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公开(公告)号：CN107430343B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201680018426.7
申请日：2016-03-18
Applicant: 日产化学工业株式会社
Abstract: 本申请的课题在于提供一种用于形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，所述光刻用抗蚀剂下层膜在半导体装置制造的光刻工艺中，不仅能够作为减轻对半导体基板上所形成的光致抗蚀剂层的曝光照射光从基板的反射的下层防反射膜来使用，而且特别适合作为用于将具有凹凸的半导体基板平坦地埋入的平坦化膜来使用。作为解决本发明课题的手段为一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：(A)分子内具有环状脂肪族骨架、1个以上环氧基以及光吸收部位的脂环式环氧化合物，(B)热产酸剂以及(C)溶剂。
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公开(公告)号：CN101052919A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200580037457.9
申请日：2005-10-25
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G59/14 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/091 , C08G59/1433 , C08G59/1483 , C08G59/26 , C08G59/28 , Y10S438/952
Abstract: 本发明的课题在于提供，能够形成防反射光效果好，与光致抗蚀剂不发生混合，具有比光致抗蚀剂大的蚀刻速度，能够形成在下部没有褶边状(基脚：footing)的光致抗蚀剂图案，在采用ArF准分子激光和F2准分子激光等光刻工艺中能够使用的防反射膜，和用于形成该防反射膜的形成光刻用防反射膜的组合物，本发明提供了形成光刻用防反射膜的组合物，它含有高分子化合物、交联性化合物、交联催化剂、磺酸酯化合物和溶剂。
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公开(公告)号：CN107430343A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680018426.7
申请日：2016-03-18
Applicant: 日产化学工业株式会社
Abstract: 本申请的课题在于提供一种用于形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，所述光刻用抗蚀剂下层膜在半导体装置制造的光刻工艺中，不仅能够作为减轻对半导体基板上所形成的光致抗蚀剂层的曝光照射光从基板的反射的下层防反射膜来使用，而且特别适合作为用于将具有凹凸的半导体基板平坦地埋入的平坦化膜来使用。作为解决本发明课题的手段为一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：(A)分子内具有环状脂肪族骨架、1个以上环氧基以及光吸收部位的脂环式环氧化合物，(B)热产酸剂以及(C)溶剂。
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公开(公告)号：CN101052919B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200580037457.9
申请日：2005-10-25
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G59/14 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/091 , C08G59/1433 , C08G59/1483 , C08G59/26 , C08G59/28 , Y10S438/952
Abstract: 本发明的课题在于提供，能够形成防反射光效果好，与光致抗蚀剂不发生混合，具有比光致抗蚀剂大的蚀刻速度，能够形成在下部没有褶边状(基脚：footing)的光致抗蚀剂图案，在采用ArF准分子激光和F2准分子激光等光刻工艺中能够使用的防反射膜，和用于形成该防反射膜的形成光刻用防反射膜的组合物，本发明提供了形成光刻用防反射膜的组合物，它含有高分子化合物、交联性化合物、交联催化剂、磺酸酯化合物和溶剂。
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公开(公告)号：CN1954265A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200580015398.5
申请日：2005-05-11
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/38 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0392 , G03F7/091 , G03F7/095 , G03F7/11 , G03F7/168
Abstract: 本发明的课题在于提供一种形成防反射膜的组合物，其用于形成在半导体器件制造的光刻工序中使用的、可通过光致抗蚀剂用碱性显影液进行显影的防反射膜，还提供一种使用该形成防反射膜的组合物的光致抗蚀剂图案的形成方法。本发明通过提供下述组合物解决了上述课题，即，一种形成防反射膜的组合物，其包含：具有至少2个乙烯基醚基的化合物、具有至少2个酚性羟基或羧基的碱可溶性化合物、光酸发生剂和溶剂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104885010A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201380069317.4
申请日：2013-12-17
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11
CPC classification number: C09D167/04 , C08G63/065 , C08J3/095 , C08J2367/04 , C08K5/0008 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11
Abstract: 本发明的课题是提供在以丙二醇单甲基醚作为主成分的溶剂中的溶解性优异的抗蚀剂下层膜形成用组合物。作为解决本发明课题的方法涉及一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：具有下述式(1a)或式(1c)所示的结构单元、和下述式(1b)所示的结构单元的聚合物，以及含有超过50质量％的丙二醇单甲基醚的溶剂，上述式(1a)或式(1c)所示的结构单元与式(1b)所示的结构单元交替地排列(式(1a)和式(1b)中，Q表示亚苯基或亚萘基，m表示1或2，n各自独立地表示0或1)。
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公开(公告)号：CN101040221A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200580034611.7
申请日：2005-09-27
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G59/42 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/091 , C09D163/00 , G03F7/0382
Abstract: 本发明的课题在于提供一种形成下层防反射膜的组合物，其在半导体器件制造的光刻工序中使用、并且用于形成可通过光致抗蚀剂用碱性显影液进行显影的下层防反射膜，还提供一种使用该形成下层防反射膜的组合物的光致抗蚀剂图形的形成方法。本发明通过提供下述组合物解决了上述课题，即，一种形成下层防反射膜的组合物，其含有：聚酰胺酸、具有2个以上的环氧基的交联性化合物、芳香族磺酸酯化合物、光酸发生剂及溶剂。
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公开(公告)号：CN1842744A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200480024583.6
申请日：2004-08-27
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/091 , Y10S438/952
Abstract: 本发明的课题在于提供一种形成防反射膜的组合物，所述防反射膜是在半导体器件制造的光刻工序中使用的、用于形成可通过光致抗蚀剂用碱性显影液进行显影的防反射膜，还提供一种使用该形成防反射膜的组合物的光致抗蚀剂图形的形成方法。本发明通过提供下述组合物解决了上述课题，即，一种形成防反射膜的组合物，其包含：由四羧酸二酐化合物和具有至少一个羧基的双胺化合物制造出的聚酰胺酸、具有至少2个环氧基的化合物、及溶剂。
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公开(公告)号：CN104885010B
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201380069317.4
申请日：2013-12-17
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11
CPC classification number: C09D167/04 , C08G63/065 , C08J3/095 , C08J2367/04 , C08K5/0008 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11
Abstract: 本发明的课题是提供在以丙二醇单甲基醚作为主成分的溶剂中的溶解性优异的抗蚀剂下层膜形成用组合物。作为解决本发明课题的方法涉及一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：具有下述式(1a)或式(1c)所示的结构单元、和下述式(1b)所示的结构单元的聚合物，以及含有超过50质量％的丙二醇单甲基醚的溶剂，上述式(1a)或式(1c)所示的结构单元与式(1b)所示的结构单元交替地排列(式(1a)和式(1b)中，Q表示亚苯基或亚萘基，m表示1或2，n各自独立地表示0或1。)。
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公开(公告)号：CN1954265B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN200580015398.5
申请日：2005-05-11
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/38 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0392 , G03F7/091 , G03F7/095 , G03F7/11 , G03F7/168
Abstract: 本发明的课题在于提供一种形成防反射膜的组合物，其用于形成在半导体器件制造的光刻工序中使用的、可通过光致抗蚀剂用碱性显影液进行显影的防反射膜，还提供一种使用该形成防反射膜的组合物的光致抗蚀剂图案的形成方法。本发明通过提供下述组合物解决了上述课题，即，一种形成防反射膜的组合物，其包含：具有至少2个乙烯基醚基的化合物、具有至少2个酚性羟基或羧基的碱可溶性化合物、光酸发生剂和溶剂。
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