-
公开(公告)号：CN107111231B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201580069713.6
申请日：2015-12-14
Applicant: 日产化学工业株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供新的感光性树脂组合物。本发明的解决方法是一种感光性树脂组合物，其包含：具有下述式(1)所示的重复结构单元、且两末端具有(甲基)丙烯酰基的聚合物、二官能(甲基)丙烯酸酯化合物、多官能硫醇化合物、光自由基产生剂、和有机溶剂，相对于前述聚合物的含量，该感光性树脂组合物含有5质量％～50质量％的前述二官能(甲基)丙烯酸酯化合物，且含有0.1质量％～10质量％的前述多官能硫醇化合物。(式中，R1和R2分别独立地表示单键、亚甲基或亚乙基，Y表示上述式(2)所示的亚烷基或者表示该式(2)所示的亚烷基与上述式(3)所示的亚烷基的组合，n表示1～110的整数，X表示二价的、脂肪族烃基、脂环式烃基或芳香族烃基。)
-
公开(公告)号：CN103068947B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201180039192.1
申请日：2011-07-29
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C09J171/08 , B32B27/00 , C08G65/40
CPC classification number: C09J171/12 , C08G65/007 , C08G65/40 , C08G65/4012 , C08G2650/40 , C08G2650/60 , C08L71/00 , C09J171/00 , C09J171/08 , Y10T428/269
Abstract: 本发明的课题是提供容易溶解在各种有机溶剂中，能够涂布性良好地形成充分厚度的粘接层，并且该粘接层在金属凸块接合、CVD、离子扩散工序等高温工艺中热重量减少极少，附着性良好的高耐热性粘接剂组合物。作为解决本发明课题的手段是一种粘接剂组合物，其包含下述聚合物，所述聚合物是包含下述式(1)的单元结构的聚合物，在该聚合物的末端、侧链、或主链上具有至少一个具有式(2－A)、式(2－B)、或它们两者的结构的基团的聚合物。(式中，L1表示亚芳基、或者亚芳基与磺酰基或羰基的组合，T1表示氟代亚烷基、亚环烷基、具有取代基的亚芳基、或者可以具有取代基的亚芳基与氟代亚烷基或亚环烷基的组合。)。
-
公开(公告)号：CN103781821A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201280043274.8
申请日：2012-09-06
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C08G73/06 , C08G59/26 , C08G59/32 , C09J179/04 , C09J163/00 , H01L21/02 , H01L23/29
CPC classification number: C09J179/04 , C08G59/26 , C08G59/3236 , C08G73/06 , C08G73/0633 , C08G73/0638 , C08G73/0677 , C08K5/04 , C08K5/07 , C09D11/10 , C09D11/102 , C09J11/06 , C09J163/00 , G03F7/09 , G03F7/094 , G03F7/11 , H01L21/02118 , H01L21/02282 , H01L23/293 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的课题在于提供新的聚合物、和含有上述聚合物的组合物以及可得到具有所需特性的固化膜的新的粘合剂用组合物。本发明通过下述技术手段解决了上述课题，提供一种聚合物，其是具有下述式（1）所示的结构单元的聚合物（式中，X为二价基团，R1表示碳原子数为1～10的亚烷基、碳原子数为2～10的亚烯基或亚炔基、碳原子数为6～14的亚芳基、碳原子数为4～10的环状亚烷基等），或具有下述式（6）所示的结构单元的聚合物（式中，Q4表示乙烯基、烯丙基、环氧基或缩水甘油基，R5表示二价的有机基团，该二价的有机基团具有：仅包含碳原子的主链、或者包含碳原子和选自氧原子、氮原子和硫原子中的至少一种原子的主链），还提供含有该聚合物的组合物以及含有该聚合物和溶剂的粘合剂用组合物。。
-
公开(公告)号：CN101622580B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN200880006374.7
申请日：2008-02-19
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , G03F7/2059
Abstract: 本发明的课题在于提供在使用电子束光刻的器件制作工序中所使用的、对于降低由电子束产生的不良影响、获得良好的抗蚀剂图案有效的电子束光刻用抗蚀剂下层膜组合物，和提供使用该电子束光刻用抗蚀剂下层膜组合物的抗蚀剂图案形成方法。本发明的解决手段在于：包含具有含有卤原子的重复单元结构的高分子化合物和溶剂的形成电子束光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，其在基板上的形成转印图案的加工对象膜与电子束光刻用抗蚀剂膜之间成膜而使用，用于半导体器件制造。所述高分子化合物至少含有10质量％的卤原子。
-
公开(公告)号：CN103068947A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201180039192.1
申请日：2011-07-29
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C09J171/08 , B32B27/00 , C08G65/40
