公开(公告)号：CN110177852B

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN201780083133.1

申请日：2017-12-28

Applicant: 日挥触媒化成株式会社

Inventor： 小松通郎 ,  岩崎幸博 ,  西田广泰 ,  俵迫祐二 ,  中山和洋

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/00 ,  C01B33/18 ,  C01F17/235 ,  C01F17/10 ,  C08B15/04 ,  C08J5/14 ,  C09G1/02 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明的课题为提供研磨组合物，通过针对形成有二氧化硅等覆膜的衬底使用不产生缺陷的磨粒而增加机械性摩擦效果，从而能够以高速进行研磨，同时能够实现低擦伤等高面精度。解决手段为研磨组合物，其包含磨粒、纤维素单元的C6位的羟基的至少一部分被氧化为羧基而得到的改性微纤维纤维素、以及分散介质，并且Na及K的各含量相对于固态成分重量而言为100ppm以下。

公开(公告)号：CN106497400B

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201610799355.0

申请日：2016-08-31

Applicant: 日挥触媒化成株式会社

Inventor： 荒金宏忠 ,  江上美纪 ,  村口良 ,  平井俊晴 ,  小松通郎

IPC: C09D183/04 ,  C08G77/08

Abstract: 本发明涉及覆膜形成用涂布液、覆膜形成用涂布液的制造方法、及带覆膜的基材。本发明的覆膜形成用涂布液的特征在于，其是在包含水和有机溶剂的混合溶剂中溶解或分散有能够与金属醇盐形成螯合物的有机化合物(A成分)、下述式(2)所示的6官能硅烷化合物及其水解缩合物中的至少任一者(B成分)和下述式(3)所示的金属醇盐及其水解缩合物中的至少任一者(C成分)而成的，A成分的摩尔数(M1)与C成分的摩尔数(M3)的摩尔比(M1/M3)处于0.25以上且小于2的范围，B成分的摩尔数(M2)与C成分的摩尔数(M3)的摩尔比(M2/M3)处于0.5以上且8以下的范围。;M(OR10)n (3)。

公开(公告)号：CN105408252B

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201480042492.9

申请日：2014-08-01

Applicant: 日挥触媒化成株式会社

Inventor： 村口良 ,  江上美纪 ,  熊泽光章 ,  谷口正展 ,  小柳嗣雄 ,  小松通郎 ,  江上和孝

IPC: C01B33/12

CPC classification number: C01B33/18

Abstract: 向通过导入碎解用容器内的气体而产生的旋流中供给煅烧工序中经煅烧的二氧化硅粒子，进行碎解。由此，实现可容易地碎解、兼顾低吸湿性和高树脂分散性的碎解二氧化硅粒子。另外，如果碎解时导入除湿空气(气体)，则吸湿性低，在树脂中的分散性大幅提高。另外，如果碎解后再次进行加热处理(煅烧)，碎解二氧化硅粒子的表面被改性，吸湿性和在树脂中的分散性大幅提高。包含由此而得的碎解二氧化硅粒子的树脂组合物在用于半导体的底部填充材料、液晶显示装置的面内用间隔物或密封用间隔物时的注入性、过滤性良好。

公开(公告)号：CN102408798A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201110212725.3

申请日：2011-07-19

Applicant: 日挥触媒化成株式会社

Inventor： 村口良 ,  松田政幸 ,  平井俊晴 ,  小松通郎 ,  箱嶋夕子

IPC: C09D133/00 ,  C09D5/24 ,  B32B23/08 ,  B32B27/18

Abstract: 本发明提供导电性无机氧化物微粒的掺入量少的情况下也能够具有高导电性，透明性高，着色以及干涉条纹被抑制，经济性也良好的可形成带透明被膜的基材的透明被膜形成用涂布液。本发明的透明被膜形成用涂布液含有导电性无机氧化物微粒、基质形成成分以及分散介质，所述导电性无机氧化物微粒经以下述式(1)表示的有机硅化合物表面处理而形成，分散介质含有酮类，总固体成分的浓度在1-60质量％的范围内，表面处理了的导电性无机氧化物微粒为非凝聚且高分散，其作为固体成分的浓度在0.01-6质量％的范围内，基质形成成分的固体成分的浓度在0.1-59.4质量％的范围内，获得的透明被膜中导电性无机氧化物微粒能形成为链状结构，Rn-SiX4-n (1)其中，R为碳数1-10的非取代或取代的烃基，相互相同或不同，X：碳数1-4的烷氧基、羟基、卤素、氢、n：0-3的整数。

