公开(公告)号：CN108511354B

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201810159644.3

申请日：2018-02-26

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司 ,  薛富盛

Inventor： 邱盈达 ,  黄上坤 ,  邱咏达 ,  宋振铭

IPC: H01L21/603

Abstract: 本发明涉及一种用于制造半导体装置的方法。所述方法包含：提供包含第一金属接点的第一电子组件和包含第二金属接点的第二电子组件，改变所述第一金属接点的晶格，以及在预定压力和预定温度下将所述第一金属接点接合到所述第二金属接点。

公开(公告)号：CN110120380A

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201810281728.4

申请日：2018-04-02

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 邱咏达 ,  王秀枝 ,  黄上坤 ,  邱盈达 ,  唐心陆 ,  洪志斌

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明涉及一种半导体封装，其包含电连接结构。所述电连接结构包含：第一导电层；所述第一传导层上的第二导电层；以及所述第一导电层与所述第二导电层之间的导电盖，所述导电性盖的硬度比所述第一导电层的硬度更大。

公开(公告)号：CN108511354A

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201810159644.3

申请日：2018-02-26

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司 ,  薛富盛

Inventor： 邱盈达 ,  黄上坤 ,  邱咏达 ,  宋振铭

IPC: H01L21/603

Abstract: 本发明涉及一种用于制造半导体装置的方法。所述方法包含：提供包含第一金属接点的第一电子组件和包含第二金属接点的第二电子组件，改变所述第一金属接点的晶格，以及在预定压力和预定温度下将所述第一金属接点接合到所述第二金属接点。