公开(公告)号：CN108155171B

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201711128390.0

申请日：2017-11-15

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 林家祺 ,  李志成 ,  田兴国 ,  杨智勇

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L23/49822 ,  H01L21/481 ,  H01L21/4857 ,  H01L23/13 ,  H01L23/5383 ,  H01L2224/16225 ,  H05K1/183 ,  H05K3/002 ,  H05K3/0032 ,  H05K3/0047 ,  H05K3/4602 ,  H05K3/4688 ,  H05K3/4697 ,  H05K2201/09845 ,  H05K2201/09863 ,  H05K2203/308

Abstract: 本公开揭露一种半导体装置及制造半导体装置的方法。半导体装置包括：内连接结构及电介质层。电介质层围绕所述内连接结构并且定义一第一凹穴。第一凹穴系由电介质层的第一侧壁、第二侧壁和第一表面定义。第一侧壁系自第二侧壁横向移位(laterally displaced)。

公开(公告)号：CN104766844B

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201410008639.4

申请日：2014-01-07

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 李志成 ,  林家祺 ,  施佑霖

IPC: H01L23/367 ,  H01L21/60 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L24/82 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82031 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82047 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/00012

Abstract: 半导体结构包括基板、芯片、第一介电层、基板导热柱、基板电性柱、第一介电层电性柱及走线。基板具有相对的上表面与下表面。芯片设于基板的上表面上方。第一介电层形成于基板的上表面上方且包覆芯片。基板导热柱从基板的上表面贯穿至下表面。基板电性柱从基板的上表面贯穿至下表面。第一介电层电性柱贯穿第一介电层并连接于基板电性柱。走线形成于第一介电层上并连接芯片与第一介电层电性柱。其中，芯片的热量通过基板导热柱传导至基板的下表面且经由走线、第一介电层电性柱与基板电性柱传导至基板的下表面。

公开(公告)号：CN104766844A

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201410008639.4

申请日：2014-01-07

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 李志成 ,  林家祺 ,  施佑霖

IPC: H01L23/367 ,  H01L21/60 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L24/82 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82031 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82047 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/00012

Abstract: 半导体结构包括基板、芯片、第一介电层、基板导热柱、基板电性柱、第一介电层电性柱及走线。基板具有相对的上表面与下表面。芯片设于基板的上表面上方。第一介电层形成于基板的上表面上方且包覆芯片。基板导热柱从基板的上表面贯穿至下表面。基板电性柱从基板的上表面贯穿至下表面。第一介电层电性柱贯穿第一介电层并连接于基板电性柱。走线形成于第一介电层上并连接芯片与第一介电层电性柱。其中，芯片的热量通过基板导热柱传导至基板的下表面且经由走线、第一介电层电性柱与基板电性柱传导至基板的下表面。

公开(公告)号：CN108155171A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201711128390.0

申请日：2017-11-15

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 林家祺 ,  李志成 ,  田兴国 ,  杨智勇

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L23/49822 ,  H01L21/481 ,  H01L21/4857 ,  H01L23/13 ,  H01L23/5383 ,  H01L2224/16225 ,  H05K1/183 ,  H05K3/002 ,  H05K3/0032 ,  H05K3/0047 ,  H05K3/4602 ,  H05K3/4688 ,  H05K3/4697 ,  H05K2201/09845 ,  H05K2201/09863 ,  H05K2203/308 ,  H01L23/49838

Abstract: 本公开揭露一种半导体装置及制造半导体装置的方法。半导体装置包括：内连接结构及电介质层。电介质层围绕所述内连接结构并且定义一第一凹穴。第一凹穴系由电介质层的第一侧壁、第二侧壁和第一表面定义。第一侧壁系自第二侧壁横向移位(laterally displaced)。

公开(公告)号：CN219144494U

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202320022621.4

申请日：2023-01-05

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 余忠儒 ,  李志成 ,  卓维志 ,  赖志信 ,  林家祺 ,  黄加修

IPC: H01Q1/42 ,  H01Q1/12

Abstract: 本申请提供了一种天线封装装置，其包括第一基板，包括第一表面；第二基板，包括天线；粘合层，设置于第一基板和第二基板之间且设置于第一基板的第一表面，粘合层通过粘接剂层与第二基板粘合，粘合层内具有空腔，粘合层围绕在空腔四周形成侧壁，侧壁上具有穿孔和隔离结构，穿孔连通空腔，隔离结构位于穿孔和粘接剂层之间。本申请的优点在于：通过设置隔离结构，能够阻隔粘结剂层向穿孔流动，以此，能够避免作为通气孔的穿孔被粘接剂堵塞，且结构简单、易于加工和生产。

公开(公告)号：CN220895505U

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202322432453.9

申请日：2023-09-07

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 林家祺 ,  余忠儒 ,  李志成

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31

Abstract: 本申请公开了一种封装结构，其包括：第一基板；以及中介层，连接于第一基板，并且包括面向第一基板的第一表面和设置于第一表面处的焊盘，焊盘具有中间区域和周缘区域，周缘区域和中间区域通过导电件连接第一基板，其中，周缘区域和中间区域分别具有相对于第一表面的高度，周缘区域的高度高于至少一部分的中间区域的高度。上述技术方案，能够降低中介层的厚度，进而可以降低封装结构的厚度。焊盘可用于定位导电件，还可以与导电件具有更大的接触面积，进而可增加导电件与焊盘间的连接可靠性。通过采用没有阻焊层的设计，可以增加形成封装体的模流空间并减少对模流的阻碍，从而能够降低模流未填满风险，能够解决封装体可能存在空隙的问题。

公开(公告)号：CN222223121U

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202420626595.0

申请日：2024-03-28

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 林家祺 ,  余忠儒

IPC: B28D7/04 ,  B28D7/00 ,  B28D5/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/304

Abstract: 本申请的一些实施例提供了一种已切割晶圆的转贴设备，包括：作业平台，用于承载固定在原始胶带上的已切割晶圆；内平台，沿作业平台的外围设置，并且具有第一顶面以用于承载第一环状产品；外平台，沿内平台的外围设置，并且具有第二顶面以用于承载第二环状产品；以及切割装置，设置在内平台与作业平台之间，以用于切割原始胶带。本申请提供已切割晶圆的转贴设备无需在作业平台上方为切割工具预留空间，作业平台上方的空间可以用以设置其他装置。