公开(公告)号：CN109155246A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201780024719.0

申请日：2017-04-05

Applicant: 日挥触媒化成株式会社

Inventor： 俵迫祐二 ,  小松通郎 ,  中山和洋 ,  岩崎幸博 ,  若宫義宪 ,  川上翔大 ,  碓田真也

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C01B33/149 ,  C01B33/18 ,  C09K3/14

Abstract: 本发明的目的在于，提供即使是二氧化硅膜、Si晶圆、难加工材料也可以以高速进行研磨，同时可以达成高面精度(低擦痕等)，可以优选用于半导体基板、布线基板等半导体装置的表面的研磨的二氧化硅系复合微粒分散液。通过含有二氧化硅系复合微粒的二氧化硅系复合微粒分散液来解决上述问题，所述二氧化硅系复合微粒在将非晶质二氧化硅作为主要成分的母颗粒的表面上具有将结晶性二氧化铈作为主要成分的子颗粒、且具备下述特征。前述二氧化硅系复合微粒的二氧化硅与二氧化铈的质量比为100:11～316。前述二氧化硅系复合微粒供于X射线衍射时，仅检出二氧化铈的结晶相。前述二氧化硅系复合微粒供于X射线衍射进行测定得到的前述结晶性二氧化铈的微晶粒径为10～25nm。

公开(公告)号：CN107428544A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680019610.3

申请日：2016-03-30

Applicant: 日挥触媒化成株式会社

Inventor： 俵迫祐二 ,  若宫義宪 ,  柏田真吾 ,  井上一昭 ,  中山和洋 ,  小松通郎

IPC: C01B33/146 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明的课题在于提供一种即便是二氧化硅膜、Si晶片、难以加工的材料也可以高速研磨，同时可以实现高表面精度(低划痕等)，进而由于不含杂质，因此能够在半导体基板、布线基板等的半导体器件的表面的研磨中优选使用的二氧化硅系复合微粒分散液。本发明通过一种二氧化硅系复合微粒分散液来解决上述课题，其包含二氧化硅系复合微粒，该二氧化硅系复合微粒在以无定形二氧化硅为主要成分的母颗粒的表面上结合有以结晶性二氧化铈为主要成分的子颗粒，进而具有覆盖这些颗粒的二氧化硅覆膜，且具备下述特征。母颗粒与子颗粒的质量比为特定范围。当供于X射线衍射时，仅检测到二氧化铈的结晶相。结晶性二氧化铈的(111)面(2θ＝28度附近)的微晶直径为特定范围。Na等的含有率低。二氧化硅覆膜的Si原子数％相对于Ce原子数％的比为特定范围。

公开(公告)号：CN102408798B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201110212725.3

申请日：2011-07-19

Applicant: 日挥触媒化成株式会社

Inventor： 村口良 ,  松田政幸 ,  平井俊晴 ,  小松通郎 ,  箱嶋夕子

IPC: C09D133/00 ,  C09D5/24 ,  B32B23/08 ,  B32B27/18

Abstract: 本发明提供导电性无机氧化物微粒的掺入量少的情况下也能够具有高导电性，透明性高，着色以及干涉条纹被抑制，经济性也良好的可形成带透明被膜的基材的透明被膜形成用涂布液。本发明的透明被膜形成用涂布液含有导电性无机氧化物微粒、基质形成成分以及分散介质，所述导电性无机氧化物微粒经以下述式(1)表示的有机硅化合物表面处理而形成，分散介质含有酮类，总固体成分的浓度在1-60质量％的范围内，表面处理了的导电性无机氧化物微粒为非凝聚且高分散，其作为固体成分的浓度在0.01-6质量％的范围内，基质形成成分的固体成分的浓度在0.1-59.4质量％的范围内，获得的透明被膜中导电性无机氧化物微粒能形成为链状结构，Rn-SiX4-n (1)其中，R为碳数1-10的非取代或取代的烃基，相互相同或不同，X：碳数1-4的烷氧基、羟基、卤素、氢、n：0-3的整数。

