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公开(公告)号：CN110177852B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN201780083133.1
申请日：2017-12-28
Applicant: 日挥触媒化成株式会社
IPC: C09K3/14 , B24B37/00 , C01B33/18 , C01F17/235 , C01F17/10 , C08B15/04 , C08J5/14 , C09G1/02 , H01L21/304
Abstract: 本发明的课题为提供研磨组合物，通过针对形成有二氧化硅等覆膜的衬底使用不产生缺陷的磨粒而增加机械性摩擦效果，从而能够以高速进行研磨，同时能够实现低擦伤等高面精度。解决手段为研磨组合物，其包含磨粒、纤维素单元的C6位的羟基的至少一部分被氧化为羧基而得到的改性微纤维纤维素、以及分散介质，并且Na及K的各含量相对于固态成分重量而言为100ppm以下。
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公开(公告)号：CN110582465B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN201880026476.9
申请日：2018-05-23
Applicant: 日挥触媒化成株式会社
IPC: C01B33/12 , B24B37/00 , C01F17/235 , C01F17/10 , C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/304
Abstract: 本发明的课题在于提供即使对于二氧化硅膜、Si晶片、难加工材料也能够高速地进行研磨、同时能够实现高面精度的氧化铈系复合粒子分散液。通过氧化铈系复合微粒分散液，从而解决了上述课题，所述氧化铈系复合微粒分散液包含具备下述特征的平均粒径为50～350nm的氧化铈系复合微粒。氧化铈系复合微粒具有母粒、含有铈的二氧化硅层、子粒和包含易溶解性二氧化硅的层，母粒以非晶质二氧化硅作为主成分，子粒以结晶性氧化铈作为主成分。包含易溶解性二氧化硅的层的质量相对于氧化铈系复合微粒的质量而言的比例在特定范围内。就氧化铈系复合微粒而言，二氧化硅与氧化铈的质量比在特定范围内。氧化铈系复合微粒供于X射线衍射时，仅检测到氧化铈的结晶相。氧化铈系复合微粒供于X射线衍射而测得的结晶性氧化铈的平均微晶直径为10～25nm。
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公开(公告)号：CN107428544B
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201680019610.3
申请日：2016-03-30
Applicant: 日挥触媒化成株式会社
IPC: C01B33/146 , B24B37/00 , C09K3/14 , H01L21/304
Abstract: 本发明的课题在于提供一种即便是二氧化硅膜、Si晶片、难以加工的材料也可以高速研磨，同时可以实现高表面精度(低划痕等)，进而由于不含杂质，因此能够在半导体基板、布线基板等的半导体器件的表面的研磨中优选使用的二氧化硅系复合微粒分散液。本发明通过一种二氧化硅系复合微粒分散液来解决上述课题，其包含二氧化硅系复合微粒，该二氧化硅系复合微粒在以无定形二氧化硅为主要成分的母颗粒的表面上结合有以结晶性二氧化铈为主要成分的子颗粒，进而具有覆盖这些颗粒的二氧化硅覆膜，且具备下述特征。母颗粒与子颗粒的质量比为特定范围。当供于X射线衍射时，仅检测到二氧化铈的结晶相。结晶性二氧化铈的(111)面(2θ＝28度附近)的微晶直径为特定范围。Na等的含有率低。二氧化硅覆膜的Si原子数％相对于Ce原子数％的比为特定范围。
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公开(公告)号：CN110177852A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201780083133.1
申请日：2017-12-28
Applicant: 日挥触媒化成株式会社
Abstract: 本发明的课题为提供研磨组合物，通过针对形成有二氧化硅等覆膜的衬底使用不产生缺陷的磨粒而增加机械性摩擦效果，从而能够以高速进行研磨，同时能够实现低擦伤等高面精度。解决手段为研磨组合物，其包含磨粒、纤维素单元的C6位的羟基的至少一部分被氧化为羧基而得到的改性微纤维纤维素、以及分散介质，并且Na及K的各含量相对于固态成分重量而言为100ppm以下。
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公开(公告)号：CN109937187B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201780069811.9
申请日：2017-10-06
Applicant: 日挥触媒化成株式会社
IPC: C01B33/14 , B24B37/00 , C01F17/235 , C01F17/10 , C09K3/14 , H01L21/304 , B82Y30/00
Abstract: 课题在于，提供一种二氧化硅系复合颗粒分散液，其对二氧化硅膜、Si晶片或难加工材料也能够以高速进行研磨，同时能够实现高面精度。该课题通过一种氧化铈系复合微粒分散液而解决，其包含具有下述特征的平均粒径50～350nm的氧化铈系复合微粒；氧化铈系复合微粒具有母粒、其表面上的含铈的二氧化硅层、和在含铈的二氧化硅层的内部分散的子粒，母粒以非晶质二氧化硅为主要成分，子粒以结晶性氧化铈为主要成分；子粒的粒径分布中的变异系数(CV值)为14～40％；氧化铈系复合微粒中二氧化硅与氧化铈的质量比为100:11～316；氧化铈系复合微粒在供于X射线衍射时仅检测到氧化铈的结晶相；氧化铈系复合微粒供于X射线衍射而测定的结晶性氧化铈的平均晶粒粒径为10～25nm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110582465A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201880026476.9