CPC classification number: C09J171/12 , C08G65/007 , C08G65/40 , C08G65/4012 , C08G2650/40 , C08G2650/60 , C08L71/00 , C09J171/00 , C09J171/08 , Y10T428/269
Abstract: 本发明的课题是提供容易溶解在各种有机溶剂中，能够涂布性良好地形成充分厚度的粘接层，并且该粘接层在金属凸块接合、CVD、离子扩散工序等高温工艺中热重量减少极少，附着性良好的高耐热性粘接剂组合物。作为解决本发明课题的手段是一种粘接剂组合物，其包含下述聚合物，所述聚合物是包含下述式(1)的单元结构的聚合物，在该聚合物的末端、侧链、或主链上具有至少一个具有式(2－A)、式(2－B)、或它们两者的结构的基团的聚合物。式中，L1表示亚芳基、或者亚芳基与磺酰基或羰基的组合，T1表示氟代亚烷基、亚环烷基、具有取代基的亚芳基、或者可以具有取代基的亚芳基与氟代亚烷基或亚环烷基的组合。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101180580B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200680017625.2
申请日：2006-05-24
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题在于提供一种含有萘树脂衍生物的形成光刻用涂布型下层膜的组合物。本发明通过提供下述形成光刻用涂布型下层膜的组合物而解决了上述课题，即，一种形成光刻用涂布型下层膜的组合物，其含有下述通式(1)所示的化合物，式中，A表示具有芳香族基团的有机基团，R1表示羟基、烷基、烷氧基、卤基、硫醇基、氨基或酰胺基，m1是萘环上取代的A的个数，表示1～6的整数，m2是萘环上取代的R1的个数，表示0～5的整数，m1+m2的和是1～6的整数，在6以外的情况下的剩余部表示氢原子，n表示2～7000的重复单元数。
-
公开(公告)号：CN100585496C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200580034605.1
申请日：2005-09-27
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/091
Abstract: 本发明的课题在于提供一种显示很高的防反射效果、不与光致抗蚀剂发生混合、具有比光致抗蚀剂大的干蚀刻速度的可以在半导体器件制造的光刻工序中使用的防反射膜，和用于形成该防反射膜的组合物。本发明通过提供下述组合物而解决了上述课题，即，一种形成光刻用防反射膜的组合物，其含有：将具有硫脲结构的含硫化合物和具有2个以上的被羟甲基或烷氧基甲基取代的氮原子的含氮化合物在酸催化剂的存在下反应获得的反应生成物，和溶剂。
-
公开(公告)号：CN101040221A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200580034611.7
申请日：2005-09-27
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G59/42 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/091 , C09D163/00 , G03F7/0382
Abstract: 本发明的课题在于提供一种形成下层防反射膜的组合物，其在半导体器件制造的光刻工序中使用、并且用于形成可通过光致抗蚀剂用碱性显影液进行显影的下层防反射膜，还提供一种使用该形成下层防反射膜的组合物的光致抗蚀剂图形的形成方法。本发明通过提供下述组合物解决了上述课题，即，一种形成下层防反射膜的组合物，其含有：聚酰胺酸、具有2个以上的环氧基的交联性化合物、芳香族磺酸酯化合物、光酸发生剂及溶剂。
-
公开(公告)号：CN1842744A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200480024583.6
申请日：2004-08-27
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/091 , Y10S438/952
Abstract: 本发明的课题在于提供一种形成防反射膜的组合物，所述防反射膜是在半导体器件制造的光刻工序中使用的、用于形成可通过光致抗蚀剂用碱性显影液进行显影的防反射膜，还提供一种使用该形成防反射膜的组合物的光致抗蚀剂图形的形成方法。本发明通过提供下述组合物解决了上述课题，即，一种形成防反射膜的组合物，其包含：由四羧酸二酐化合物和具有至少一个羧基的双胺化合物制造出的聚酰胺酸、具有至少2个环氧基的化合物、及溶剂。
-
公开(公告)号：CN107709388B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201680036679.7
申请日：2016-06-15
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C08F290/06 , G03F7/004 , G03F7/027 , G03F7/038
Abstract: 本发明提供一种新型的光固化性树脂组合物。该光固化性树脂组合物包含重均分子量为1,000～50,000的聚合物、自由基型光聚合引发剂和溶剂，所述聚合物具有下述式(1)所示的结构单元且在末端具有下述式(2)所示的结构。(式中，X表示碳原子数1～6的烷基、乙烯基、烯丙基或缩水甘油基，m和n分别独立地表示0或1，Q表示碳原子数1～16的二价烃基，Z表示碳原子数1～4的二价连结基团，该二价连结基团与上述式(1)中的‑O‑基键合，R1表示氢原子或甲基。)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
49
records
(took 0.032 seconds)
