公开(公告)号：CN107428544A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680019610.3

申请日：2016-03-30

Applicant: 日挥触媒化成株式会社

Inventor： 俵迫祐二 ,  若宫義宪 ,  柏田真吾 ,  井上一昭 ,  中山和洋 ,  小松通郎

IPC: C01B33/146 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明的课题在于提供一种即便是二氧化硅膜、Si晶片、难以加工的材料也可以高速研磨，同时可以实现高表面精度(低划痕等)，进而由于不含杂质，因此能够在半导体基板、布线基板等的半导体器件的表面的研磨中优选使用的二氧化硅系复合微粒分散液。本发明通过一种二氧化硅系复合微粒分散液来解决上述课题，其包含二氧化硅系复合微粒，该二氧化硅系复合微粒在以无定形二氧化硅为主要成分的母颗粒的表面上结合有以结晶性二氧化铈为主要成分的子颗粒，进而具有覆盖这些颗粒的二氧化硅覆膜，且具备下述特征。母颗粒与子颗粒的质量比为特定范围。当供于X射线衍射时，仅检测到二氧化铈的结晶相。结晶性二氧化铈的(111)面(2θ＝28度附近)的微晶直径为特定范围。Na等的含有率低。二氧化硅覆膜的Si原子数％相对于Ce原子数％的比为特定范围。

公开(公告)号：CN107428544B

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN201680019610.3

申请日：2016-03-30

Applicant: 日挥触媒化成株式会社

Inventor： 俵迫祐二 ,  若宫義宪 ,  柏田真吾 ,  井上一昭 ,  中山和洋 ,  小松通郎

IPC: C01B33/146 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明的课题在于提供一种即便是二氧化硅膜、Si晶片、难以加工的材料也可以高速研磨，同时可以实现高表面精度(低划痕等)，进而由于不含杂质，因此能够在半导体基板、布线基板等的半导体器件的表面的研磨中优选使用的二氧化硅系复合微粒分散液。本发明通过一种二氧化硅系复合微粒分散液来解决上述课题，其包含二氧化硅系复合微粒，该二氧化硅系复合微粒在以无定形二氧化硅为主要成分的母颗粒的表面上结合有以结晶性二氧化铈为主要成分的子颗粒，进而具有覆盖这些颗粒的二氧化硅覆膜，且具备下述特征。母颗粒与子颗粒的质量比为特定范围。当供于X射线衍射时，仅检测到二氧化铈的结晶相。结晶性二氧化铈的(111)面(2θ＝28度附近)的微晶直径为特定范围。Na等的含有率低。二氧化硅覆膜的Si原子数％相对于Ce原子数％的比为特定范围。