公开(公告)号：CN111736424B

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN201911394067.7

申请日：2019-12-30

Applicant: 日本株式会社日立高新技术科学

Inventor： 中川良知 ,  朝生光人 ,  铃木胜美 ,  冈部卫 ,  荷田昌克

IPC: G03F1/74

Abstract: 本发明提供掩模缺陷修正装置和掩模缺陷修正方法，不用使掩模在掩模缺陷修正装置与检查装置之间一边暴露在大气中一边移动，便能够进行精度高的缺陷修正。掩模缺陷修正装置使得一边向掩模的缺陷供给气体，一边照射由补正部补正后的照射量的带电粒子束，从而形成沉积膜。

公开(公告)号：CN111736424A

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN201911394067.7

申请日：2019-12-30

Applicant: 日本株式会社日立高新技术科学

Inventor： 中川良知 ,  朝生光人 ,  铃木胜美 ,  冈部卫 ,  荷田昌克

IPC: G03F1/74

Abstract: 本发明提供掩模缺陷修正装置和掩模缺陷修正方法，不用使掩模在掩模缺陷修正装置与检查装置之间一边暴露在大气中一边移动，便能够进行精度高的缺陷修正。掩模缺陷修正装置使得一边向掩模的缺陷供给气体，一边照射由补正部补正后的照射量的带电粒子束，从而形成沉积膜。

公开(公告)号：CN110176379B

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN201910126745.5

申请日：2019-02-20

Applicant: 日本株式会社日立高新技术科学

Inventor： 山本洋 ,  酉川翔太 ,  铃木秀和 ,  铃木浩之 ,  冈部卫 ,  麻畑达也

IPC: H01J37/305 ,  H01J37/244

Abstract: 提供带电粒子束装置和试样加工观察方法。提供如下的带电粒子束装置和使用该带电粒子束装置的试样加工观察方法，该带电粒子束装置具备镓离子束镜筒、具有半浸没透镜型的物镜的电子束镜筒和气体离子束镜筒，能够在短时间内高效地进行试样的精加工和试样加工面的高精度的SEM像取得。带电粒子束装置的特征在于，所述带电粒子束装置至少具有：镓离子束镜筒，其朝向试样照射镓离子束，形成所述试样的截面；电子束镜筒，其具有半浸没透镜型的物镜，朝向试样照射电子束；以及气体离子束镜筒，其朝向所述试样的截面照射气体离子束，进行所述试样的截面的精加工，所述气体离子束具有比所述试样的截面的最大直径大的波束直径。

公开(公告)号：CN110176379A

公开(公告)日：2019-08-27

申请号：CN201910126745.5

申请日：2019-02-20

Applicant: 日本株式会社日立高新技术科学

Inventor： 山本洋 ,  酉川翔太 ,  铃木秀和 ,  铃木浩之 ,  冈部卫 ,  麻畑达也

IPC: H01J37/305 ,  H01J37/244

Abstract: 提供带电粒子束装置和试样加工观察方法。提供如下的带电粒子束装置和使用该带电粒子束装置的试样加工观察方法，该带电粒子束装置具备镓离子束镜筒、具有半浸没透镜型的物镜的电子束镜筒和气体离子束镜筒，能够在短时间内高效地进行试样的精加工和试样加工面的高精度的SEM像取得。带电粒子束装置的特征在于，所述带电粒子束装置至少具有：镓离子束镜筒，其朝向试样照射镓离子束，形成所述试样的截面；电子束镜筒，其具有半浸没透镜型的物镜，朝向试样照射电子束；以及气体离子束镜筒，其朝向所述试样的截面照射气体离子束，进行所述试样的截面的精加工，所述气体离子束具有比所述试样的截面的最大直径大的波束直径。