申请日：2018-05-23
Applicant: 日挥触媒化成株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供即使对于二氧化硅膜、Si晶片、难加工材料也能够高速地进行研磨、同时能够实现高面精度的氧化铈系复合粒子分散液。通过氧化铈系复合微粒分散液，从而解决了上述课题，所述氧化铈系复合微粒分散液包含具备下述特征的平均粒径为50～350nm的氧化铈系复合微粒。氧化铈系复合微粒具有母粒、含有铈的二氧化硅层、子粒和包含易溶解性二氧化硅的层，母粒以非晶质二氧化硅作为主成分，子粒以结晶性氧化铈作为主成分。包含易溶解性二氧化硅的层的质量相对于氧化铈系复合微粒的质量而言的比例在特定范围内。就氧化铈系复合微粒而言，二氧化硅与氧化铈的质量比在特定范围内。氧化铈系复合微粒供于X射线衍射时，仅检测到氧化铈的结晶相。氧化铈系复合微粒供于X射线衍射而测得的结晶性氧化铈的平均微晶直径为10～25nm。
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公开(公告)号：CN109937187A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201780069811.9
申请日：2017-10-06
Applicant: 日挥触媒化成株式会社
IPC: C01B33/14 , B24B37/00 , C01F17/00 , C09K3/14 , H01L21/304
Abstract: 课题在于，提供一种二氧化硅系复合颗粒分散液，其对二氧化硅膜、Si晶片或难加工材料也能够以高速进行研磨，同时能够实现高面精度。该课题通过一种氧化铈系复合微粒分散液而解决，其包含具有下述特征的平均粒径50～350nm的氧化铈系复合微粒；氧化铈系复合微粒具有母粒、其表面上的含铈的二氧化硅层、和在含铈的二氧化硅层的内部分散的子粒，母粒以非晶质二氧化硅为主要成分，子粒以结晶性氧化铈为主要成分；子粒的粒径分布中的变异系数(CV值)为14～40％；氧化铈系复合微粒中二氧化硅与氧化铈的质量比为100:11～316；氧化铈系复合微粒在供于X射线衍射时仅检测到氧化铈的结晶相；氧化铈系复合微粒供于X射线衍射而测定的结晶性氧化铈的平均晶粒粒径为10～25nm。
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公开(公告)号：CN109155246A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201780024719.0
申请日：2017-04-05
Applicant: 日挥触媒化成株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C01B33/149 , C01B33/18 , C09K3/14
Abstract: 本发明的目的在于，提供即使是二氧化硅膜、Si晶圆、难加工材料也可以以高速进行研磨，同时可以达成高面精度(低擦痕等)，可以优选用于半导体基板、布线基板等半导体装置的表面的研磨的二氧化硅系复合微粒分散液。通过含有二氧化硅系复合微粒的二氧化硅系复合微粒分散液来解决上述问题，所述二氧化硅系复合微粒在将非晶质二氧化硅作为主要成分的母颗粒的表面上具有将结晶性二氧化铈作为主要成分的子颗粒、且具备下述特征。前述二氧化硅系复合微粒的二氧化硅与二氧化铈的质量比为100:11～316。前述二氧化硅系复合微粒供于X射线衍射时，仅检出二氧化铈的结晶相。前述二氧化硅系复合微粒供于X射线衍射进行测定得到的前述结晶性二氧化铈的微晶粒径为10～25nm。
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公开(公告)号：CN107428544A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680019610.3
申请日：2016-03-30
Applicant: 日挥触媒化成株式会社
IPC: C01B33/146 , B24B37/00 , C09K3/14 , H01L21/304
Abstract: 本发明的课题在于提供一种即便是二氧化硅膜、Si晶片、难以加工的材料也可以高速研磨，同时可以实现高表面精度(低划痕等)，进而由于不含杂质，因此能够在半导体基板、布线基板等的半导体器件的表面的研磨中优选使用的二氧化硅系复合微粒分散液。本发明通过一种二氧化硅系复合微粒分散液来解决上述课题，其包含二氧化硅系复合微粒，该二氧化硅系复合微粒在以无定形二氧化硅为主要成分的母颗粒的表面上结合有以结晶性二氧化铈为主要成分的子颗粒，进而具有覆盖这些颗粒的二氧化硅覆膜，且具备下述特征。母颗粒与子颗粒的质量比为特定范围。当供于X射线衍射时，仅检测到二氧化铈的结晶相。结晶性二氧化铈的(111)面(2θ＝28度附近)的微晶直径为特定范围。Na等的含有率低。二氧化硅覆膜的Si原子数％相对于Ce原子数％的比为特定范围。
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公开(公告)号：CN109155246B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN201780024719.0
申请日：2017-04-05
Applicant: 日挥触媒化成株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C01B33/149 , C01B33/18 , C09K3/14
Abstract: 本发明的目的在于，提供即使是二氧化硅膜、Si晶圆、难加工材料也可以以高速进行研磨，同时可以达成高面精度(低擦痕等)，可以优选用于半导体基板、布线基板等半导体装置的表面的研磨的二氧化硅系复合微粒分散液。通过含有二氧化硅系复合微粒的二氧化硅系复合微粒分散液来解决上述问题，所述二氧化硅系复合微粒在将非晶质二氧化硅作为主要成分的母颗粒的表面上具有将结晶性二氧化铈作为主要成分的子颗粒、且具备下述特征。前述二氧化硅系复合微粒的二氧化硅与二氧化铈的质量比为100:11～316。前述二氧化硅系复合微粒供于X射线衍射时，仅检出二氧化铈的结晶相。前述二氧化硅系
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