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公开(公告)号：CN107840664B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201710846104.8
申请日：2017-09-19
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/599 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种硅铝氧氮陶瓷烧结体、其制法、复合基板及电子器件。本发明的硅铝氧氮陶瓷烧结体由Si6‑zAlzOzN8‑z(0＜z≤4.2)表示，开口气孔率为0.1％以下，相对密度为99.9％以上，且X射线衍射图中，硅铝氧氮陶瓷以外的各成分的最大峰的强度的总和相对于硅铝氧氮陶瓷的最大峰的强度的比值为0.005以下。
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公开(公告)号：CN107840664A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201710846104.8
申请日：2017-09-19
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/599 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/597 , B32B18/00 , C04B35/645 , C04B37/00 , C04B37/001 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/3418 , C04B2235/3865 , C04B2235/3869 , C04B2235/3873 , C04B2235/3895 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/786 , C04B2235/81 , C04B2235/85 , C04B2235/87 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2235/963 , C04B2237/345 , C04B2237/36 , C04B2237/368 , C04B2237/55 , C04B2237/704 , H03H9/02543 , H03H9/02574 , H03H9/145 , C04B35/622 , C04B2235/77
Abstract: 本发明涉及一种硅铝氧氮陶瓷烧结体、其制法、复合基板及电子器件。本发明的硅铝氧氮陶瓷烧结体由Si6-zAlzOzN8-z(0＜z≤4.2)表示，开口气孔率为0.1％以下，相对密度为99.9％以上，且X射线衍射图中，硅铝氧氮陶瓷以外的各成分的最大峰的强度的总和相对于硅铝氧氮陶瓷的最大峰的强度的比值为0.005以下。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN109690943A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201780055823.6
申请日：2017-09-15
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H9/25
CPC classification number: H03H9/25 , B28B3/00 , B28B7/34 , B28B11/0845 , B32B18/00 , B32B37/10 , B32B37/18 , B32B38/0012 , B32B2250/02 , B32B2305/80 , B32B2307/10 , B32B2307/20 , B32B2307/538 , B32B2307/546 , B32B2307/72 , B32B2310/0875 , B32B2315/02 , B32B2457/00 , C04B37/001 , C04B37/003 , C04B2237/341 , C04B2237/345 , C04B2237/52 , C04B2237/708 , H03H3/10 , H03H9/02574 , H03H9/02622 , H03H9/058
Abstract: 本发明的复合基板是支撑基板和功能性基板直接接合而成的复合基板，其中，支撑基板为硅铝氧氮陶瓷烧结体。支撑基板中的音速优选为5000m/s以上。支撑基板的40℃～400℃的热膨胀系数优选为3.0ppm/K以下。
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公开(公告)号：CN101312929B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200780000193.9
申请日：2007-02-09
Applicant: 日本碍子株式会社
Inventor： 田中启
IPC: C04B41/85
CPC classification number: C04B41/87 , B01D63/066 , B01D67/0048 , B01D69/04 , B01D69/046 , B01D71/024 , B01D71/027 , B01D2323/42 , C04B35/46 , C04B35/624 , C04B41/009 , C04B41/4537 , C04B2111/00801 , C04B41/4515 , C04B41/457 , C04B41/4582 , C04B41/5041 , C04B41/5035 , C04B35/10 , C04B35/00 , C04B35/185 , C04B35/48 , C04B38/00
Abstract: 本发明涉及可以以较少的成膜次数形成粗大微孔少和缺陷少、膜厚薄且均匀的多孔质膜的陶瓷多孔质膜的制造方法。其为在筒状或者藕根状的多孔质基材的贯通孔内壁面形成陶瓷多孔质膜的陶瓷多孔质膜的制造方法。将多孔质基材(1)按照其贯通孔处于纵向来放置，将与多孔质基材(1)的温度差在50℃以内的陶瓷溶胶液(5)输送到多孔质基材(1)的内壁面，在陶瓷溶胶液(5)超过多孔质基材(1)的上端部的阶段，停止送液，从多孔质基材(1)的下侧将陶瓷溶胶液(5)排出，然后，在陶瓷溶胶液(5)的排出完成后，赋予压力差，使得多孔质基材(1)的外周面侧比所述多孔质基材(1)的内壁面侧的压力低。
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公开(公告)号：CN108883375A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780008590.4
申请日：2017-02-21
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 整体型分离膜结构体(100)中，过滤隔室(24)的内径(C1)为1.0mm～2.0mm，邻接的过滤隔室(24)间的整体型基材(10)的隔壁厚度(D1)为0.05mm以上且低于0.2mm，中间层(20)的厚度(E1)为20μm以上且低于100μm。
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公开(公告)号：CN101312929A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200780000193.9
申请日：2007-02-09
Applicant: 日本碍子株式会社
Inventor： 田中启
IPC: C04B41/85
CPC classification number: C04B41/87 , B01D63/066 , B01D67/0048 , B01D69/04 , B01D69/046 , B01D71/024 , B01D71/027 , B01D2323/42 , C04B35/46 , C04B35/624 , C04B41/009 , C04B41/4537 , C04B2111/00801 , C04B41/4515 , C04B41/457 , C04B41/4582 , C04B41/5041 , C04B41/5035 , C04B35/10 , C04B35/00 , C04B35/185 , C04B35/48 , C04B38/00
Abstract: 本发明涉及可以以较少的成膜次数形成粗大微孔少和缺陷少、膜厚薄且均匀的多孔质膜的陶瓷多孔质膜的制造方法。其为在筒状或者藕根状的多孔质基材的贯通孔内壁面形成陶瓷多孔质膜的陶瓷多孔质膜的制造方法。将多孔质基材(1)按照其贯通孔处于纵向来放置，将与多孔质基材(1)的温度差在50℃以内的陶瓷溶胶液(5)输送到多孔质基材(1)的内壁面，在陶瓷溶胶液(5)超过多孔质基材(1)的上端部的阶段，停止送液，从多孔质基材(1)的下侧将陶瓷溶胶液(5)排出，然后，在陶瓷溶胶液(5)的排出完成后，赋予压力差，使得多孔质基材(1)的外周面侧比所述多孔质基材(1)的内壁面侧的压力低。
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