公开(公告)号：CN1207579A

公开(公告)日：1999-02-10

申请号：CN98117219.9

申请日：1998-07-18

申请人： 日本电气株式会社

发明人： 冈村健司 ,  藤原秀二 ,  葛山贵生

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/285 ,  H01L21/027

CPC分类号： H01L28/84 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4401 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02658

摘要： 半导体器件的制造方法包括在稀氢氟酸处理装置(12)中除去半导体衬底(15)上的氧化硅膜的第一处理步骤,在HSG－Si形成装置(13)中在半导体衬底(15)上形成半球形颗粒硅的第二处理步骤,和用半导体衬底输送装置(14)把在第一处理步骤中处理过的半导体衬底(15)送到HSG－Si形成装置(13)去的输送步骤,其中,在半导体衬底输送装置(14)中进行空气过滤,使在至第二处理步骤的工艺过程中,粘在半导体衬底(15)表面上的有机材料量设定为1ng/cm2以下。

公开(公告)号：CN1233848A

公开(公告)日：1999-11-03

申请号：CN99100483.3

申请日：1999-01-29

申请人： 日本电气株式会社

发明人： 冈村健司 ,  荒田弘美 ,  井上修一

IPC分类号： H01L21/312

CPC分类号： G03F7/16 ,  G03F7/11 ,  Y10S438/974

摘要： 在多晶硅膜上用CVD方法形成以六氟化钨(WF6)和二氯甲硅烷(SiH2Cl2)为原料的硅化钨(WSi)膜。在该膜形成工艺的最后阶段,终止六氟化钨的供给以减轻内应力。结果,在硅化钨膜上,形成包含高浓度氯离子的富硅的硅化钨膜。然后,在涂敷化学增强光刻胶前,这些膜与硅衬底一起浸渍在包含过氧化氢的腐蚀液体中,以除去富硅的硅化钨膜,以便可以控制可抑制碱性显影作用的氯化氨的产生。因此,可以通过光刻构图硅化钨膜而不会产生图形缺陷。

公开(公告)号：CN1226083A

公开(公告)日：1999-08-18

申请号：CN99100012.9

申请日：1999-01-05

申请人： 日本电气株式会社

发明人： 冈村健司 ,  广田俊幸

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L27/108 ,  H01L29/41

摘要： 半导体集成电路器件包含基本的包含存储单元和外围电路的电路构件的半导体子结构(SB),及非基本的半导体子结构(ISB),其包括形成在内层绝缘层(28)上的诸如对准标记的附加图形,对准标记具有通过内层绝缘层与硅基片的正面相固定的芯柱部分(30a),从而对准标记在生产过程中保持在原位。

公开(公告)号：CN1217565A

公开(公告)日：1999-05-26

申请号：CN98124152.2

申请日：1998-11-07

申请人： 日本电气株式会社

发明人： 广田俊幸 ,  冈村健司 ,  佐藤史英

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/306 ,  H01L21/30 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L28/92 ,  H01L28/84

摘要： 一种制造半导体器件的方法,其中在半导体衬底上形成具有存储电极的电容器。该方法包括以下步骤:在半导体衬底上形成硅膜,同时形成第一和第二端点标记层,用于通过采用与硅膜材料不同的材料将硅膜在厚度方向上分成三部分;对包括第一和第二端点标记层的硅膜进行蚀刻;以及根据蚀刻材料的类型控制对硅膜的蚀刻深度,从而形成存储电极。