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公开(公告)号：CN1723418A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200380105388.1
申请日：2003-10-08
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种形成防反射膜的组合物，其用于对在半导体器件的制造中使用的波长的光显示良好的光吸收性，具有很高的防反射光效果，与光致抗蚀剂层相比较具有较大的蚀刻速度有机防反射膜。具体地，本发明提供一种形成防反射膜的组合物，其特征在于，含有具有羟基烷基结构作为氮原子上的取代基的三嗪三酮化合物、低聚物化合物或高分子化合物。
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公开(公告)号：CN100547487C
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200380105388.1
申请日：2003-10-08
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种形成防反射膜的组合物，其用于对在半导体器件的制造中使用的波长的光显示良好的光吸收性，具有很高的防反射光效果，与光致抗蚀剂层相比较具有较大的蚀刻速度有机防反射膜。具体地，本发明提供一种形成防反射膜的组合物，其特征在于，含有具有羟基烷基结构作为氮原子上的取代基的三嗪三酮化合物、低聚物化合物或高分子化合物。
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公开(公告)号：CN100585496C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200580034605.1
申请日：2005-09-27
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/091
Abstract: 本发明的课题在于提供一种显示很高的防反射效果、不与光致抗蚀剂发生混合、具有比光致抗蚀剂大的干蚀刻速度的可以在半导体器件制造的光刻工序中使用的防反射膜，和用于形成该防反射膜的组合物。本发明通过提供下述组合物而解决了上述课题，即，一种形成光刻用防反射膜的组合物，其含有：将具有硫脲结构的含硫化合物和具有2个以上的被羟甲基或烷氧基甲基取代的氮原子的含氮化合物在酸催化剂的存在下反应获得的反应生成物，和溶剂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1934500A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200580008475.4
申请日：2005-03-15
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08L101/00 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/091 , C08G75/00 , C09D181/00 , C09D181/02 , H01L21/0276
Abstract: 本发明提供一种防反射膜和用于形成防反射膜的组合物，所述的防反射膜，防反射光的效果高，不发生与光致抗蚀剂的混合，能够在使用F2受激准分子激光(波长157nm)或ArF受激准分子激光(波长193nm)等短波长的光的光刻工艺中使用。本发明的用于形成防反射膜的组合物，其特征在于，包含固体成分和溶剂，硫原子在该固体成分中所占的比例为5～40质量％。上述固体成分包含具有至少5质量％的硫原子的聚合物等。
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公开(公告)号：CN1668982A
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN03816991.6
申请日：2003-07-11
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/091 , H01L21/0276 , Y10S430/151
Abstract: 本发明提供一种包含由羟基烷基和烷氧基烷基取代的尿素化合物以及优选含有吸光性化合物和/或吸光性树脂的形成防反射膜的组合物、采用该组合物的半导体装置防反射膜的形成方法，以及采用该组合物的半导体装置的制造方法。本发明的组合物相对半导体装置制造中使用的波长的光具有良好的光吸收性，因此，具有较高的防反射光效果，此外具有比光致抗蚀剂层更大的干蚀刻速度。
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公开(公告)号：CN1934500B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN200580008475.4
申请日：2005-03-15
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08L101/00 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/091 , C08G75/00 , C09D181/00 , C09D181/02 , H01L21/0276
Abstract: 本发明提供一种防反射膜和用于形成防反射膜的组合物，所述的防反射膜，防反射光的效果高，不发生与光致抗蚀剂的混合，能够在使用F2受激准分子激光(波长157nm)或ArF受激准分子激光(波长193nm)等短波长的光的光刻工艺中使用。本发明的用于形成防反射膜的组合物，其特征在于，包含固体成分和溶剂，硫原子在该固体成分中所占的比例为5～40质量％。上述固体成分包含具有至少5质量％的硫原子的聚合物等。
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公开(公告)号：CN100514188C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN03816991.6
申请日：2003-07-11
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/091 , H01L21/0276 , Y10S430/151
Abstract: 本发明提供一种包含由羟基烷基和烷氧基烷基取代的尿素化合物以及优选含有吸光性化合物和/或吸光性树脂的形成防反射膜的组合物、采用该组合物的半导体装置防反射膜的形成方法，以及采用该组合物的半导体装置的制造方法。本发明的组合物相对半导体装置制造中使用的波长的光具有良好的光吸收性，因此，具有较高的防反射光效果，此外具有比光致抗蚀剂层更大的干蚀刻速度。
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公开(公告)号：CN101040220A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200580034605.1
申请日：2005-09-27
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/091
Abstract: 本发明的课题在于提供一种显示很高的防反射效果、不与光致抗蚀剂发生混合、具有比光致抗蚀剂大的干蚀刻速度的可以在半导体器件制造的光刻工序中使用的防反射膜，和用于形成该防反射膜的组合物。本发明通过提供下述组合物而解决了上述课题，即，一种形成光刻用防反射膜的组合物，其含有：将具有硫脲结构的含硫化合物和具有2个以上的被羟甲基或烷氧基甲基取代的氮原子的含氮化合物在酸催化剂的存在下反应获得的反应生成物，和溶剂。
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