公开(公告)号：CN112805822B

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN201880098366.3

申请日：2018-12-06

Applicant: 日本碍子株式会社 ,  NGK电子器件株式会社

Inventor： 梅田勇治

IPC: H01L23/15 ,  C04B37/02 ,  H01L23/12 ,  H01L23/36 ,  H05K1/02 ,  H05K1/03

Abstract: 半导体装置用基板(2)具备陶瓷烧结体(3)、第1电路板(4)和第2电路板(4')。在陶瓷烧结体(3)中，将Mg的以MgO换算的含量设为S1质量％，将Zr的以ZrO2换算的含量设为S2质量％的情况下，下述的式1成立。将第1电路板(4)的厚度设为T1mm，将第2电路板(4')的厚度设为T2mm，并将陶瓷烧结体(3)的厚度设为T3mm的情况下，下述的式2、3、4成立。－0.004×S2+0.171＜S1＜－0.032×S2+1.427···(1)1.7＜(T1+T2)/T3＜3.5···(2)T1≥T2···(3)T3≥0.25···(4)。

公开(公告)号：CN112789255A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201880098368.2

申请日：2018-12-06

Applicant: 日本碍子株式会社 ,  NGK电子器件株式会社

Inventor： 梅田勇治 ,  河野浩

IPC: C04B35/119 ,  H01L23/15

Abstract: 陶瓷烧结体(3)包含Zr、Al、Y和Mg，Zr的含量以ZrO2换算为7.5质量％以上且23.5质量％以下，Al的含量以Al2O3换算为74.9质量％以上且91.8质量％以下，Y的含量以Y2O3换算为0.41质量％以上且1.58质量％以下，Mg的含量以MgO换算为0.10质量％以上且0.80质量％以下。陶瓷烧结体(3)的热老化后M相率为15％以下。

公开(公告)号：CN112789256B

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN201880098397.9

申请日：2018-12-06

Applicant: 日本碍子株式会社 ,  NGK电子器件株式会社

Inventor： 梅田勇治 ,  大上纯史

IPC: C04B35/119

Abstract: 本发明提供一种陶瓷烧结体以及半导体装置用基板。陶瓷烧结体以及半导体装置用基板包含Zr、Hf、Al、Y、Mg、Si、Ca、和Na及K中的至少一者、以及这些以外的剩余部分，剩余部分的含量以氧化物换算为0.05质量％以下。Mg的MgO换算的含量、Si的SiO2换算的含量、Ca的CaO换算的含量、Na的Na2O换算的含量、K的K2O换算的含量、以及剩余部分的含量之和为0.3质量％以上且2.0质量％以下。

公开(公告)号：CN106458762A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201480078508.1

申请日：2014-12-26

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 梅田勇治 ,  伊藤阳彦

IPC: C04B35/111 ,  H05K1/03

Abstract: 本发明涉及一种陶瓷基体及其制造方法。结晶相以Al2O3为主结晶相，除此以外，仅包含ZrO2结晶相。包含：按Al2O3换算计为89.0～92.0质量％的Al、按SiO2换算计为2.0～5.0质量％的Si、按MnO换算计为2.0～5.0质量％的Mn、按MgO换算计为0～2.0质量％的Mg、按ZrO2换算计为0.05～2.0质量％的Zr。

公开(公告)号：CN101794859A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN201010104715.3

申请日：2010-01-28

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 大西孝生 ,  梅田勇治 ,  后藤直树

IPC: H01L41/08 ,  H01L41/047 ,  H01L41/24

CPC classification number: H01L41/29 ,  H01L41/047 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/314 ,  Y10T29/42

Abstract: 本发明公开了一种压电/电致伸缩元件，即使压电/电致伸缩层开裂，该元件仍可用作传感器。所提供的压电/电致伸缩元件10具有基板11、固着于基板11上的下部电极层12以及固着于下部电极层12上的压电/电致伸缩层13，并且下部电极层12相对于基板11的覆盖率为98％以下。

