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公开(公告)号：CN110137150B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN201810330533.4
申请日：2018-04-13
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 本申请涉及半导体装置封装及制造半导体装置封装的方法。本发明提供一种衬底，其包含具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的第一电介质层、邻近于所述第一电介质层的所述第一表面且包括互连结构的第一图案化导电层以及互连元件。所述互连元件从所述第一电介质层的所述第一表面延伸到所述第一电介质层的所述第二表面，且由所述互连结构围绕。
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公开(公告)号：CN113851432A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202110955554.7
申请日：2021-08-19
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种半导体封装结构及其形成方法，该半导体封装结构包括：基板；重布线层，位于基板上方；底部填充物，位于基板与重布线层之间，其中，底部填充物延伸至邻述重布线层的至少一侧，邻近重布线层的至少一侧的底部填充物与重布线层之间以一间隙横向地间隔开。
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公开(公告)号：CN111048478A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201910308273.5
申请日：2019-04-17
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L21/60 , H01L23/488
Abstract: 一种半导体设备封装包含载体、电子组件、连接元件和包封物。所述电子组件安置于所述载体的表面上。所述连接元件安置于所述表面上并且邻近于所述载体的边缘。所述包封物安置于所述载体的所述表面上。所述连接元件的一部分从所述包封物的上表面和边缘暴露。
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公开(公告)号：CN110473855A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201811381416.7
申请日：2018-11-20
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 一种衬底包含具有第一表面的第一介电层和具有设置为邻近所述第一介电层的所述第一表面的第一表面的第二介电层。所述衬底进一步包含设置在所述第一介电层中且具有邻近所述第一介电层的所述第一表面的第一端和与所述第一端相对的第二端的第一导电通孔。所述衬底进一步包含设置在所述第二介电层中且具有邻近所述第二介电层的所述第一表面的第一端的第二导电通孔。其中所述第一导电通孔的所述第一端的宽度小于所述第一导电通孔的所述第二端的宽度，且所述第二导电通孔的所述第一端的宽度小于所述第一导电通孔的所述第一端的所述宽度。
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公开(公告)号：CN110277366A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910197196.0
申请日：2019-03-15
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/31
Abstract: 一种衬底结构包含布线结构和支撑件。所述布线结构包含第一介电结构、第一电路层、第二介电结构和第二电路层。所述第一电路层安置于所述第一介电结构上。所述第二介电结构覆盖所述第一介电结构和所述第一电路层。所述第一电路层的垫部分从所述第一介电结构暴露，且所述第二电路层从所述第二介电结构突出。所述支撑件安置于邻近所述布线结构的所述第一介电结构，并界定至少一个通孔对应于所述第一电路层的所述暴露的垫部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113948405A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111145749.1
申请日：2021-09-28
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L21/683
Abstract: 本公开提供了去除载板的方法，通过在将半导体封装结构键合到基板之前，将粘合层和基板依次设置到载板上，再使用真空装置抽真空以实现将基板固定到载板。再通过外力驱动载板的贯孔内容纳的可上下活动的顶针朝向粘合层移动，最终实现基板与粘合层分离，也就实现了基板与载板分离。这里的基板不是通过粘合层的粘性粘合至载板，而是通过抽真空固定至载板，在完成基板与粘合层分离后，不需去除粘合层，简化制程且不需购买去除粘合层的设备，且粘合层可重复使用可以减少消耗性耗材成本。
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公开(公告)号：CN108074907B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201711057372.8
申请日：2017-11-01
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/64 , H01L21/48
Abstract: 一种半导体衬底包含多层结构、组件和第一导电通孔。所述多层结构包含多个介电层和多个图案化导电层。所述图案化导电层中的最顶端图案化导电层嵌入于所述介电层中的最顶端介电层中。所述组件嵌入于所述多层结构中。所述第一导电通孔电连接到所述组件和所述图案化导电层中的一者。所述图案化导电层中的至少一者定位于在所述组件的顶部表面与所述组件的底部表面之间跨越的深度处。
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公开(公告)号：CN111199963A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201910423293.7
申请日：2019-05-21
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
Abstract: 一种天线封装包含经图案化天线结构和囊封物。所述经图案化天线结构包含第一表面、与所述第一表面相对的第二表面，以及在所述第一表面与所述第二表面之间延伸的第三表面。所述囊封物安置在所述经图案化天线结构的所述第一表面上。所述经图案化天线结构的所述第三表面包含由所述囊封物覆盖的第一部分以及从所述囊封物暴露的第二部分。
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公开(公告)号：CN110137150A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201810330533.4
申请日：2018-04-13
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 本申请涉及半导体装置封装及制造半导体装置封装的方法。本发明提供一种衬底，其包含具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的第一电介质层、邻近于所述第一电介质层的所述第一表面且包括互连结构的第一图案化导电层以及互连元件。所述互连元件从所述第一电介质层的所述第一表面延伸到所述第一电介质层的所述第二表面，且由所述互连结构围绕。
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公开(公告)号：CN106158774B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201510147262.5
申请日：2015-03-31
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L21/50 , H01L23/528 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/49827 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L23/49811 , H01L23/49822 , H01L23/49838 , H01L23/49866 , H01L2924/0002 , H05K1/188 , H01L2924/00
Abstract: 本发明揭示一种半导体封装结构和制造方法。所述半导体封装结构包括第一介电层、第二介电层、组件、图案化导电层和至少两个导电通孔。所述第一介电层具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述第二介电层具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述第一介电层的所述第二表面附接于所述第二介电层的所述第一表面。所述第二介电层内的组件具有至少两个邻近所述第一介电层的所述第二表面的电触点。所述第一介电层内的所述图案化导电层邻近所述第一介电层的所述第一表面。所述导电通孔穿透所述第一介电层并且将所述电触点与所述图案化导电层电连接。
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