公开(公告)号：CN1018002B

公开(公告)日：1992-08-26

申请号：CN90102476.7

申请日：1990-03-30

Applicant: 日本钢管株式会社

Inventor： 毛利吉男 ,  荒木健治 ,  黑田浩一

IPC: C30B15/00 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B15/02

Abstract: 引上法制造硅单晶的设备，包括一个将硅粒原料连续送进坩埚的加料装置。该装置包括一个充有减压惰性气体的箱体，箱体内部安装一个转筒，转筒外圆表面上有多个能截住颗粒原料的部件，在转筒上方装量一个贮料斗。加料装置的配布要使贮料斗底部排出口与转筒外圆表面之间的距离(缝隙)要大于硅粒的最大直径，且该距离(缝隙)的最大值要足以使得硅粒能以一个静止角堆积在这个距离(缝隙)上。转筒外圆表面上能截住颗粒的部件采取各种任何凸起或沟槽的形式。

公开(公告)号：CN1046360A

公开(公告)日：1990-10-24

申请号：CN90102476.7

申请日：1990-03-30

Applicant: 日本钢管株式会社

Inventor： 毛利吉男 ,  荒木健治 ,  黑田浩一

IPC: C30B15/00

CPC classification number: C30B15/02

Abstract: 引上法制造硅单晶的设备，包括一个将硅粒原料连续送进坩埚的加料装置。该装置包括一个充有减压惰性气体的箱体，箱体内部安装一个转筒，转筒外圆表面上有多个能截住颗粒原料的部件，在转筒上方装置一个贮料斗。加料装置的配布要使贮料斗底部排出口与转筒外圆表面之间的距离(缝隙)要大于硅粒的最大直径，且该距离(缝隙)的最大值要足以使得硅粒能以一个静止角堆积在这个距离(缝隙)上。转筒外圆表面上能截住颗粒的部件采取各种任何凸起或沟槽的形式。