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公开(公告)号:CN1217565A
公开(公告)日:1999-05-26
申请号:CN98124152.2
申请日:1998-11-07
申请人: 日本电气株式会社
IPC分类号: H01L21/28 , H01L21/306 , H01L21/30 , H01L21/00
摘要: 一种制造半导体器件的方法,其中在半导体衬底上形成具有存储电极的电容器。该方法包括以下步骤:在半导体衬底上形成硅膜,同时形成第一和第二端点标记层,用于通过采用与硅膜材料不同的材料将硅膜在厚度方向上分成三部分;对包括第一和第二端点标记层的硅膜进行蚀刻;以及根据蚀刻材料的类型控制对硅膜的蚀刻深度,从而形成存储电极。