公开(公告)号：CN118843834A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202380026004.4

申请日：2023-03-09

申请人： 日产化学株式会社

发明人： 森谷俊介 ,  岸冈高广

IPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/20

摘要： 一种半导体制造用晶片端部保护膜形成用组合物，其包含具有交联性基的聚合物或化合物、以及溶剂，上述溶剂包含第1溶剂和第2溶剂，在将乙酸正丁酯的蒸发速度设为1的情况下，上述第1溶剂的蒸发速度为0.10以上，并且上述第2溶剂的蒸发速度为0.05以下。

公开(公告)号：CN118742855A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202380022676.8

申请日：2023-02-21

申请人： 日产化学株式会社

发明人： 岸冈高广 ,  森谷俊介

IPC分类号： G03F7/033 ,  C08F212/08 ,  C08F220/10 ,  C08F220/26 ,  C08F220/30 ,  G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/20

摘要： 本发明提供一种能够形成保护膜的材料，所述保护膜在半导体装置的制造中具有为了保护半导体制造用基板的端部所需要的充分的耐蚀刻性。[解决手段]一种光固化性组合物，其包含自交联性聚合物及溶剂，所述自交联性聚合物包含第一单体单元及第二单体单元，所述第一单体单元在侧链中包含芳基酮残基，所述第二单体单元在侧链中包含脂肪族烃残基和/或芳香族环残基，所述脂肪族烃残基包含容易发生夺氢反应的碳原子；一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序：在半导体基板上形成抗蚀剂膜的工序；通过对抗蚀剂膜照射光或电子射线，然后进行显影而形成抗蚀剂图案的工序；和通过蚀刻而对半导体基板进行加工的工序，在所述半导体装置的制造方法中，还包括下述工序：在半导体制造用晶圆的正面端部以及任选地在晶圆的倒角部和/或背面端部形成由所述光固化性组合物制成的保护膜。

公开(公告)号：CN117940850A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202280059504.3

申请日：2022-09-02

申请人： 日产化学株式会社

发明人： 柴山亘 ,  武田谕 ,  森谷俊介 ,  岸冈高广

IPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/40

摘要： 为了使用Ru等不是Cu的新的金属，通过减成法来制造半导体元件，提供形成可以作为用于将Ru等选自元素周期表第6族、7族、8族、和9族中的金属的膜进行干蚀刻的蚀刻掩模而适合使用的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其形成含有硅的抗蚀剂下层膜，上述含有硅的抗蚀剂下层膜用于在将包含选自元素周期表第6族、7族、8族、和9族中的至少1种金属的金属膜进行干蚀刻时作为蚀刻掩模而使用。

公开(公告)号：CN116508132A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202180079636.8

申请日：2021-11-26

申请人： 日产化学株式会社

发明人： 绪方裕斗 ,  新城彻也 ,  森谷俊介 ,  福田拓也 ,  奥野贵久

IPC分类号： H01L21/02

摘要： 一种层叠体，具有：支承基板；半导体基板，在所述支承基板侧具有凸块；无机材料层，介于所述支承基板与所述半导体基板之间，且与所述半导体基板相接；以及粘接层，介于所述支承基板与所述无机材料层之间，且与所述支承基板和所述无机材料层相接，所述层叠体用于在所述层叠体中的所述半导体基板的加工后使所述支承基板与所述半导体基板分离的用途，所述支承基板与所述半导体基板分离时的、所述无机材料层与所述粘接层的粘接力小于所述无机材料层与所述半导体基板的粘接力。

公开(公告)号：CN116034453A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202180049745.5

申请日：2021-07-20

申请人： 日产化学株式会社

发明人： 岸冈高广 ,  臼井友辉 ,  森谷俊介

IPC分类号： H01L21/304

摘要： 提供在半导体装置制造工序中用于将形成在基板上的异物除去的简便的方法，并提供那样的方法所使用的异物除去用涂膜形成用组合物。一种组合物，是包含聚合物和溶剂、能够形成溶解于显影液的涂膜的异物除去用涂膜形成用组合物，上述聚合物选自苯酚酚醛清漆、聚羟基苯乙烯衍生物和含有羧酸的聚合物，所述组合物包含相对于组合物中的固体成分整体为50质量％以上的上述聚合物。

公开(公告)号：CN113166624A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980075287.5

申请日：2019-11-14

申请人： 日产化学株式会社

发明人： 泽田和宏 ,  森谷俊介 ,  新城彻也 ,  福田拓也

IPC分类号： C09J183/04 ,  B32B27/00 ,  C09J5/00 ,  C09J11/08 ,  C09J183/05

摘要： 本发明涉及一种红外线剥离用粘接剂组合物，其能通过照射红外线而剥离，所述红外线剥离用粘接剂组合物含有：成分(A)，通过氢化硅烷化反应而固化；以及成分(B)，选自由包含环氧改性聚有机硅氧烷的成分、包含含甲基的聚有机硅氧烷的成分以及包含含苯基的聚有机硅氧烷的成分构成的组中的至少一种。

