区域在从主面侧观察时将假想的正六边形三等分成菱形，该多个第二单元与所述第一单元的各边对应地配置，并且与所述第一单元镜面对称，所述发光元件以隔开单元中央的区域地的方式配置。
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公开(公告)号：CN105895767A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610089939.9
申请日：2016-02-17
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/22
Abstract: 本发明的课题在于提供一种发光元件，该发光元件具有能够进一步减少位错密度并且晶体取向好的半导体层。发光元件具备：蓝宝石基板，其在主面上具有c面；以及半导体层，其设于所述蓝宝石基板的主面侧，所述蓝宝石基板包括第一单元和多个第二单元，该第一单元包括具有与第一m轴以及第二m轴平行的边的第一区域、具有与第二m轴以及第三m轴平行的边的第二区域、以及具有与第一m轴以及第三m轴平行的边的第三区域，上述第一区域、第二区域以及第三区域在从主面侧观察时将假想的正六边形三等分成菱形，该多个第二单元与所述第一单元的各边对应地配置，并且与所述第一单元镜面对称，所述发光元件以隔开单元中央的区域地的方式配置。
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公开(公告)号：CN101290928B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200810091998.5
申请日：2008-04-15
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L25/00 , H01L25/075 , H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种发光装置，包括：半导体发光元件，其在透光性基板上依次设置第一导电型的第一半导体层和第二导电型的第二半导体层，在第一半导体层的露出部设置有第一电极，在第二半导体层设置有第二电极；和支撑基板，其载置半导体发光元件；半导体发光元件俯视下为矩形，至少具有第一边和与第一边不同的第二边，从第一边侧的元件端面射出的光比从第二边侧的元件端面射出的光更强，两个以上的半导体发光元件按照第一边相互大致平行且相对的方式以列状被倒装片安装在支撑基板上。由此，能有效地对从半导体发光元件的端面射出的光进行反射，提高发光装置的光取出效率。
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公开(公告)号：CN1254893C
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN02810240.1
申请日：2002-06-12
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01S5/02
CPC classification number: H01S5/028 , H01S5/0203 , H01S5/0282 , H01S5/0286 , H01S5/1082 , H01S2301/18
Abstract: 本发明的半导体激光器元件，在基板上设置具有被n型层和p型夹着的活性层的半导体层，半导体层具有蚀刻形成的谐振器面和从谐振器面出射方向突出的突出部，其特征在于，从谐振器面到突出部的端面设置保护膜，从谐振器面出射的激光的垂直方向的光放射分布的放射半角比放射临界角大。
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公开(公告)号：CN1509508A
公开(公告)日：2004-06-30
申请号：CN02810240.1
申请日：2002-06-12
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01S5/02
CPC classification number: H01S5/028 , H01S5/0203 , H01S5/0282 , H01S5/0286 , H01S5/1082 , H01S2301/18
Abstract: 本发明的半导体激光器元件，在基板上设置具有被n型层和p型夹着的活性层的半导体层，半导体层具有蚀刻形成的谐振器面和从谐振器面出射方向突出的突出部，其特征在于，从谐振器面到突出部的端面设置保护膜，从谐振器面出射的激光的垂直方向的光放射分布的放射半角比放射临界角大。
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