公开(公告)号：CN102264851B

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN200980152910.9

申请日：2009-08-12

Applicant: 日挥触媒化成株式会社

Inventor： 石原庸一 ,  村井幸雄 ,  平井俊晴 ,  小松通郎

IPC: G02B1/10 ,  G02C7/00 ,  C09D201/00 ,  C09C3/06 ,  C09D5/00 ,  C09D7/12 ,  C09D183/00

CPC classification number: C09C1/3661 ,  B82Y30/00 ,  C01G23/08 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/74 ,  C01P2002/78 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/12 ,  C08K3/22 ,  C08K9/02 ,  C09C1/3684 ,  C09D7/62 ,  C09D7/67 ,  C09D163/00 ,  C09D175/04 ,  C09D183/04 ,  G02B1/105 ,  G02B1/14

Abstract: 本发明涉及包含具有高折射率和低光催化活性的金属氧化物微粒的涂料组合物及将该涂料组合物涂布于基材上而得的固化性涂膜。具备金红石型晶体结构的特定的钛类微粒的表面至少用二氧化硅类氧化物或二氧化硅类复合氧化物被覆而得的含高折射率金属氧化物微粒的涂料组合物，以及将该涂料组合物涂布于基材上而得的固化性涂膜。所述金属氧化物微粒不仅具备高折射率还具备低光催化活性，因此可在基材上形成耐候性和耐光性良好的涂膜。

公开(公告)号：CN100478292C

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200510054846.4

申请日：2001-06-20

Applicant: 日挥触媒化成株式会社

Inventor： 伊藤武夫 ,  松田秀三 ,  大谷义美 ,  油井和彦 ,  平井俊晴 ,  西田广泰 ,  小松通郎

IPC: C03C17/00 ,  C03C17/34 ,  C03C17/36

CPC classification number: C03C17/3655 ,  C03C17/007 ,  C03C17/34 ,  C03C17/36 ,  C03C17/3676 ,  C03C2217/425 ,  C03C2217/445 ,  C03C2217/475 ,  C03C2217/76 ,  C03C2217/78 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/249962 ,  Y10T428/249998 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/2982 ,  Y10T428/2984 ,  Y10T428/2991 ,  Y10T428/2993 ,  Y10T428/2995 ,  Y10T428/2996 ,  Y10T428/2998

Abstract: 提供了一种无机化合物颗粒，它包括：壳，以及封入壳中的多孔物质或空腔。还提供了制备所述无机化合物颗粒的方法，它包括以下步骤：分别制备二氧化硅源(原材料)和非二氧化硅无机化合物源(原材料)的碱性水溶液，或者预先制备二氧化硅源和非二氧化硅无机化合物源的混合物的水溶液；从多孔材料前体颗粒中至少部分地将非二氧化硅的无机化合物(除了硅和氧以外的元素)选择性地除去；将可水解的有机硅化合物或硅酸溶液加入步骤2中制得的多孔材料颗粒(包括壳中有空腔的颗粒的前体)的分散液中。

公开(公告)号：CN110582465B

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN201880026476.9

申请日：2018-05-23

Applicant: 日挥触媒化成株式会社

Inventor： 小松通郎 ,  西田广泰 ,  俵迫祐二 ,  碓田真也 ,  中山和洋

IPC: C01B33/12 ,  B24B37/00 ,  C01F17/235 ,  C01F17/10 ,  C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明的课题在于提供即使对于二氧化硅膜、Si晶片、难加工材料也能够高速地进行研磨、同时能够实现高面精度的氧化铈系复合粒子分散液。通过氧化铈系复合微粒分散液，从而解决了上述课题，所述氧化铈系复合微粒分散液包含具备下述特征的平均粒径为50～350nm的氧化铈系复合微粒。氧化铈系复合微粒具有母粒、含有铈的二氧化硅层、子粒和包含易溶解性二氧化硅的层，母粒以非晶质二氧化硅作为主成分，子粒以结晶性氧化铈作为主成分。包含易溶解性二氧化硅的层的质量相对于氧化铈系复合微粒的质量而言的比例在特定范围内。就氧化铈系复合微粒而言，二氧化硅与氧化铈的质量比在特定范围内。氧化铈系复合微粒供于X射线衍射时，仅检测到氧化铈的结晶相。氧化铈系复合微粒供于X射线衍射而测得的结晶性氧化铈的平均微晶直径为10～25nm。