半导体光调制器
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101529313B

    公开(公告)日:2011-05-11

    申请号:CN200780038962.4

    申请日:2007-10-24

    IPC分类号: G02F1/025 G02F1/015

    摘要: 根据本发明,能够提供一种耐压高、制作容易的npin型光调制器。根据本发明的一实施例的半导体光调制器(10)是一种在衬底侧配置阴极层(12-1)、顺序层叠的npin型的半导体光调制器,其特征在于,该npin型半导体光调制器至少包括:第一n型覆层(13-1)、p型覆层(14)、芯层(17)、及第二n型覆层(13-2),其中p型覆层(14)与阴极层的电极(18-1)电连接。由此,伴随npin型光调制器中的光吸收,就能使向p型覆层的空穴积累被阳极侧的电极吸收。由于此npin型半导体光调制器为台面型波导结构,所以能使用现有的半导体制造技术较容易地制作此npin型半导体光调制器。

    半导体光调制器
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101529313A

    公开(公告)日:2009-09-09

    申请号:CN200780038962.4

    申请日:2007-10-24

    IPC分类号: G02F1/025 G02F1/015

    摘要: 根据本发明,能够提供一种耐压高、制作容易的npin型光调制器。根据本发明的一实施例的半导体光调制器(10)是一种在衬底侧配置阴极层(12-1)、顺序层叠的npin型的半导体光调制器,其特征在于,该npin型半导体光调制器至少包括:第一n型覆层(13-1)、p型覆层(14)、芯层(17)、及第二n型覆层(13-2),其中p型覆层(14)与阴极层的电极(18-1)电连接。由此,伴随npin型光调制器中的光吸收,就能使向p型覆层的空穴积累被阳极侧的电极吸收。由于此npin型半导体光调制器为台面型波导结构,所以能使用现有的半导体制造技术较容易地制作此npin型半导体光调制器。

    半导体光调制器和光调制装置

    公开(公告)号:CN101910913B

    公开(公告)日:2014-12-03

    申请号:CN200880124499.X

    申请日:2008-12-26

    IPC分类号: G02F1/025

    CPC分类号: G02F1/025 G02F2201/07

    摘要: 本发明的半导体光调制器具备:第一半导体光波导,具有包含以下部分的层叠构造:核心层;夹着上述核心层被分别配置在下部和上部的第一包层和第二包层;插入在上述第二包层和上述核心层之间的势垒层;第二半导体光波导,具有在上述第一半导体光波导的层叠构造中上述第二包层在n型半导体内在层叠方向上局部地贯通的p型半导体的层叠构造;与上述第一半导体光波导的上述第一包层连接的第一电极;电气地将上述第一半导体光波导的上述第二包层和上述第二半导体光波导的上述第二包层的p型半导体连接起来的第二电极。

    半导体光调制器和光调制装置

    公开(公告)号:CN101910913A

    公开(公告)日:2010-12-08

    申请号:CN200880124499.X

    申请日:2008-12-26

    IPC分类号: G02F1/025

    CPC分类号: G02F1/025 G02F2201/07

    摘要: 本发明的半导体光调制器具备:第一半导体光波导,具有包含以下部分的层叠构造:核心层;夹着上述核心层被分别配置在下部和上部的第一包层和第二包层;插入在上述第二包层和上述核心层之间的势垒层;第二半导体光波导,具有在上述第一半导体光波导的层叠构造中上述第二包层在n型半导体内在层叠方向上局部地贯通的p型半导体的层叠构造;与上述第一半导体光波导的上述第一包层连接的第一电极;电气地将上述第一半导体光波导的上述第二包层和上述第二半导体光波导的上述第二包层的p型半导体连接起来的第二电极。

    半导体光电子波导通路
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100430780C

    公开(公告)日:2008-11-05

    申请号:CN200480028898.8

    申请日:2004-10-04

    IPC分类号: G02F1/025

    摘要: 本发明涉及一种具有可执行光调制器的稳定动作之nin型异质结构的半导体光电子波导通路。在构造确定为在动作光波长下光电效果有效作用、且光吸收不成问题的芯层(11)的上面与下面,为了使光吸收产生的载流子不在异质界面处陷波,设置具有比芯层(11)的频带间隙大的频带间隙之中间包覆层(12-1和12-2),在中间包覆层(12-1)的上面和中间包覆层(12-2)的下面,分别设置具有比这些中间包覆层大的频带间隙之包覆层(13-1和13-2)。在包覆层(13-1)的上面,依次层叠p型层(15)与n型层(16),在动作状态下使用的施加电压范围下,耗尽p型层(15)的整个区域与n型层(16)的部分区域或整个区域。

    半导体光电子波导通路
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1864092A

    公开(公告)日:2006-11-15

    申请号:CN200480028898.8

    申请日:2004-10-04

    IPC分类号: G02F1/025

    摘要: 本发明涉及一种具有可执行光调制器的稳定动作之nin型异质结构的半导体光电子波导通路。在构造确定为在动作光波长下光电效果有效作用、且光吸收不成问题的芯层(11)的上面与下面,为了使光吸收产生的载流子不在异质界面处陷波,设置具有比芯层(11)的频带间隙大的频带间隙之中间包覆层(12-1和12-2),在中间包覆层(12-1)的上面和中间包覆层(12-2)的下面,分别设置具有比这些中间包覆层大的频带间隙之包覆层(13-1和13-2)。在包覆层(13-1)的上面,依次层叠p型层(15)与n型层(16),在动作状态下使用的施加电压范围下,耗尽p型层(15)的整个区域与n型层(16)的部分区域或整个区域。