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公开(公告)号:CN114651092B
公开(公告)日:2024-08-23
申请号:CN202080074003.3
申请日:2020-07-15
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供能够减少13族元素氮化物结晶层的翘曲这样的厚度方向上的微结构。13族元素氮化物结晶层13包含从氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中选择的13族元素氮化物结晶,且具有上表面以及底面。在将13族元素氮化物结晶层13沿着与上表面垂直的方向T切割得到的截面中利用阴极发光进行观测时,高亮度层5和低亮度层6交替存在,将高亮度层5的厚度tb设为1时,低亮度层6的厚度td为3以上10以下。
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公开(公告)号:CN104919906A
公开(公告)日:2015-09-16
申请号:CN201380066834.6
申请日:2013-11-12
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H05K3/244 , H01L23/48 , H01L2924/0002 , H05K3/0052 , H05K3/246 , H05K2201/0909 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及电子部件及其制造方法。本发明包括:基板(12)、在基板(12)上形成的电极层(14),在电极层(14)的上表面(14a)形成的具有比电极层(14)的上表面面积小的上表面面积的镀敷层(16)。电极层(14)的上表面(14a)中包含该电极层(14)的外周的至少一部分的部分从镀敷层(16)露出。
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公开(公告)号:CN114651092A
公开(公告)日:2022-06-21
申请号:CN202080074003.3
申请日:2020-07-15
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供能够减少13族元素氮化物结晶层的翘曲这样的厚度方向上的微结构。13族元素氮化物结晶层13包含从氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中选择的13族元素氮化物结晶,且具有上表面以及底面。在将13族元素氮化物结晶层13沿着与上表面垂直的方向T切割得到的截面中利用阴极发光进行观测时,高亮度层5和低亮度层6交替存在,将高亮度层5的厚度tb设为1时,低亮度层6的厚度td为3以上10以下。
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公开(公告)号:CN107002287B
公开(公告)日:2019-08-16
申请号:CN201580067845.5
申请日:2015-12-15
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: C30B23/005 , C07F5/00 , C30B19/02 , C30B23/025 , C30B23/06 , C30B29/406
Abstract: 通过将13族元素源、包含碱金属和碱土金属中的至少一方的助熔剂、及在常温下为液体的添加剂5收纳于结晶培养容器10,在含有氮原子的气体气氛下对结晶培养容器10进行加热、加压,由此生成包含13族元素源、助熔剂及添加剂的熔液14。此时,防止添加剂5蒸发直至助熔剂熔融,使13族元素氮化物结晶在熔液中生长。
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公开(公告)号:CN104919906B
公开(公告)日:2018-04-03
申请号:CN201380066834.6
申请日:2013-11-12
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H05K3/244 , H01L23/48 , H01L2924/0002 , H05K3/0052 , H05K3/246 , H05K2201/0909 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及电子部件及其制造方法。本发明包括:基板(12)、在基板(12)上形成的电极层(14),在电极层(14)的上表面(14a)形成的具有比电极层(14)的上表面面积小的上表面面积的镀敷层(16)。电极层(14)的上表面(14a)中包含该电极层(14)的外周的至少一部分的部分从镀敷层(16)露出。
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公开(公告)号:CN107002287A
公开(公告)日:2017-08-01
申请号:CN201580067845.5
申请日:2015-12-15
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: C30B23/005 , C07F5/00 , C30B19/02 , C30B23/025 , C30B23/06 , C30B29/406
Abstract: 通过将13族元素源、包含碱金属和碱土金属中的至少一方的助熔剂、及在常温下为液体的添加剂5收纳于结晶培养容器10,在含有氮原子的气体气氛下对结晶培养容器10进行加热、加压,由此生成包含13族元素源、助熔剂及添加剂的熔液14。此时,防止添加剂5蒸发直至助熔剂熔融,使13族元素氮化物结晶在熔液中生长。
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