公开(公告)号：CN117855154A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311259621.7

申请日：2023-09-27

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 赖志信 ,  李志成 ,  杨韶纶 ,  卓维志

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/552 ,  H01L21/56

Abstract: 本公开提供一种电子装置及其制造方法。所述电子装置包含衬底、包封物和电子组件。所述包封物安置在所述衬底之上，并且具有第一顶表面、第二顶表面和在所述第一顶表面和所述第二顶表面之间延伸的第一侧面。所述第一侧面的粗糙度小于或等于所述第二顶表面的粗糙度。所述电子组件安置在所述包封物的所述第二顶表面之上且电连接到所述衬底。

公开(公告)号：CN219144494U

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202320022621.4

申请日：2023-01-05

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 余忠儒 ,  李志成 ,  卓维志 ,  赖志信 ,  林家祺 ,  黄加修

IPC: H01Q1/42 ,  H01Q1/12

Abstract: 本申请提供了一种天线封装装置，其包括第一基板，包括第一表面；第二基板，包括天线；粘合层，设置于第一基板和第二基板之间且设置于第一基板的第一表面，粘合层通过粘接剂层与第二基板粘合，粘合层内具有空腔，粘合层围绕在空腔四周形成侧壁，侧壁上具有穿孔和隔离结构，穿孔连通空腔，隔离结构位于穿孔和粘接剂层之间。本申请的优点在于：通过设置隔离结构，能够阻隔粘结剂层向穿孔流动，以此，能够避免作为通气孔的穿孔被粘接剂堵塞，且结构简单、易于加工和生产。

公开(公告)号：CN221841837U

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202420266606.9

申请日：2024-02-04

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 赖志信

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31

Abstract: 本申请提出了一种半导体封装装置，包括：基板，所述基板包括设置在所述基板的上表面的多个焊盘；电子元件，所述电子元件设置在所述基板的上表面；封装件，所述封装件包覆所述基板的上表面和所述电子元件；多个导电孔，所述导电孔贯穿所述封装件并连接所述焊盘，其中至少有一个所述焊盘连接至少两个所述导电孔，所述导电孔的内部填充有导电层和位于所述导电层两侧的结合层，所述结合层接触所述封装件。本申请减小了导电孔的孔径，仅仅通过溅镀制程即可完成填孔；增加了导电孔的数量，提高了电性能和可靠性；此外，利用结合层提高了与封装件的结合力。

公开(公告)号：CN218548764U

公开(公告)日：2023-02-28

申请号：CN202223020943.X

申请日：2022-11-10

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 赖志信 ,  李志成 ,  杨韶纶 ,  卓维志

IPC: H01Q1/12 ,  H01Q1/38

Abstract: 本申请提供了一种天线封装件，包括：天线衬底，具有第一天线；射频衬底，具有第二天线，天线衬底与射频衬底沿垂直方向间隔设置；支撑元件，设置在射频衬底和天线衬底之间，支撑元件具有分别接触天线衬底和射频衬底的第一端和第二端，第一端的形状与天线衬底嵌合，并且第二端的形状与射频衬底嵌合，以使第一天线沿竖直方向的投影与第二天线对准。本申请的目的在于提供一种天线封装件，以减小射频天线与耦合贴片天线之间的对位误差。

公开(公告)号：CN221080003U

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202322603893.6

申请日：2023-09-25

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 赖志信 ,  李志成

IPC: H01L23/373

Abstract: 本申请的一些实施例提供了一种封装结构，包括：第一基板；电子元件，设置在第一基板上方并且包括有源面和与有源面相对的背表面；封装层，封装电子元件并且暴露电子元件的背表面；导热中介层，位于电子元件的背表面上，其中，导热中介层包括导热图案；以及第二基板，设置在导热中介层上方并且电连接至电子元件。本申请提供的封装结构通过导热中介层使电子元件较好的散热。

公开(公告)号：CN220914206U

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202322461876.3

申请日：2023-09-11

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 赖志信 ,  李志成

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/50

Abstract: 本实用新型提供了一种半导体器件，包括：第一衬底，具有设置在第一衬底上并且突出于第一衬底的第一凸块、第一阻挡层，第一阻挡层封装第一凸块的侧表面；第二衬底，位于第一衬底上方，并且具有设置在第二衬底上并且突出于第二衬底的第二凸块、第二阻挡层，第二阻挡层覆盖第二凸块的侧表面，第一凸块和第二凸块相互面对；金属层，接合第一凸块和第二凸块，并且接触第一阻挡层和第二阻挡层。本申请的实施例使用第一阻挡层、第二阻挡层封装第一凸块、第二凸块的侧表面，金属层接合第一凸块和第二凸块，当第一凸块和第二凸块的节距有缩小的需求时，不会发生现有技术的桥接的情况，并且第一凸块和第二凸块之间不易产生空隙，增强了接合强度。