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公开(公告)号：CN112673561A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201880097362.3
申请日：2018-09-13
IPC分类号： H02M3/28
摘要： 具有：变换电路(10)，其具有开关元件，通过开关元件的开关动作而将直流电压变换为交流电压；绝缘变压器(3)，其输入侧与变换电路(10)连接；整流电路(4)，其与绝缘变压器(3)的输出侧连接；谐振电路，其与绝缘变压器(3)的输出侧连接；以及控制电路(100)，其对开关元件进行控制，在谐振电路中流动的电流经由绝缘变压器(3)而从开关元件的低电位侧端子向高电位侧端子流动的期间，控制电路(100)使开关元件导通。
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公开(公告)号：CN112673561B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN201880097362.3
申请日：2018-09-13
IPC分类号： H02M3/28
摘要： 具有：变换电路(10)，其具有开关元件，通过开关元件的开关动作而将直流电压变换为交流电压；绝缘变压器(3)，其输入侧与变换电路(10)连接；整流电路(4)，其与绝缘变压器(3)的输出侧连接；谐振电路，其与绝缘变压器(3)的输出侧连接；以及控制电路(100)，其对开关元件进行控制，在谐振电路中流动的电流经由绝缘变压器(3)而从开关元件的低电位侧端子向高电位侧端子流动的期间，控制电路(100)使开关元件导通。
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公开(公告)号：CN109690800B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN201680088889.0
申请日：2016-08-31
申请人： 日产自动车株式会社
摘要： 一种光伏装置，具备：有机半导体(10)，其包括产生激子的光活性区域(11)；以及无机半导体(20)，其包括将激子所包含的载流子解离出的解离区域(21)，具有压电性，其中，在光活性区域(11)与解离区域(21)之间，能级的关系满足下述式(1)和下述式(2)中的至少任一方。
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公开(公告)号：CN112514037A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201880096084.X
申请日：2018-07-27
申请人： 日产自动车株式会社
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
摘要： 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置具有：基板(10)、配置在基板(10)的主面的半导体层(20)、以及经由半导体层(20)而在基板(10)之上分离而配置且在导通状态下作为流动的主电流的电流通路的各端部的第一主电极(30)及第二主电极(40)，半导体层(20)具有：在主电流流动的第一导电型漂移区(21)、在漂移区(21)的内部配置并与电流通路平行延伸的第二导电型柱区(22)、以及在漂移区(21)与柱区(22)之间的至少一部分配置且杂质浓度比相同导电型的邻接区域低的低浓度区或非掺杂区的任一区即电场缓和区(23)。
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公开(公告)号：CN112005379B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201880092525.9
申请日：2018-04-19
申请人： 日产自动车株式会社
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868
摘要： 具备：第一导电型的漂移区域(21)，其具有接触部(211)以及沿着基板的主面延伸的延伸部(212)；第二导电型的列区域(22)，其沿着与延伸部(212)的延伸方向垂直的方向与延伸部(212)交替配置，一端部与接触部(211)连接；第二导电型的阱区域(23)，其分别与列区域(22)的另一端部以及延伸部(212)的前端连接；电场缓和电极(30)，其经由绝缘膜(60)配置在除了形成于延伸部(212)和列区域(22)之间的界面上的电压保持pn结部以外的剩余的pn结部的至少一部分的上方。
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公开(公告)号：CN112005349A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201880092483.9
申请日：2018-04-19
申请人： 日产自动车株式会社
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
摘要： 具备：基板(1)；配置在基板(1)的主面上的第一导电型的漂移区域(4)；从漂移区域(4)的第二主面向第二主面的垂直方向延伸设置、且具有到达基板(1)内的底部的第二导电型的第一阱区域(21)；与底部接触、且配置在比底部更下方的基板(1)内的第二导电型的第二阱区域(22)；以及，从第二主面中的形成有第一阱区域(21)的区域向垂直方向延伸设置、且到达第二阱区域(22)的第一导电型的源极区域(3)。在与第二主面平行且从源极电极(15)朝向漏极电极(16)的方向上，第二阱区域(22)与栅极绝缘膜(6)相接触的距离比第一阱区域(21)与栅极绝缘膜(6)相接触的距离短。
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公开(公告)号：CN110291620A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201780086361.4
申请日：2017-02-14
申请人： 日产自动车株式会社
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
摘要： 本发明提供一种半导体装置，具有：形成于衬底(1)的第一主面的第一导电型的第一漂移区域(4)、形成于衬底(1)的第一主面且形成至衬底(1)的比第一漂移区域(4)更深的位置的第一导电型的第二漂移区域(41)。还具备：与第二漂移区域相接的第二导电型的阱区域、从阱区域的表面向垂直方向延伸设置的第一导电型的源极区域、与阱区域分开且从第一漂移区域的表面向垂直方向延伸设置的第一导电型的漏极区域。通过沟道之后的电子的流路变宽，因此能够降低电阻。
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公开(公告)号：CN111699560B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN201880088719.1
申请日：2018-02-06
申请人： 日产自动车株式会社
IPC分类号： H01L29/872 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
摘要： 半导体装置具备：在基板的主面形成的主槽、与主槽的表面接触而形成的半导体区域、至少与主槽的侧面的相反侧的半导体区域的表面接触而形成并在半导体区域产生二维电子气体层的电子供给区域、与二维电子气体层接触且相互分离而形成的第一电极和第二电极。
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公开(公告)号：CN113330578A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201980089860.8
申请日：2019-01-21
申请人： 日产自动车株式会社
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868
摘要： 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置具有：半导体基体(20)、以及配置在半导体基体(20)的第一主电极(30)及第二主电极(40)。半导体基体(20)具有：主电流流动的第一导电型的漂移区域(21)、与主电流的电流通路平行且与漂移区域(21)邻接而配置的第二导电型的柱区(22)、与第二主电极(40)电连接的第一导电型的第二电极连接区域(24)、以及配置在第二电极连接区域(24)与柱区(22)之间且杂质浓度比漂移区域(21)低的第一导电型的低浓度电场缓和区域(25)。
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公开(公告)号：CN110291620B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201780086361.4
申请日：2017-02-14
申请人： 日产自动车株式会社
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
摘要： 本发明提供一种半导体装置，具有：形成于衬底(1)的第一主面的第一导电型的第一漂移区域(4)、形成于衬底(1)的第一主面且形成至衬底(1)的比第一漂移区域(4)更深的位置的第一导电型的第二漂移区域(41)。还具备：与第二漂移区域相接的第二导电型的阱区域、从阱区域的表面向垂直方向延伸设置的第一导电型的源极区域、与阱区域分开且从第一漂移区域的表面向垂直方向延伸设置的第一导电型的漏极区域。通过沟道之后的电子的流路变宽，因此能够降低电阻。
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