公开(公告)号：CN100528883C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200480003017.7

申请日：2004-01-30

Applicant: 日本曹达株式会社

Inventor： 佐宗春男 ,  藤田佳孝 ,  高桥敏明

IPC: C07F7/18 ,  C07F9/38 ,  G03F7/004

CPC classification number: G03F7/0045 ,  C07F7/12 ,  C07F7/1804 ,  C07F9/3808 ,  C07F9/4006

Abstract: 本发明涉及光响应性能没有下降、影响成膜性的结构部分和影响表面物性的部位可以变柔软、可以由较低能量的波长的光来实现表面变换的、可以以良好重复性在基板上形成有机薄膜的、以式(1)表示的化合物及其有机薄膜形成体。(式中，X表示含杂原子且可以与金属或金属氧化物表面相互作用的官能团，R表示碳原子数1～20的烷基、碳原子数1～20的烷氧基、芳基、碳原子数1～20的烷氧羰基等。n表示1～30的整数，m表示0～5的整数。G1表示单键或碳原子数1～3的2价烃基。Ar表示可以具有取代基的芳香族基团。G2表示O、S或Nr。)

公开(公告)号：CN1745088A

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：CN200480003017.7

申请日：2004-01-30

Applicant: 日本曹达株式会社

Inventor： 佐宗春男 ,  藤田佳孝 ,  高桥敏明

IPC: C07F7/18 ,  C07F9/38 ,  G03F7/004

CPC classification number: G03F7/0045 ,  C07F7/12 ,  C07F7/1804 ,  C07F9/3808 ,  C07F9/4006

Abstract: 本发明涉及光响应性能没有下降、影响成膜性的结构部分和影响表面物性的部位可以变柔软、可以由较低能量的波长的光来实现表面变换的、可以以良好重复性在基板上形成有机薄膜的、以式(1)表示的化合物及其有机薄膜形成体。(式中，X表示含杂原子且可以与金属或金属氧化物表面相互作用的官能团，R表示碳原子数1～20的烷基、碳原子数1～20的烷氧基、芳基、碳原子数1～20的烷氧羰基等。n表示1～30的整数，m表示0～5的整数。G1表示单键或碳原子数1～3的2价烃基。Ar表示可以具有取代基的芳香族基团。G2表示O、S或Nr) 。