公开(公告)号：CN119447067A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202410801934.9

申请日：2024-06-20

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 江俊纬 ,  林咏胜 ,  林仪婷 ,  谢秉宏 ,  许志渊

IPC: H01L23/482 ,  H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L23/49

Abstract: 提供一种接合结构。所述接合结构包含晶种层和导电结构。所述导电结构包含在所述晶种层上面的通孔部分和从所述通孔部分突出的多个导线。

公开(公告)号：CN114369816A

公开(公告)日：2022-04-19

申请号：CN202011101458.8

申请日：2020-10-15

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 邱咏达 ,  王秀枝 ,  江俊纬 ,  唐心陆 ,  洪志斌

IPC: C23C18/16 ,  C23C18/31

Abstract: 本申请提供一种化学镀槽、一种包含所述化学镀槽的化学镀系统和一种使用所述化学镀槽的化学镀方法。所述化学镀槽包含槽体及位于该槽体中的可旋转承载盘。

公开(公告)号：CN221150003U

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202322601264.X

申请日：2023-09-25

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 江俊纬 ,  林咏胜 ,  洪筠净

IPC: H01L23/492

Abstract: 本申请的实施例公开了一种封装结构，该封装结构包括：第一焊盘，包括本体部以及围绕本体部的边缘部；导电接合层，导电接合层在第一焊盘上，连接本体部并且与边缘部间隔开；第二焊盘，位于导电接合层上，与导电接合层直接接合，其中，围绕导电接合层的第一介电层与围绕第二焊盘的第二介电层直接接合。本实用新型提供的封装结构至少能够实现导电接合层与第二焊盘的良好接合，例如二者之间没有空隙或裂缝。

公开(公告)号：CN219286402U

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202223398247.2

申请日：2022-12-19

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 江俊纬 ,  洪筠净 ,  林咏胜 ,  许志渊

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/60

Abstract: 本申请公开了一种封装结构，该封装结构包括：第一衬底，包括第一焊盘和容纳第一焊盘的第一绝缘层；第二衬底，包括位于第一焊盘下方的第二焊盘和容纳第二焊盘的第二绝缘层，其中，第一绝缘层接触第二绝缘层；补偿层，位于第一焊盘与第二焊盘之间，补偿层的配置为使第一焊盘与第二焊盘接合的第一接合温度在第一绝缘层的玻璃化温度点之上且在第一焊盘与第二焊盘的第二接合温度之下。上述技术方案至少能够解决现有的接合制程条件严苛导致良率下降的问题。

公开(公告)号：CN219917158U

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202320818706.3

申请日：2023-04-13

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 江俊纬 ,  林咏胜 ,  洪筠净

IPC: H01L23/488

Abstract: 本申请提供了一种凸块结构，包括：电子器件；第一金属层，位于所述电子器件上；第二金属层，位于所述第一金属层上；以及金属接合层，位于所述第二金属层上，其中，所述第一金属层在俯视图中的投影在所述金属接合层在所述俯视图中的投影内，从而提供一种稳定性能较好的凸块结构。