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公开(公告)号：CN107946280A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201710477486.1
申请日：2017-06-16
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/528
CPC classification number: H01L24/83 , H01L23/498 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L2224/13017 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13118 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/1403 , H01L2224/16147 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29118 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/32147 , H01L2224/81385 , H01L2224/81898 , H01L2224/83139 , H01L2224/83895 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06524 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/3511 , H01L2224/81 , H01L23/5283
Abstract: 本发明提供一种一半导体封装，其包括：一第一基板，其包括自该第一基板之一表面延伸之一第一互连结构，该第一互连结构包括一第一尺寸之颗粒；一第二基板，其包括一第二互连结构，该第二互连结构包括一第二尺寸之颗粒；及一第三互连结构，其系设置于该第一互连结构与该第二互连结构之间，该第三互连结构包括一第三尺寸之颗粒；一第一侧壁，其相对于一参考平面倾斜一第一角度；及一第二侧壁，其相对于该参考平面倾斜一第二角度，其中该第一角度相异于该第二角度，该第一侧壁系设置于该第一基板与该第二侧壁之间，且该第三尺寸小于该第一尺寸与该第二尺寸两者。
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公开(公告)号：CN110120380A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201810281728.4
申请日：2018-04-02
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及一种半导体封装，其包含电连接结构。所述电连接结构包含：第一导电层；所述第一传导层上的第二导电层；以及所述第一导电层与所述第二导电层之间的导电盖，所述导电性盖的硬度比所述第一导电层的硬度更大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108511354A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810159644.3
申请日：2018-02-26
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司 , 薛富盛
IPC: H01L21/603
Abstract: 本发明涉及一种用于制造半导体装置的方法。所述方法包含：提供包含第一金属接点的第一电子组件和包含第二金属接点的第二电子组件，改变所述第一金属接点的晶格，以及在预定压力和预定温度下将所述第一金属接点接合到所述第二金属接点。
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公开(公告)号：CN106513375A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201510681637.6
申请日：2015-10-20
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
Abstract: 本发明有关于一种清洗装置、清洗待清洗工件的方法以及清洗IC衬底传送滚轮的清洗液及方法。所述清洗装置包含第一槽、第二槽、第三槽及第四槽，其中所述第一槽包含第一槽体及至少一个第一超声波震荡器，所述第二槽包含第二槽体及至少一个高压喷洗设备，所述第三槽包含第三槽体及至少一个第三超声波震荡器，所述第四槽包含第四槽体及至少一个第四超声波震荡器。
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公开(公告)号：CN107946280B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201710477486.1
申请日：2017-06-16
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/528
Abstract: 本发明提供一种一半导体封装，其包括：一第一基板，其包括自该第一基板之一表面延伸之一第一互连结构，该第一互连结构包括一第一尺寸之颗粒；一第二基板，其包括一第二互连结构，该第二互连结构包括一第二尺寸之颗粒；及一第三互连结构，其系设置于该第一互连结构与该第二互连结构之间，该第三互连结构包括一第三尺寸之颗粒；一第一侧壁，其相对于一参考平面倾斜一第一角度；及一第二侧壁，其相对于该参考平面倾斜一第二角度，其中该第一角度相异于该第二角度，该第一侧壁系设置于该第一基板与该第二侧壁之间，且该第三尺寸小于该第一尺寸与该第二尺寸两者。
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公开(公告)号：CN108511354B
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201810159644.3
申请日：2018-02-26
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司 , 薛富盛
IPC: H01L21/603
Abstract: 本发明涉及一种用于制造半导体装置的方法。所述方法包含：提供包含第一金属接点的第一电子组件和包含第二金属接点的第二电子组件，改变所述第一金属接点的晶格，以及在预定压力和预定温度下将所述第一金属接点接合到所述第二金属接点。
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