公开(公告)号：CN112805822A

公开(公告)日：2021-05-14

申请号：CN201880098366.3

申请日：2018-12-06

Applicant: 日本碍子株式会社 ,  NGK电子器件株式会社

Inventor： 梅田勇治

IPC: H01L23/15 ,  C04B37/02 ,  H01L23/12 ,  H01L23/36 ,  H05K1/02 ,  H05K1/03

Abstract: 半导体装置用基板(2)具备陶瓷烧结体(3)、第1电路板(4)和第2电路板(4')。在陶瓷烧结体(3)中，将Mg的以MgO换算的含量设为S1质量％，将Zr的以ZrO2换算的含量设为S2质量％的情况下，下述的式1成立。将第1电路板(4)的厚度设为T1mm，将第2电路板(4')的厚度设为T2mm，并将陶瓷烧结体(3)的厚度设为T3mm的情况下，下述的式2、3、4成立。－0.004×S2+0.171＜S1＜－0.032×S2+1.427···(1)1.7＜(T1+T2)/T3＜3.5···(2)T1≥T2···(3)T3≥0.25···(4)。

公开(公告)号：CN107409472B

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201680016103.4

申请日：2016-03-17

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 梅田勇治 ,  伊藤阳彦

IPC: H05K3/46 ,  C04B35/111 ,  C04B37/02 ,  H05K1/03 ,  H05K3/38

Abstract: 本发明涉及配线基板。配线基板(12)是具有绝缘基板(18)、配置在该绝缘基板(18)表面的表面配线层(20、22)、以及配置在所述绝缘基板(18)内部的内部配线层(24)的配线基板(12)；绝缘基板(18)的结晶相至少以Al2O3或含有Al2O3的化合物为主晶相，Al2O3的晶体粒径小于1.5μm，表面配线层和内部配线层含有铜和钨、或者铜和钼、或者铜和钨及钼，钨和钼的粒径小于1.0μm，表面配线层及内部配线层的表面粗糙度Ra小于2.5μm。

公开(公告)号：CN107001147A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580066723.4

申请日：2015-12-15

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 河野浩 ,  梅田勇治 ,  伊藤阳彦

IPC: C04B35/111 ,  H01L23/15 ,  H05K1/03 ,  H05K3/12

Abstract: 本发明涉及陶瓷基体及其制造方法。陶瓷基体的结晶相以Al2O3及ZrO2为主结晶相，除此以外，包含Mn3Al2(SiO4)3或MgAl2O4，且弯曲强度为650Ma以上，杨氏模量为300GPa以下。

公开(公告)号：CN106458761A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201480078507.7

申请日：2014-12-26

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 梅田勇治 ,  伊藤阳彦

IPC: C04B35/111 ,  H01L23/02 ,  H01L23/08 ,  H05K1/03

Abstract: 本发明涉及一种陶瓷基体及其制造方法。结晶相以Al2O3为主结晶相，除此以外，仅包含BaAl2Si2O8结晶相。包含：按Al2O3换算计为89.0～92.0质量％的Al、按SiO2换算计为2.0～5.0质量％的Si、按MnO换算计为2.0～5.0质量％的Mn、按MgO换算计为0～2.0质量％的Mg、按BaO换算计为0.05～2.0质量％的Ba。

公开(公告)号：CN105051889A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201480017049.6

申请日：2014-03-18

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 梅田勇治 ,  清水秀树

IPC: H01L23/02 ,  H01L23/08 ,  H01L23/10

CPC classification number: H01L23/10 ,  H01L23/053 ,  H01L23/06 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种陶瓷封装体及电子器件。本发明的陶瓷封装体使用高温密封材料(16)将上表面开口的陶瓷制容器(12)及封堵该容器(12)的开口的盖体(14)密封，其中，在容器(12)的侧壁(12b)的上端面与高温密封材料(16)之间包括接合层(24)。接合层(24)包括形成在侧壁(12b)的上端面的金属化层(26)和形成在该金属化层(26)上的应力缓和层(28)。应力缓和层(28)是膜硬度在50以上、低于500的非电解镀层。