公开(公告)号：CN113165344A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980077764.1

申请日：2019-11-26

申请人： 日产化学株式会社

发明人： 森谷俊介 ,  泽田和宏 ,  新城彻也

IPC分类号： B32B27/00 ,  C09J11/06 ,  C09J183/04 ,  C09J183/05 ,  C09J183/07 ,  H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  B32B7/12

摘要： 本发明涉及一种粘接剂组合物，其用于在由半导体形成基板构成的第一基体与由支承基板构成的第二基体之间形成以能剥离的方式粘接的粘接层，所述粘接剂组合物包含：成分(A)，通过氢化硅烷化反应而固化；以及剥离成分(B)，含有包含环氧改性聚有机硅氧烷的成分，所述成分(A)包含聚硅氧烷(A1)和铂族金属系催化剂(A2)，所述聚硅氧烷(A1)包含SiO2所示的硅氧烷单元(Q单元)等，所述聚硅氧烷(A1)包含聚有机硅氧烷(a1)和聚有机硅氧烷(a2)，所述聚有机硅氧烷(a1)包含SiO2所示的硅氧烷单元(Q’单元)等，所述聚有机硅氧烷(a2)包含SiO2所示的硅氧烷单元(Q”单元)等，并且官能团(Si－H)的量为5.0mol/kg以上。

公开(公告)号：CN118507421A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410586917.8

申请日：2018-10-30

申请人： 日产化学株式会社

发明人： 荻野浩司 ,  西卷裕和 ,  柄泽凉 ,  新城彻也 ,  上林哲 ,  森谷俊介 ,  奥野贵久

IPC分类号： H01L21/683 ,  C09J161/06 ,  C09J183/04 ,  C09J183/07

摘要： 本发明是在支持体与被加工物之间具有以能够剥离的方式粘接的中间层、用于通过切断等分离被加工物、或是用于进行晶片的背面研磨等加工的层叠体，该中间层至少含有与支持体侧接触的剥离层，剥离层含有能够吸收隔着支持体照射的190nm～600nm的光而改性的酚醛清漆树脂，本发明提供可以不进行机械加工就可以进行分离的材料和方法。本发明是支持体与晶片的电路面之间具有以能够剥离的方式粘接的中间层的用于晶片背面研磨的层叠体，该中间层含有与晶片一侧接触的粘接层和与支持体侧接触的剥离层，剥离层能够吸收隔着支持体照射的190nm～600nm的光而改性的酚醛清漆树脂。剥离层的透光率在190nm～600nm的范围为1～90％。光吸收改性是酚醛清漆树脂的光分解。

公开(公告)号：CN115989142A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202180052586.4

申请日：2021-08-20

申请人： 日产化学株式会社

发明人： 奥野贵久 ,  臼井友辉 ,  绪方裕斗 ,  森谷俊介 ,  柳井昌树 ,  新城彻也

IPC分类号： B32B27/00

摘要： 一种层叠体，其特征在于，具备：半导体基板；支承基板；设为与上述半导体基板相接的剥离层；以及设于上述支承基板与上述剥离层之间的粘接层，上述剥离层是由包含主要由聚二甲基硅氧烷组成的聚有机硅氧烷成分的剥离剂组合物得到的膜，上述聚有机硅氧烷成分在25℃下的粘度为5.50×103Pa·s～0.75×103Pa·s，上述膜的厚度为0.01μm～4.90μm。

公开(公告)号：CN115335967A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202180023489.2

申请日：2021-03-22

申请人： 日产化学株式会社

发明人： 奥野贵久 ,  柳井昌树 ,  福田拓也 ,  绪方裕斗 ,  森谷俊介 ,  荻野浩司 ,  新城彻也

IPC分类号： H01L21/304 ,  C11D7/24

摘要： 本发明提供一种半导体基板的清洗方法，其包括使用剥离用组合物来剥离半导体基板上的粘接层的工序，上述剥离用组合物包含溶剂，不包含盐，上述溶剂包含80质量％以上的式(L0)～(L4)中的任一式所示的有机溶剂。(式中，L101～L112分别独立地表示氢原子、碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的炔基，L101～L112中的至少一个表示碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的炔基，L201～L210分别独立地表示氢原子、碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的炔基，L201～L210中的至少一个表示碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的炔基，L301～L308分别独立地表示氢原子、碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的炔基，L301～L308中的至少一个表示碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的炔基，L401～L408分别独立地表示氢原子、碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的炔基，L401～L408中的至少一个表示碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的炔基)。