公开(公告)号：CN119447067A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202410801934.9

申请日：2024-06-20

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 江俊纬 ,  林咏胜 ,  林仪婷 ,  谢秉宏 ,  许志渊

IPC: H01L23/482 ,  H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L23/49

Abstract: 提供一种接合结构。所述接合结构包含晶种层和导电结构。所述导电结构包含在所述晶种层上面的通孔部分和从所述通孔部分突出的多个导线。

公开(公告)号：CN219286402U

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202223398247.2

申请日：2022-12-19

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 江俊纬 ,  洪筠净 ,  林咏胜 ,  许志渊

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/60

Abstract: 本申请公开了一种封装结构，该封装结构包括：第一衬底，包括第一焊盘和容纳第一焊盘的第一绝缘层；第二衬底，包括位于第一焊盘下方的第二焊盘和容纳第二焊盘的第二绝缘层，其中，第一绝缘层接触第二绝缘层；补偿层，位于第一焊盘与第二焊盘之间，补偿层的配置为使第一焊盘与第二焊盘接合的第一接合温度在第一绝缘层的玻璃化温度点之上且在第一焊盘与第二焊盘的第二接合温度之下。上述技术方案至少能够解决现有的接合制程条件严苛导致良率下降的问题。

公开(公告)号：CN220106511U

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202320272271.7

申请日：2023-02-21

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 许志渊 ,  杨盛文 ,  林仪婷

IPC: H01L23/488

Abstract: 本申请公开了一种接合结构，该接合结构包括：焊盘；接合层，位于焊盘上方；缓冲层，位于焊盘与接合层之间，其中，接合层延伸于缓冲层的外侧壁以电连接焊盘。上述技术方案，通过在接合层与焊盘之间设置缓冲层，至少可以使接合时施加的接合力得到缓冲，使接合成功率增加。