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公开(公告)号：CN101945926B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN200980105450.4
申请日：2009-02-23
Applicant: 日本曹达株式会社
IPC: C08G77/06 , C07F7/18 , C07F7/21 , C08G77/14 , C08G79/00 , C09D183/00 , C09D185/00
CPC classification number: C09D183/04 , C08G77/045 , C08G77/06 , C08G77/16 , C08G77/18 , C08G79/00 , C08G79/12 , C09D185/00 , C23C2222/20
Abstract: 本发明提供能够迅速形成杂质少的致密单分子膜的有机金属薄膜形成溶液。所述有机薄膜形成用溶液是含有(A)下述式(I)所示的至少1种有机金属化合物(其中，至少1种有机金属化合物具有羟基)和(B)下述式(II)所示的至少1种有机金属化合物，且40≤[(A)/{(A)+(B)}]×100≤100(质量％)、和0≤[(B)/{(A)+(B)}]×100≤60(质量％)的有机薄膜形成用溶液，或者是含有式(I)所示的有机金属化合物中至少分别具有1个羟基和水解性基团的有机金属化合物的有机薄膜形成用溶液，或者是式(I)所示的有机金属化合物中三聚体与二聚体的质量比大于0.5的有机薄膜形成用溶液。R3mM2X54-m？？(II)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100528883C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200480003017.7
申请日：2004-01-30
Applicant: 日本曹达株式会社
CPC classification number: G03F7/0045 , C07F7/12 , C07F7/1804 , C07F9/3808 , C07F9/4006
Abstract: 本发明涉及光响应性能没有下降、影响成膜性的结构部分和影响表面物性的部位可以变柔软、可以由较低能量的波长的光来实现表面变换的、可以以良好重复性在基板上形成有机薄膜的、以式(1)表示的化合物及其有机薄膜形成体。(式中，X表示含杂原子且可以与金属或金属氧化物表面相互作用的官能团，R表示碳原子数1～20的烷基、碳原子数1～20的烷氧基、芳基、碳原子数1～20的烷氧羰基等。n表示1～30的整数，m表示0～5的整数。G1表示单键或碳原子数1～3的2价烃基。Ar表示可以具有取代基的芳香族基团。G2表示O、S或Nr。)
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公开(公告)号：CN1745088A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200480003017.7
申请日：2004-01-30
Applicant: 日本曹达株式会社
CPC classification number: G03F7/0045 , C07F7/12 , C07F7/1804 , C07F9/3808 , C07F9/4006
Abstract: 本发明涉及光响应性能没有下降、影响成膜性的结构部分和影响表面物性的部位可以变柔软、可以由较低能量的波长的光来实现表面变换的、可以以良好重复性在基板上形成有机薄膜的、以式(1)表示的化合物及其有机薄膜形成体。(式中，X表示含杂原子且可以与金属或金属氧化物表面相互作用的官能团，R表示碳原子数1～20的烷基、碳原子数1～20的烷氧基、芳基、碳原子数1～20的烷氧羰基等。n表示1～30的整数，m表示0～5的整数。G1表示单键或碳原子数1～3的2价烃基。Ar表示可以具有取代基的芳香族基团。G2表示O、S或Nr) 。
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公开(公告)号：CN104395327A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201380031976.9
申请日：2013-07-02
Applicant: 日本曹达株式会社
CPC classification number: C09D5/1662 , B05D1/18 , B05D5/08 , C07F7/18 , C07F7/1804 , C08G77/06 , C08K3/22 , C09D7/63 , C09D183/04 , C09D183/06 , C09D183/08
Abstract: 本发明的课题在于提供用于形成物性得到改善的新型有机薄膜的有机硅化合物。本发明的有机硅化合物是由式(I)R-(CH2)n-SiX3 (I)(式中，R表示碳原子数1～3的烷氧基、可以具有取代基的苯基，X表示羟基或者水解性基团，n表示17～24中的任一整数。)表示的有机硅化合物。在有机溶剂中将上述有机硅化合物、可与上述有机硅化合物相互作用的化合物和水混合来制备有机薄膜形成用溶液，使该有机薄膜形成用溶液与基板接触，由此能够形成有机薄膜。
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公开(公告)号：CN101945926A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200980105450.4
申请日：2009-02-23
Applicant: 日本曹达株式会社
IPC: C08G77/06 , C07F7/18 , C07F7/21 , C08G77/14 , C08G79/00 , C09D183/00 , C09D185/00
CPC classification number: C09D183/04 , C08G77/045 , C08G77/06 , C08G77/16 , C08G77/18 , C08G79/00 , C08G79/12 , C09D185/00 , C23C2222/20
Abstract: 本发明提供能够迅速形成杂质少的致密单分子膜的有机金属薄膜形成溶液。所述有机薄膜形成用溶液是含有(A)下述式(I)所示的至少1种有机金属化合物(其中，至少1种有机金属化合物具有羟基)和(B)下述式(II)所示的至少1种有机金属化合物，且40≤[(A)/{(A)+(B)}]×100≤100(质量％)、和0≤[(B)/{(A)+(B)}]×100≤60(质量％)的有机薄膜形成用溶液，或者是含有式(I)所示的有机金属化合物中至少分别具有1个羟基和水解性基团的有机金属化合物的有机薄膜形成用溶液，或者是式(I)所示的有机金属化合物中三聚体与二聚体的质量比大于0.5的有机薄膜形成用溶液。R3mM2X54-m (II)。
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公开(公告)号：CN104395327B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201380031976.9
申请日：2013-07-02
Applicant: 日本曹达株式会社
CPC classification number: C09D5/1662 , B05D1/18 , B05D5/08 , C07F7/18 , C07F7/1804 , C08G77/06 , C08K3/22 , C09D7/63 , C09D183/04 , C09D183/06 , C09D183/08
Abstract: 本发明的课题在于提供用于形成物性得到改善的新型有机薄膜的有机硅化合物。本发明的有机硅化合物是由式(I)R‑(CH2)n‑SiX3 (I)(式中，R表示碳原子数1～3的烷氧基、可以具有取代基的苯基，X表示羟基或者水解性基团，n表示17～24中的任一整数。)表示的有机硅化合物。在有机溶剂中将上述有机硅化合物、可与上述有机硅化合物相互作用的化合物和水混合来制备有机薄膜形成用溶液，使该有机薄膜形成用溶液与基板接触，由此能够形成有机薄膜。
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