公开(公告)号：CN106716650B

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201580044820.3

申请日：2015-07-09

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 仓冈义孝 ,  大上翔平 ,  滑川政彦 ,  渡边守道

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/16 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42

Abstract: 本发明提供一种廉价且容易制作、并且出光效率优异的发光元件。发光元件包括：由取向的多个晶粒构成的取向多晶基板、离散地设置于取向多晶基板的一个主面的不存在结晶缺陷的区域的上方且分别是在取向多晶基板的法线方向具有长度方向的柱状部位的多个柱状发光部、以及用折射率比柱状发光部的构成材料低的材料以包围多个柱状发光部的方式设置于取向多晶基板的上方的光封入层。

公开(公告)号：CN111094637B

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN201880059294.1

申请日：2018-07-03

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 坂井正宏 ,  大上翔平 ,  后藤万佐司 ,  吉野隆史

IPC: C30B29/38

Abstract: 提供一种基底基板(6)，其具备支撑基板(1)、和设置在支撑基板(1)的主面(1a)上的基底结晶层(3)，其中该基底结晶层(3)由13族元素氮化物结晶构成、且具有结晶培养面(3a)。基底结晶层(3)具备隆起部(5)。在隆起部(5)与支撑基板(1)之间存在有支撑基板(1)的材质与13族元素氮化物结晶的反应物、13族金属和/或空隙。

公开(公告)号：CN116096936A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202180051846.6

申请日：2021-05-27

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 坂井正宏 ,  大上翔平

IPC: C23C16/34

Abstract: 本发明提供一种III族元素氮化物半导体基板，其具备第一面和第二面，对于该III族元素氮化物半导体基板，即便在第一面上制作的器件的尺寸变大，同一基板内的器件间的器件特性的偏差也得以抑制。本发明的实施方式所涉及的III族元素氮化物半导体基板是具备第一面和第二面的III族元素氮化物半导体基板，其中，满足选自由下述(1)～(3)构成的组中的至少1者。(1)第一面的表面起伏曲线的最大高度Wz为150nm以下。(2)第一面的表面起伏曲线的均方根高度Wq为25nm以下。(3)第一面的表面起伏曲线要素的平均长度WSm为0.5mm以上。

公开(公告)号：CN111094637A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201880059294.1

申请日：2018-07-03

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 坂井正宏 ,  大上翔平 ,  后藤万佐司 ,  吉野隆史

IPC: C30B29/38

Abstract: 提供一种基底基板(6)，其具备支撑基板(1)、和设置在支撑基板(1)的主面(1a)上的基底结晶层(3)，其中该基底结晶层(3)由13族元素氮化物结晶构成、且具有结晶培养面(3a)。基底结晶层(3)具备隆起部(5)。在隆起部(5)与支撑基板(1)之间存在有支撑基板(1)的材质与13族元素氮化物结晶的反应物、13族金属和/或空隙。

公开(公告)号：CN111094638B

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN201880059295.6

申请日：2018-09-26

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 后藤万佐司 ,  坂井正宏 ,  大上翔平 ,  吉野隆史

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/205

Abstract: 提供一种用于在基底结晶层的结晶培养面上培养13族元素氮化物结晶层的基底基板，该基底基板具有：能够进一步减少13族元素氮化物结晶层中的缺陷、裂纹的结构。基底基板(6)具备：支撑基板(1)，其由氧化铝构成；以及基底结晶层(2A)，其设置在支撑基板(1)的主面(1a)上，该基底结晶层(2A)由13族元素氮化物结晶层构成，且具有结晶培养面(2a)。在支撑基板(1)与基底结晶层(2A)之间存在有支撑基板的材质与13族元素氮化物结晶的反应物、以及13族金属中的至少一者(4A)。反应物至少包含铝和13族元素。

公开(公告)号：CN111094638A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201880059295.6

申请日：2018-09-26

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 后藤万佐司 ,  坂井正宏 ,  大上翔平 ,  吉野隆史

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/205

Abstract: 提供一种用于在基底结晶层的结晶培养面上培养13族元素氮化物结晶层的基底基板，该基底基板具有：能够进一步减少13族元素氮化物结晶层中的缺陷、裂纹的结构。基底基板(6)具备：支撑基板(1)，其由氧化铝构成；以及基底结晶层(2A)，其设置在支撑基板(1)的主面(1a)上，该基底结晶层(2A)由13族元素氮化物结晶层构成，且具有结晶培养面(2a)。在支撑基板(1)与基底结晶层(2A)之间存在有支撑基板的材质与13族元素氮化物结晶的反应物、以及13族金属中的至少一者(4A)。反应物至少包含铝和13族元素。

公开(公告)号：CN106716650A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201580044820.3

申请日：2015-07-09

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 仓冈义孝 ,  大上翔平 ,  滑川政彦 ,  渡边守道

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/16 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L33/025 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/16 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42 ,  H01L33/46 ,  H01L33/58 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2933/0066

Abstract: 本发明提供一种廉价且容易制作、并且出光效率优异的发光元件。发光元件包括：由取向的多个晶粒构成的取向多晶基板、离散地设置于取向多晶基板的一个主面的不存在结晶缺陷的区域的上方且分别是在取向多晶基板的法线方向具有长度方向的柱状部位的多个柱状发光部、以及用折射率比柱状发光部的构成材料低的材料以包围多个柱状发光部的方式设置于取向多晶基板的上方的光封入层。